美光推出全球首款 176 層 NAND 移動(dòng)解決方案，助力 5G 超快體驗(yàn)

2021 年 7 月 30 日，中國(guó)上海 —— 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.今日宣布，公司已開始批量出貨全球首款基于 176 層 NAND 技術(shù)的通用閃存 UFS 3.1 移動(dòng)解決方案。該產(chǎn)品為高端旗艦手機(jī)量身打造，與前代產(chǎn)品相比可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 75% 的順序?qū)懭牒碗S機(jī)讀取性能提升[1]，從而解鎖 5G 潛力 — 只需 9.6 秒即可下載一部 2 小時(shí)的 4K 電影[2]。

美光 176 層 NAND 的緊湊尺寸，完美契合移動(dòng)設(shè)備的大容量和小體積需求。此前，美光于 6 月宣布已出貨搭載 176 層 NAND 的 PCIe 4.0 固態(tài)硬盤，為專業(yè)工作站和超薄筆記本提供高性能、低功耗的靈活設(shè)計(jì)選擇。如今，美光將開創(chuàng)業(yè)界先河的前沿 NAND 技術(shù)和性能成功應(yīng)用于智能手機(jī)，帶來(lái)更快的手機(jī)響應(yīng)體驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)應(yīng)用程序之間真正的多任務(wù)處理。

美光移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理 Raj Talluri 表示：“5G 通信技術(shù)能將移動(dòng)設(shè)備的傳輸速率提升至數(shù)個(gè) Gb 的級(jí)別，但這種超快移動(dòng)體驗(yàn)必須具備高性能硬件基礎(chǔ)。美光的 176 層 NAND 實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破，為智能手機(jī)提供無(wú)與倫比的性能，使消費(fèi)者能輕松快捷地在移動(dòng)端體驗(yàn)豐富的多媒體內(nèi)容。”

美光 176 層 UFS 3.1 解決方案的混合工作負(fù)載性能相比上一代產(chǎn)品提升了 15%，使手機(jī)啟動(dòng)和切換應(yīng)用的速度更快，從而打造更為流暢的移動(dòng)體驗(yàn)。美光將 176 層 NAND 技術(shù)應(yīng)用于 UFS 3.1，克服了存儲(chǔ)瓶頸，使手機(jī)用戶盡享 5G 高速通信。

榮耀終端有限公司產(chǎn)品線總裁方飛表示：“榮耀全能旗艦 Magic3 系列將率先搭載美光推出的業(yè)界首款 176 層 NAND 技術(shù) UFS 3.1。該款高性能 3D NAND 解決方案將為榮耀手機(jī)用戶在同時(shí)多應(yīng)用使用，以及高速下載、存儲(chǔ)等場(chǎng)景帶來(lái)快捷流暢的使用體驗(yàn)。”

美光 176 層移動(dòng)解決方案具有以下優(yōu)勢(shì)：

更強(qiáng)的性能：美光 176 層 UFS 3.1 解決方案相比上一代產(chǎn)品的順序?qū)懭胨俣忍嵘?75%，隨機(jī)讀取速度提升 70%，大幅提升應(yīng)用性能。

更快的下載速度：高達(dá) 1,500 MB/秒的順序?qū)懭胨俣纫馕吨螺d一部 10 分鐘的 4K (2,160 像素分辨率) 網(wǎng)絡(luò)視頻只需 0.7 秒[3]，而下載一部 2 小時(shí)的 4K 電影只需 9.6 秒。

更流暢的移動(dòng)體驗(yàn)：與上一代產(chǎn)品相比，美光 176 層 UFS 3.1 解決方案的優(yōu)秀性能將響應(yīng)延遲縮短約 10%，確保了更可靠的移動(dòng)體驗(yàn)。

更持久的設(shè)備壽命：美光 176 層移動(dòng)解決方案可寫入的總字節(jié)數(shù)比上一代產(chǎn)品高出一倍[4], 這意味著可存儲(chǔ)之前兩倍的總數(shù)據(jù)量，而不會(huì)損害設(shè)備的可靠性。即使是重度手機(jī)用戶，也會(huì)發(fā)現(xiàn)智能手機(jī)的使用壽命大幅提升。

美光 176 層 UFS 3.1 移動(dòng)解決方案供貨

基于美光 176 層分立式 NAND 的 UFS 3.1 移動(dòng)解決方案現(xiàn)已公開出貨，提供 128GB、256GB 和 512GB 三種容量。

[1] 所有數(shù)據(jù)均基于與美光上一代 96 層 UFS 3.1 存儲(chǔ)設(shè)備對(duì)比

[2] 假設(shè)每部電影的文件大小為 14GB

[3] 假設(shè)視頻文件大小為 1GB

[4] 數(shù)據(jù)基于美光上一代浮動(dòng)?xùn)艠O 96 層 NAND 的 UFS 3.1 對(duì)比禁用了 WriteBooster 寫入加速的 176 層 NAND 產(chǎn)品