你知道常見的功率半導體器件應力測試有哪些方法嗎？

隨著社會的快速發(fā)展，我們的功率半導體器件也在快速發(fā)展，那么你知道功率半導體器件的詳細資料解析嗎?接下來讓小編帶領大家來詳細地了解功率半導體器件應力測試。

測試說明：

功率半導體器件主要包括：DC和DC主功率晶體管，輸出整流二極管，功率因數(shù)校正主功率晶體管，功率因數(shù)校正整流二極管，功率因數(shù)校正四電平二極管等。這些功率半導體器件的正確使用是 供電可靠性的重要保證。 為了確保合理使用功率器件，應考慮合理的電流，電壓和結溫降額。因此，試驗中應注意以下幾個方面：

A、滿足電壓降額要求;B、滿足電流降額要求。

測試方法：

A.在最壞條件下測試功率半導體器件的VDS電壓波形，并確定最大電壓和最大峰值電壓。由于VDS電壓高，最大電壓尖峰頻率可以達到30-40mhz，并且電壓尖峰小于300V(通常額定電壓為300，帶寬為100m或50m，并且測試波形不會失真)，您可以使用普通示波器的原始探頭。當電壓峰值大于300V時，以高壓無源探頭的測試結果為準(帶寬為100m)，并且測試波形不失真。有源高壓探頭的帶寬很窄，通常為20MHz，很容易變形，不建議使用。

電壓應力測試主要測試動態(tài)條件下的電壓應力(因為穩(wěn)態(tài)時的電壓應力很小)。具體測試條件如下：

(1)輸入電壓為最高電壓。測試設備處于空載，滿載，限流狀態(tài)，空載到限流(輸出電壓約為50V)，空載到深限流(輸出電壓小于40V)，(所有負載的跳變條件為：跳變時間5ms，TR和TF均為1a，對應20us)，空載時的電壓應力短路狀態(tài)。更改輸入電壓，并在最小輸入電壓和額定輸入電壓下重復上述測試。記錄測試的最大應力，并記錄超標電壓的波形。

(2)在模擬系統(tǒng)上運行的測試下，當模塊處于浮動充電狀態(tài)時，監(jiān)視使模塊變得均衡。此時，由于模塊的電壓上升速度不一致，電壓上升速度更快的模塊將立即被淹沒。高功率，但模塊無法短路和縮回(電壓高于短路縮回點)。這是因為模塊的應力較大，可能會導致設備應力超過標準值。

(3)輸入電壓在最大電壓和最低電壓之間跳躍(跳躍時間為20ms)，以測試輸出空載，滿載，限流狀態(tài)，空載滿載跳躍，空載至限流(輸出電壓為50V左右)，空載至深限流(輸出電壓小于40V)，(所有負載的跳躍條件為：跳躍時間5ms，tr和tf為1A對應于20us)，電壓器件在空載到短路條件下的應力。

對于100A的模塊，上述現(xiàn)象可以通過機柜模擬，主要是在不允許模塊縮回時瞬間使模塊負載大，從而測試此時的電壓應力。根據(jù)實際電路，可以分析和測試每個模塊的最大電壓應力。

B.電流壓力測試

在最壞的情況下測試功率器件的電流波形，以確定最大工作電流和最大峰值電流。具體測試條件如下：

(1)輸入電壓最低，輸出電壓最大。測試設備處于滿載，電流限制，空載滿載跳變，空載到電流限制(輸出電壓約為50V)，空載到深電流限制(輸出電壓小于40V)(所有負載跳變條件為：跳變的時間為5ms，tr和tf為1A，對應20us)，空載時器件的電流應力為短路條件。

(2)輸入電壓跳變的最大電壓和最小電壓(跳躍時間201ms)，分別測試輸出滿載，電流限制，空載滿載跳躍，空載電流限制(輸出電壓約50V)，無-負載到深限電流(輸出電壓小于40V)(所有負載跳變條件為：跳變時間5ms，TR和TF為1a，對應于20us)，空載短路器件的電流應力。

根據(jù)實際電路分析和測試，分別計算出最大額定電流。

以上就是測試功率半導體器件的有關知識的詳細解析，需要大家不斷在實際中積累經(jīng)驗，這樣才能設計出更好的產品，為我們的社會更好地發(fā)展。