內(nèi)置嵌套向量中斷控制器，這款I(lǐng)C產(chǎn)品，愛了

在這篇文章中，小編將為大家?guī)矶髦瞧諲HS3100 IC的相關(guān)報道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

NXP 半導(dǎo)體NHS3100 是 NTAG SmartSensor 產(chǎn)品系列的成員。 該 IC 針對溫度監(jiān)控和記錄進行了優(yōu)化。 它具有嵌入式 NFC 接口、內(nèi)部溫度傳感器和直接電池連接。 這些功能支持有效的系統(tǒng)解決方案，其外部組件數(shù)量最少，并采用單層箔實現(xiàn)溫度監(jiān)控。 NHS3100 采用電池供電或 NFC 供電。

嵌入式 Arm Cortex-M0+ 為該 IC 的用戶提供了實施他們自己的專用解決方案的靈活性。 NHS3100 包含多種功能，包括多種省電模式和可選的 8 MHz 和更低的 CPU 頻率，以實現(xiàn)超低功耗。

用戶可以使用適用于 Arm Cortex-M0+ 處理器的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)解決方案對該 NHS3100 進行編程。

在時鐘生成方面，NHS3100 時鐘發(fā)生器單元 (CGU) 包括兩個獨立的 RC 振蕩器。 這些振蕩器是系統(tǒng)自激振蕩器 (SFRO) 和定時器自激振蕩器 (TFRO)。SFRO 以 8 MHz 運行，系統(tǒng)時鐘源自該頻率。 系統(tǒng)時鐘可設(shè)置為 8 MHz、4 MHz、2 MHz、1 MHz、500 kHz、250 kHz、125 kHz 或 62.5 kHz。注意：使用較低時鐘速度時，某些功能不可用。TFRO 運行于 32.768 kHz，是定時器單元的時鐘源。 TFRO 不能被禁用。復(fù)位后，NHS3100 開始以默認(rèn)的 500 kHz 系統(tǒng)時鐘頻率運行，以最大限度地減少引導(dǎo)周期中的動態(tài)電流消耗。SYSAHBCLKCTRL 寄存器將系統(tǒng)時鐘門控到各種外設(shè)和存儲器。 溫度傳感器接收固定時鐘頻率，與系統(tǒng)時鐘分頻器設(shè)置無關(guān)，而數(shù)字部分使用系統(tǒng)時鐘(AHB 時鐘 0)

在系統(tǒng)電源架構(gòu)方面，NHS3100 接受來自兩個不同來源的電源：來自外部電源引腳 VDDBAT 或來自內(nèi)置 NFC/RFID 整流器。

NHS3100 有一個小型自動源選擇器，用于監(jiān)控電源輸入以及引腳 RESETN。 PSWBAT 開關(guān)保持打開狀態(tài)，直到在引腳 RESETN 上或通過 NFC 場發(fā)出觸發(fā)信號。 如果觸發(fā)，則始終開啟域 VDD_ALON 本身通過 PSWBAT 或 PSWNFC 開關(guān)供電：通過 VBAT，如果 VBAT > 1.72 V，或 VNFC。 當(dāng) VBAT 和 VNFC 都存在時，優(yōu)先給 VBAT。PMU 中的自動電源選擇器單元根據(jù)電源決定內(nèi)部域的欠缺。

僅使用 NFC 電源(無源操作)時，將一個或多個 100 nF 外部電容器并聯(lián)連接到 GPIO 焊盤并將該焊盤設(shè)置為驅(qū)動至邏輯 1 的輸出。首選選擇高驅(qū)動引腳。 幾個引腳可以并聯(lián)。 PSWNFC 和 PSWBAT 是電源開關(guān)。 當(dāng)存在 RF 場時，PSWNFC 將電源連接到 VDD_ALON 電源網(wǎng)絡(luò)。 當(dāng)在 RESETN 上檢測到正沿時，PSWBAT 連接電池供電。 如果沒有可用的射頻功率，PMU 可以打開這個 PSWBAT 開關(guān)，從而有效地關(guān)閉設(shè)備。 將 VDDBAT 連接到電源后，PSWBAT 開關(guān)打開，直到在 RESETN 或 RF 電源上檢測到上升沿為止。 NHS3100 的每個組件都位于多個內(nèi)部電源域之一中。 這些域是 VBAT、VNFC、VDD_ALON、VDD1V2 和 VDD1V6。 根據(jù) NHS3100 的模式，域 VDD_ALON、VDD1V2 和 VDD1V6 要么通電，要么不通電。VDD_ALON 域包含掉電檢測 (BOD)。 啟用此功能后，如果 VDD_ALON 電壓低于 1.8 V，它會引發(fā) BOD 中斷。 PMU 控制活動、睡眠、深度睡眠和深度掉電模式以及流向不同內(nèi)部組件的電源。PMU 有兩個 LDO，為內(nèi)部 VDD1V2 和 VDD1V6 電壓域供電。 LDO1V2 可將 1.72 V 至 3.6 V 至 1.22 V 范圍內(nèi)的電壓轉(zhuǎn)換為 1.72 V 至 3.6 V 至 1.6 V 范圍內(nèi)的電壓。每個 LDO 可單獨啟用。 當(dāng)通過 VNFC 供電時，LDO 的輸入端包含一個 1.2 nF 緩沖電容器。

當(dāng) PSWBAT 開關(guān)閉合或 NFC 電源可用時使用電池供電，為常開部件提供上電復(fù)位 (POR) 信號。 啟動 TFRO 以啟動 PMU 中的狀態(tài)機。 在第一種狀態(tài)下，啟動為數(shù)字域供電的 LDO1V2。 在第二種狀態(tài)下，LDO1V6 開始為模擬域供電，從而啟動閃存。

啟用 LDO1V2 和 SFRO 穩(wěn)定會觸發(fā) system_por。 該系統(tǒng)現(xiàn)在被視為“開啟”。 當(dāng)閃存完全運行時，系統(tǒng)可以啟動。

以上就是小編這次想要和大家分享的有關(guān)恩智浦NHS3100 IC的內(nèi)容，希望大家對本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。