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[導讀]通常功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中定義了基于硅片結(jié)溫和封裝限制的額定連續(xù)漏極電流ID值,理論上基于接合線的熔化理論來計算接合線的電流限制值。功率MOSFET源極管腳的銅皮(內(nèi)部框架)可以有助于硅片的散熱,大多數(shù)情況下,功率MOSFET晶元的表面、線的接合處具有最高的電流密度,因此功率...


通常功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中定義了基于硅片結(jié)溫和封裝限制的額定連續(xù)漏極電流ID值,理論上基于接合線的熔化理論來計算接合線的電流限制值。功率MOSFET源極管腳的銅皮(內(nèi)部框架)可以有助于硅片的散熱,大多數(shù)情況下,功率MOSFET晶元的表面、線的接合處具有最高的電流密度,因此功率MOSFET晶元的表面也是溫度最高的熱點。


功率MOSFET的塑料殼可以傳導熱量,從而顯著的降低導線的溫升。在自由空氣中,熔化的溫度限制了接合線導線的電流,如果溫度大于220oC,通常使用的外殼的塑料才會分解,因此溫度的限制也約束了允許的電流。


功率MOSFET連續(xù)漏極電流額定值接合線限制,以及功率MOSFET連續(xù)漏極電流額定值ID、脈沖電流額定值IDM,參考以前發(fā)表的文章。


看一下有趣的視頻吧,在自由空氣中,直徑為8mil的鋁材料的導線,10厘米長,猜猜電流是多少,鋁導線開始熔化?




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