EPC推出超高功率密度1226 W/in3、1 kW的48 V/12 V LLC轉(zhuǎn)換器

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出新型EPC9149演示板。該板為一款可提供1 kW功率的48 V輸入、12 V輸出的LLC轉(zhuǎn)換器，可作為直流變壓器，轉(zhuǎn)換比為4：1。EPC9149采用額定電壓為100 V的EPC2218氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)和額定電壓為40 V的EPC2024 。

EPC9149的尺寸是根據(jù)DOSA標(biāo)準(zhǔn)的1/8磚型，僅為58.4 mm x 22.9 mm。輸出功率是1 kW時(shí)，EPC9149比基于硅器件的解決方案要小得多，后者的尺寸通常是1/4磚或大兩倍。不帶散熱器的轉(zhuǎn)換器的總厚度僅為10 mm。為了讓工程師能夠輕松地復(fù)制這個(gè)設(shè)計(jì)，該電路板的所有設(shè)計(jì)資源，包括原理圖、物料清單和Gerber文檔，都可以在EPC網(wǎng)站上找到。

憑借EPC公司的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)技術(shù)，才可以實(shí)現(xiàn)1226 W / in3的高功率密度。eGaN FET具有高開(kāi)關(guān)頻率，這個(gè)板子的頻率是1 MHz且微型，其尺寸僅為采用相同導(dǎo)通電阻的硅MOSFET的板子的1/3。EPC9149采用4個(gè)用于一次側(cè)同步整流、額定電壓為100 V的 EPC2218 ，以及采用8個(gè)用于二次側(cè)同步整流、40 V的 EPC2024器件。該板還采用尺寸為4 mm x 4 mm 的Microchip dsPIC33CKMP102T-I/M6控制器, 可實(shí)現(xiàn)高靈活性、進(jìn)行配置、通信和編程，從而充分發(fā)揮氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。

EPC9149演示板可以在36 V至60 V的輸入電壓下工作，并輸出高達(dá)83.3 A的負(fù)載電流。 輸入電壓在48V至12V時(shí)的峰值效率為98%，在提供1 kW功率、12 V時(shí)的滿載效率為97%。在最大負(fù)載和400 LFM氣流下，最高穩(wěn)態(tài)工作溫度為88°C，最高結(jié)溫為95°C。

EPC首席執(zhí)行官Alex Lidow表示：“eGaN FET和集成電路提高了48 V/12 V轉(zhuǎn)換器的功率密度，并滿足了數(shù)據(jù)中心對(duì)于小尺寸、更高功率的應(yīng)用需求。Microchip數(shù)字控制器使得EPC9149演示板可靈活地進(jìn)行編程和配置。”

EPC9149發(fā)貨時(shí)隨附主板以簡(jiǎn)化測(cè)試。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN®)的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR)、用于電動(dòng)運(yùn)輸、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外，宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。