推薦的準(zhǔn)沒(méi)錯(cuò)，柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品送給大家!!

在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)TI DRV8353M 系列柵極驅(qū)動(dòng)器的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果這款產(chǎn)品是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

DRV8353M 系列器件是用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的集成 100V 柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件通過(guò)集成三個(gè)獨(dú)立的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器、電荷泵和用于高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器電源電壓的線性穩(wěn)壓器、可選的三路分流放大器和可選的 350mA 來(lái)減少系統(tǒng)組件數(shù)量、成本和復(fù)雜性降壓調(diào)節(jié)器。標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口 (SPI) 提供了一種通過(guò)外部控制器配置各種設(shè)備設(shè)置和讀取故障診斷信息的簡(jiǎn)單方法?；蛘?，硬件接口 (H/W) 選項(xiàng)允許通過(guò)固定的外部電阻器配置最常用的設(shè)置。柵極驅(qū)動(dòng)器支持外部 N 溝道高側(cè)和低側(cè)功率 。MOSFET，并且可以以 25mA 的平均輸出電流驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1A 的拉電流、2A 的吸收峰值電流。高端柵極驅(qū)動(dòng)電源電壓使用倍增電荷泵架構(gòu)生成，該架構(gòu)將 VCP 輸出調(diào)節(jié)至 VVDRAIN + 10.5V。低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電源電壓使用來(lái)自 VM 電源的線性穩(wěn)壓器生成，該穩(wěn)壓器將 VGLS 輸出調(diào)節(jié)至 14.5V。 VGLS 電源在 GLx 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器上進(jìn)一步調(diào)節(jié)至 11V。

輸出。智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)能夠動(dòng)態(tài)調(diào)整輸出柵極驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度，從而允許柵極驅(qū)動(dòng)器控制功率 MOSFET VDS 開(kāi)關(guān)速度。這允許移除外部柵極驅(qū)動(dòng)電阻器和二極管，從而減少 BOM 組件數(shù)量、成本和 PCB 面積。該架構(gòu)還使用內(nèi)部狀態(tài)機(jī)來(lái)防止柵極驅(qū)動(dòng)短路事件、控制半橋死區(qū)時(shí)間并防止外部功率 MOSFET 的 dV/dt 寄生導(dǎo)通。柵極驅(qū)動(dòng)器可以在單電源或雙電源架構(gòu)中運(yùn)行。在單電源架構(gòu)中，VM 可以連接到 VDRAIN 并在內(nèi)部調(diào)節(jié)到正確的電源電壓。在雙電源架構(gòu)中，VM 可以連接到來(lái)自更高效開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的較低電壓電源，以提高設(shè)備效率。 VDRAIN 保持連接到外部 MOSFET，以設(shè)置正確的電荷泵和過(guò)流監(jiān)視器參考。

DRV8353 器件集成了三個(gè)雙向分流放大器，用于使用低側(cè)分流電阻器監(jiān)控通過(guò)每個(gè)外部半橋的電流水平。并聯(lián)放大器的增益設(shè)置可以通過(guò) SPI 或硬件接口進(jìn)行調(diào)整，SPI 提供額外的靈活性來(lái)調(diào)整。

輸出偏置點(diǎn)。除了高度的器件集成之外，DRV8353M 系列器件還提供廣泛的集成保護(hù)功能。這些功能包括電源欠壓鎖定 (UVLO)、柵極驅(qū)動(dòng)欠壓鎖定 (GDUV)、VDS 過(guò)流監(jiān)控 (OCP)、柵極驅(qū)動(dòng)器短路檢測(cè) (GDF) 和過(guò)熱關(guān)斷 (OTW/OTSD)。故障事件由 nFAULT 引腳指示，并在 SPI 設(shè)備版本的 SPI 寄存器中提供詳細(xì)信息。

DRV8353M 系列器件采用 0.5 毫米引腳間距、QFN 表面貼裝封裝。 40 引腳封裝的 QFN 尺寸為 6 × 6 mm。

DRV8353M 系列器件采用智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)，允許用戶動(dòng)態(tài)調(diào)整柵極驅(qū)動(dòng)電流，而無(wú)需外部柵極限流電阻器。 此外，該架構(gòu)為外部 MOSFET 提供了多種保護(hù)功能，包括自動(dòng)死區(qū)時(shí)間插入、寄生 dV/dt 柵極導(dǎo)通預(yù)防和柵極故障檢測(cè)。

DRV8353M 系列器件提供四種不同的 PWM 控制模式，以支持各種換向和控制方法。 TI不建議在功率 MOSFET 運(yùn)行期間更改 MODE 引腳或 PWM_MODE 寄存器。 在進(jìn)行 MODE 或 PWM_MODE 更改之前，將所有 INHx 和 INLx 引腳設(shè)置為邏輯低電平。

DRV8353M 系列器件支持兩種不同的接口模式(SPI 和硬件)，以允許最終應(yīng)用設(shè)計(jì)靈活或簡(jiǎn)單。 兩種接口模式共享相同的四個(gè)引腳，允許不同版本的引腳兼容。 這允許應(yīng)用程序設(shè)計(jì)人員使用一個(gè)接口版本進(jìn)行評(píng)估，并有可能在對(duì)其設(shè)計(jì)進(jìn)行最少修改的情況下切換到另一個(gè)。

硬件接口設(shè)備將四個(gè) SPI 引腳轉(zhuǎn)換為四個(gè)電阻可配置輸入，GAIN、IDRIVE、MODE 和 VDS。 這允許應(yīng)用程序設(shè)計(jì)人員通過(guò)將引腳邏輯連接為高電平或邏輯低電平，或使用簡(jiǎn)單的上拉或下拉電阻來(lái)配置最常用的設(shè)備設(shè)置。 這消除了外部控制器對(duì) SPI 總線的要求。 仍然可以通過(guò) nFAULT 引腳獲得一般故障信息。

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