極端溫度半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)電商，提供車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET器件、IGBT功率模塊等產(chǎn)品

7月，來自比利時(shí)的高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID正式與世強(qiáng)硬創(chuàng)電商簽署授權(quán)代理協(xié)議，授權(quán)其代理旗下智能功率模塊IPM、集成電路、分立器件等產(chǎn)品。CISSOID致力于為極端溫度和惡劣環(huán)境下的電源管理、電源轉(zhuǎn)換和信號(hào)調(diào)節(jié)提供標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和定制解決方案，旗下產(chǎn)品均可穩(wěn)定工作在-55°C至+175°C，部分產(chǎn)品可達(dá)+225°C。

面向汽車市場(chǎng)，CISSOID提供高效功率轉(zhuǎn)換和緊湊型電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供解決方案：用于 SiC 和 GaN 晶體管的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器、具有低電感和增強(qiáng)熱性能的功率模塊，超AEC-Q100-0級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的汽車級(jí)組件等。另外，面向航空和其他特殊工業(yè)應(yīng)用，CISSOID最新推出一款基于輕質(zhì)AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相SiC MOSFET智能功率模塊(IPM)。該模塊的額定阻斷電壓為1200V，最大連續(xù)電流為340A;導(dǎo)通電阻僅有3.25mΩ，而開關(guān)損耗僅為分別為8.42mJ和7.05mJ(在600V 300A 條件下)。該功率模塊的額定結(jié)溫為175°C，而柵極驅(qū)動(dòng)器的額定環(huán)境溫度為125°C，通過AlSiC扁平底板冷卻，熱阻較低、耐熱性強(qiáng)。CISSOID已在世強(qiáng)硬創(chuàng)電商平臺(tái)同步更新其最新產(chǎn)品與技術(shù)資料，前往官網(wǎng)，即可直接搜索獲取相關(guān)信息。