適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)將SOA增加了166%，并將PCB占用空間減小80%

奈梅亨，2021年8月4日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強(qiáng)了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動應(yīng)用以及需要e-fuse和電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備。

ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定應(yīng)用場景。通過專注于對某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，有時(shí)需要犧牲相同設(shè)計(jì)中其他較不重要的參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET將Nexperia的最新硅技術(shù)與銅夾片封裝結(jié)構(gòu)相結(jié)合，顯著增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)并最大限度縮小PCB面積。

以前，MOSFET深受Spirito效應(yīng)的影響，導(dǎo)致SOA性能因在較高電壓下的熱不穩(wěn)定性而迅速下降。Nexperia堅(jiān)固耐用的增強(qiáng)型SOA技術(shù)消除了“Spirito-knee”，與前幾代D2PAK相比，在50 V時(shí)SOA增加了166%。

另一項(xiàng)重要改進(jìn)是數(shù)據(jù)手冊中添加了125 °C SOA特性。Nexperia國際產(chǎn)品高級營銷經(jīng)理Mike Becker表示：“以前只在25 °C時(shí)指定SOA，這意味著在高溫環(huán)境中的操作，設(shè)計(jì)師必須進(jìn)行降額。我們的新款熱插拔ASFET包括125 °C SOA規(guī)范，消除了該耗時(shí)的任務(wù)，并證實(shí)了Nexperia的器件即使在高溫下也具有出色的性能。”

全新PSMN4R2-80YSE(80 V，4.2 m)和PSMN4R8-100YSE(100 V，4.8 m)熱插拔ASFET采用兼容Power-SO8的LFPAK56E封裝。該封裝獨(dú)特的內(nèi)部銅夾片結(jié)構(gòu)提高了熱性能與電氣性能，同時(shí)大大減小了管腳尺寸。 全新的LFPAK56E產(chǎn)品尺寸僅為5 mm x 6 mm x 1.1 mm，與上一代D2PAK相比，PCB管腳尺寸和器件高度分別縮小80%和75%。此外，器件的最大結(jié)溫為175 °C，符合IPC9592對電信和工業(yè)應(yīng)用的規(guī)定。

Becker補(bǔ)充道：“另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是在需要多個(gè)熱插拔MOSFET并聯(lián)使用的高功率應(yīng)用中，使均流能力得到改善，從而提高了可靠性并降低了系統(tǒng)成本， Nexperia被廣泛認(rèn)為是熱插拔MOSFET市場領(lǐng)導(dǎo)者。憑借這些最新的ASFET，我們再一次提高了標(biāo)準(zhǔn)。”

新款熱插拔ASFET是最新器件，將在Nexperia位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)廠制造，已準(zhǔn)備好批量生產(chǎn)。

9月21日至23日，您還可以通過Nexperia的Power Live活動查看該新技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用