[導讀]點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！在上個世紀六七十年代，單極型和雙極型器件皆無法同時滿足通態(tài)電阻與電路功耗的要求，而隨后問世的IGBT，憑借其驅動功率小、導通壓降低和控制電路簡單的特點有效地解決了這一難題。本期的芝識課堂，我們就為大家來詳細地介紹一下IGBT。IGBT>>>IG...
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在上個世紀六七十年代，單極型和雙極型器件皆無法同時滿足通態(tài)電阻與電路功耗的要求，而隨后問世的IGBT，憑借其驅動功率小、導通壓降低和控制電路簡單的特點有效地解決了這一難題。本期的芝識課堂，我們就為大家來詳細地介紹一下IGBT。
IGBT>>>IGBT即絕緣柵雙極晶體管，是由BJT和MOS組成的復合全控型電壓驅動功率半導體器件。它將前級的電壓驅動MOSFET和后級的允許大電流流過的晶體管相結合，是一種適合于大電流控制的器件。
IGBT的內部等效電路圖IGBT工作原理
如下圖所示，圖示中的上半部分為一個典型的MOSFET結構，作為輸入極，下半部分是PNP型晶體管結構，作為輸出極。當在IGBT柵極施加正電壓時，將在柵極下面的P層中形成反轉層，則MOSFET導通。當它導通后可以為下半部分的PNP晶體管提供基極電流使其呈導通狀態(tài)。若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管關斷。
IGBT工作原理圖IEGT
在高壓電路中，IGBT由于發(fā)射極側漂移層（N型層）的載流子濃度較低，所以難以獲得低VCE(sat)特性。注入增強柵晶體管（IEGT）的開發(fā)利用則彌補了這一問題。IEGT也是東芝專屬的器件名稱和專利產品。
IEGT具有和IGBT相似的結構、輸出特性和驅動特性。它有一個溝槽柵結構。與IGBT相比，IEGT的柵極更深，增加了柵極至發(fā)射極的電阻從而阻止了載流子通過發(fā)射極側，使得發(fā)射極側的載流子濃度升高，高的載流子密度降低了漂移層的電阻，使VCE(sat)降低。
IEGT的結構和載流子密度IGBT的應用
IGBT適用于驅動電路簡單、電流大的應用，目前以50kHz以下的軟開關IH（感應加熱）設備、家用電器、車輛和各種交流驅動應用為主。未來，它有望擴展到更多的交流驅動中。
IGBT的應用范圍總結
至此，晶體管這一章節(jié)的內容就為大家介紹完畢了，簡單地課堂總結一下：
· BJT：輸入阻抗低、反向電容大、安全工作區(qū)域小· MOSFET：開關速度快、導通壓降大、安全工作區(qū)域大· IGBT：驅動功率小、飽和壓降低、開關速率和安全區(qū)域介于BJT和MOSFET之間
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