功率MOSFET鋁接合線的連續(xù)電流實驗

時間：2021-08-19 15:23:48

關鍵字：電流功率MOSFET

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[導讀]通常功率MOSFET的數(shù)據表中定義了基于硅片結溫和封裝限制的額定連續(xù)漏極電流ID值，理論上基于接合線的熔化理論來計算接合線的電流限制值。功率MOSFET源極管腳的銅皮（內部框架）可以有助于硅片的散熱，大多數(shù)情況下，功率MOSFET晶元的表面、線的接合處具有最高的電流密度，因此功率...

通常功率MOSFET的數(shù)據表中定義了基于硅片結溫和封裝限制的額定連續(xù)漏極電流ID值，理論上基于接合線的熔化理論來計算接合線的電流限制值。功率MOSFET源極管腳的銅皮（內部框架）可以有助于硅片的散熱，大多數(shù)情況下，功率MOSFET晶元的表面、線的接合處具有最高的電流密度，因此功率MOSFET晶元的表面也是溫度最高的熱點。

功率MOSFET的塑料殼可以傳導熱量，從而顯著的降低導線的溫升。在自由空氣中，熔化的溫度限制了接合線導線的電流，如果溫度大于220oC，通常使用的外殼的塑料才會分解，因此溫度的限制也約束了允許的電流。

功率MOSFET連續(xù)漏極電流額定值接合線限制，以及功率MOSFET連續(xù)漏極電流額定值ID、脈沖電流額定值IDM，參考以前發(fā)表的文章。

看一下有趣的視頻吧，在自由空氣中，直徑為8mil的鋁材料的導線，10厘米長，猜猜電流是多少，鋁導線開始熔化？

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