Microchip推出用于衛(wèi)星通信終端的高線性度Ka波段單片微波集成電路(MMIC)，進(jìn)一步豐富氮化鎵(GaN)射頻產(chǎn)品組合

衛(wèi)星通信系統(tǒng)使用復(fù)雜的調(diào)制方案，以實(shí)現(xiàn)極快的數(shù)據(jù)速率用于傳遞視頻和寬帶數(shù)據(jù)。因此，它們必須具備高射頻輸出功率，同時(shí)確保信號(hào)保持其理想的特征。Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)今日宣布推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器，以滿足上述要求。

這款新器件是Microchip的首款GaN MMIC(氮化鎵單片微波集成電路)，專為商業(yè)和國(guó)防衛(wèi)星通信、5G網(wǎng)絡(luò)以及其他航空航天和國(guó)防系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。

GMICP2731-10采用碳化硅基氮化鎵技術(shù)制造。它可在27.5至31 GHz之間的3.5 GHz帶寬上提供高達(dá)10W的飽和射頻輸出功率。GMICP2731-10的功率在此基礎(chǔ)上可再提高20%;小信號(hào)增益為22 dB;回波損耗為15 dB。此外，新器件具有平衡結(jié)構(gòu)，可以很好地匹配50歐姆電阻，并在輸出端集成直流阻斷電容，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)集成。

Microchip分立式產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Leon Gross表示：“隨著通信系統(tǒng)采用128-QAM等復(fù)雜的調(diào)制方案，以及固態(tài)功率放大器(SSPA)功率不斷上升，射頻功率放大器設(shè)計(jì)人員面臨著困難的挑戰(zhàn)，即在尋找更高的功率解決方案的同時(shí)降低重量和功耗。與GaAs同類產(chǎn)品相比，高功率SSPA中使用的GaN MMIC可以降低30%以上的功耗和重量，這對(duì)衛(wèi)星OEM來(lái)說是一個(gè)巨大的優(yōu)勢(shì)。新產(chǎn)品體現(xiàn)了氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，滿足了原始設(shè)備制造商對(duì)尺寸、重量、功耗和成本的要求?！?

GMICP2731-10進(jìn)一步擴(kuò)大了Microchip現(xiàn)有的產(chǎn)品陣容，包括砷化鎵MMIC射頻功率放大器、開關(guān)、低噪聲放大器和Wi-Fi®前端模塊，以及用于雷達(dá)系統(tǒng)的硅基氮化鎵高電子移動(dòng)性晶體管(HEMT)驅(qū)動(dòng)器和最終放大器晶體管。