晶體管具備哪些優(yōu)勢?我們?nèi)绾闻袆e晶體管?
本文中,小編將對晶體管予以介紹,主要在于介紹晶體管的優(yōu)越性、MOS晶體管的相關(guān)內(nèi)容以及晶體管的判別和計算。如果你想對晶體管的詳細(xì)情況有所認(rèn)識,或者想要增進(jìn)對晶體管的了解程度,不妨請看以下內(nèi)容哦。
一、晶體管的優(yōu)越性
與電子管相比,晶體管具有許多優(yōu)點(diǎn),這些優(yōu)點(diǎn)大致可以歸類為三種。下面,小編將對這三類優(yōu)勢一一進(jìn)行介紹。
1.不消耗組件
不管電子管的質(zhì)量如何,由于陰極原子的變化和長期漏氣,電子管都會逐漸變質(zhì)。由于技術(shù)原因,在晶體管的生產(chǎn)開始時也存在相同的問題。隨著材料生產(chǎn)的進(jìn)步和各種改進(jìn),晶體管的壽命通常比電子管的壽命要長上很多。
2.極少的功耗
晶體管所產(chǎn)生的功耗是電子管的十分之一或十分之一,由此可見晶體管在功耗方面的優(yōu)異性。晶體管不需要像電子管一樣加熱燈絲來產(chǎn)生自由電子,只用幾個干電池就可以使晶體管收音機(jī)完美地工作上幾個月。
3. 晶體管不需要進(jìn)行預(yù)熱操作
晶體管一打開就可以工作,并不許進(jìn)行預(yù)熱。因為晶體管的這個特性,在軍事、測量等方面,晶體管具有重要的應(yīng)用。
二、判別及計算
1. 判別基極和管子的類型
選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔,先用紅表筆接一個管腳,黑表筆接另一個管腳,可測出兩個電阻值,然后再用紅表筆接另一個管腳,重復(fù)上述步驟,又測得一組電阻值,這樣測3次,其中有一組兩個阻值都很小的,對應(yīng)測得這組值的紅表筆接的為基極,且管子是PNP型的;反之,若用黑表筆接一個管腳,重復(fù)上述做法,若測得兩個阻值都小,對應(yīng)黑表筆為基極,且管子是NPN型的。
2. 判別集電極
因為三極管發(fā)射極和集電極正確連接時β大,反接時β就小得多。因此,先假設(shè)一個集電極,用歐姆檔連接。測量時,用手捏住基極和假設(shè)的集電極,兩極不能接觸,若指針擺動幅度大,而把兩極對調(diào)后指針擺動小,則說明假設(shè)是正確的,從而確定集電極和發(fā)射極。
3. 電流放大系數(shù)β的估算
選用歐姆檔的R*100檔,對NPN型管,紅表筆接發(fā)射極,黑表筆接集電極,測量時,只要比較用手捏住基極和集電極,和把手放開兩種情況小指針擺動的大小,擺動越大,β值越高。
三、MOS晶體管相關(guān)介紹
在了解了晶體管的優(yōu)越性以及晶體管的判別和計算后,我們再來看看MOS晶體管的一些相關(guān)內(nèi)容。
(一)MOS晶體管的最高工作頻率
MOS晶體管的最高工作頻率被定義為:當(dāng)對柵極輸入電容CGC的充放電電流和漏源交流電流的數(shù)值相等時,所對應(yīng)的工作頻率為MOS晶體管的最高工作頻率。這是因為當(dāng)柵源間輸入交流信號時,由源極增加(減少)流入的電子流,一部分通過溝道對電容充(放)電,一部分經(jīng)過溝道流向漏極,形成漏源電流的增量。因此,當(dāng)變化的電流全部用于對溝道電容充放電時,晶體管也就失去了放大能力。
(二)MOS晶體管的跨導(dǎo)gm
MOS晶體管的跨導(dǎo)gm表示交流小信號時衡量MOS器件VGS對IDS的控制能力(VDS恒定)的參數(shù),也是MOS晶體管的一個極為重要的參數(shù)。 (忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng),λ=0,在以下分析中,如未出現(xiàn)λ參數(shù),均表示λ=0的情況)。
(三)MOS管的閾值電壓
MOS管的閾值電壓等于backgate和source接在一起時形成channel需要的gate對source偏置電壓。如果gate對source偏置電壓小于閾值電壓,就沒有channel。一個特定的晶體管的閾值電壓和很多因素有關(guān),包括backgate的摻雜,電介質(zhì)的厚度,gate材質(zhì)和電介質(zhì)中的過剩電荷。
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