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[導(dǎo)讀]隨著社會(huì)的快速發(fā)展,我們的功率半導(dǎo)體器件也在快速發(fā)展,那么你知道功率半導(dǎo)體器件的詳細(xì)資料解析嗎?接下來(lái)讓小編帶領(lǐng)大家來(lái)詳細(xì)地了解功率半導(dǎo)體器件應(yīng)力測(cè)試。

隨著社會(huì)的快速發(fā)展,我們的功率半導(dǎo)體器件也在快速發(fā)展,那么你知道功率半導(dǎo)體器件的詳細(xì)資料解析嗎?接下來(lái)讓小編帶領(lǐng)大家來(lái)詳細(xì)地了解功率半導(dǎo)體器件應(yīng)力測(cè)試。

測(cè)試說(shuō)明:

功率半導(dǎo)體器件主要包括:DC和DC主功率晶體管,輸出整流二極管,功率因數(shù)校正主功率晶體管,功率因數(shù)校正整流二極管,功率因數(shù)校正四電平二極管等。這些功率半導(dǎo)體器件的正確使用是 供電可靠性的重要保證。 為了確保合理使用功率器件,應(yīng)考慮合理的電流,電壓和結(jié)溫降額。因此,試驗(yàn)中應(yīng)注意以下幾個(gè)方面:

A、滿(mǎn)足電壓降額要求;B、滿(mǎn)足電流降額要求。

測(cè)試方法:

A.在最壞條件下測(cè)試功率半導(dǎo)體器件的VDS電壓波形,并確定最大電壓和最大峰值電壓。由于VDS電壓高,最大電壓尖峰頻率可以達(dá)到30-40mhz,并且電壓尖峰小于300V(通常額定電壓為300,帶寬為100m或50m,并且測(cè)試波形不會(huì)失真),您可以使用普通示波器的原始探頭。當(dāng)電壓峰值大于300V時(shí),以高壓無(wú)源探頭的測(cè)試結(jié)果為準(zhǔn)(帶寬為100m),并且測(cè)試波形不失真。有源高壓探頭的帶寬很窄,通常為20MHz,很容易變形,不建議使用。

電壓應(yīng)力測(cè)試主要測(cè)試動(dòng)態(tài)條件下的電壓應(yīng)力(因?yàn)榉€(wěn)態(tài)時(shí)的電壓應(yīng)力很小)。具體測(cè)試條件如下:

(1)輸入電壓為最高電壓。測(cè)試設(shè)備處于空載,滿(mǎn)載,限流狀態(tài),空載到限流(輸出電壓約為50V),空載到深限流(輸出電壓小于40V),(所有負(fù)載的跳變條件為:跳變時(shí)間5ms,TR和TF均為1a,對(duì)應(yīng)20us),空載時(shí)的電壓應(yīng)力短路狀態(tài)。更改輸入電壓,并在最小輸入電壓和額定輸入電壓下重復(fù)上述測(cè)試。記錄測(cè)試的最大應(yīng)力,并記錄超標(biāo)電壓的波形。

(2)在模擬系統(tǒng)上運(yùn)行的測(cè)試下,當(dāng)模塊處于浮動(dòng)充電狀態(tài)時(shí),監(jiān)視使模塊變得均衡。此時(shí),由于模塊的電壓上升速度不一致,電壓上升速度更快的模塊將立即被淹沒(méi)。高功率,但模塊無(wú)法短路和縮回(電壓高于短路縮回點(diǎn))。這是因?yàn)槟K的應(yīng)力較大,可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備應(yīng)力超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)值。

(3)輸入電壓在最大電壓和最低電壓之間跳躍(跳躍時(shí)間為20ms),以測(cè)試輸出空載,滿(mǎn)載,限流狀態(tài),空載滿(mǎn)載跳躍,空載至限流(輸出電壓為50V左右),空載至深限流(輸出電壓小于40V),(所有負(fù)載的跳躍條件為:跳躍時(shí)間5ms,tr和tf為1A對(duì)應(yīng)于20us),電壓器件在空載到短路條件下的應(yīng)力。

對(duì)于100A的模塊,上述現(xiàn)象可以通過(guò)機(jī)柜模擬,主要是在不允許模塊縮回時(shí)瞬間使模塊負(fù)載大,從而測(cè)試此時(shí)的電壓應(yīng)力。根據(jù)實(shí)際電路,可以分析和測(cè)試每個(gè)模塊的最大電壓應(yīng)力。

B.電流壓力測(cè)試

在最壞的情況下測(cè)試功率器件的電流波形,以確定最大工作電流和最大峰值電流。具體測(cè)試條件如下:

(1)輸入電壓最低,輸出電壓最大。測(cè)試設(shè)備處于滿(mǎn)載,電流限制,空載滿(mǎn)載跳變,空載到電流限制(輸出電壓約為50V),空載到深電流限制(輸出電壓小于40V)(所有負(fù)載跳變條件為:跳變的時(shí)間為5ms,tr和tf為1A,對(duì)應(yīng)20us),空載時(shí)器件的電流應(yīng)力為短路條件。

(2)輸入電壓跳變的最大電壓和最小電壓(跳躍時(shí)間201ms),分別測(cè)試輸出滿(mǎn)載,電流限制,空載滿(mǎn)載跳躍,空載電流限制(輸出電壓約50V),無(wú)-負(fù)載到深限電流(輸出電壓小于40V)(所有負(fù)載跳變條件為:跳變時(shí)間5ms,TR和TF為1a,對(duì)應(yīng)于20us),空載短路器件的電流應(yīng)力。

根據(jù)實(shí)際電路分析和測(cè)試,分別計(jì)算出最大額定電流。

以上就是測(cè)試功率半導(dǎo)體器件的有關(guān)知識(shí)的詳細(xì)解析,需要大家不斷在實(shí)際中積累經(jīng)驗(yàn),這樣才能設(shè)計(jì)出更好的產(chǎn)品,為我們的社會(huì)更好地發(fā)展。

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