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[導(dǎo)讀]為升壓調(diào)節(jié)器選擇IC的過程與降壓調(diào)節(jié)器不同,主要區(qū)別在于所需輸出電流與調(diào)節(jié)器IC數(shù)據(jù)手冊規(guī)格之間的關(guān)系。在降壓拓撲中,平均電感電流基本上與負載電流相同。而升壓拓撲的情形則不一樣,它需要基于開關(guān)電流進行計算。本文介紹了升壓調(diào)節(jié)器IC(帶內(nèi)部MOSFET)或控制器IC(帶外部MOSF...


為升壓調(diào)節(jié)器選擇IC的過程與降壓調(diào)節(jié)器不同,主要區(qū)別在于所需輸出電流與調(diào)節(jié)器IC數(shù)據(jù)手冊規(guī)格之間的關(guān)系。在降壓拓撲中,平均電感電流基本上與負載電流相同。而升壓拓撲的情形則不一樣,它需要基于開關(guān)電流進行計算。本文介紹了升壓調(diào)節(jié)器IC(帶內(nèi)部MOSFET)或控制器IC(帶外部MOSFET)的選擇標(biāo)準(zhǔn),以及如何使用LTspice?選擇合適的外圍組件以構(gòu)建完整的升壓功率級。



開關(guān)電流為何重要輸入電壓和輸出電壓是多少?這是選擇降壓或升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器時要問的第一個問題。第二個問題是,滿足預(yù)期負載所需的輸出電流是多少?雖然降壓和升壓的輸入和輸出問題相同,但二者選擇合適IC以滿足輸入和輸出要求的過程大不相同。


如果將降壓IC產(chǎn)品選型表與升壓IC產(chǎn)品選型表進行比較,可以明顯看到表明升壓選擇過程與降壓選擇過程不同的第一個提示。圖1所示為一些內(nèi)部電源開關(guān)降壓產(chǎn)品的選型表??梢钥闯?,輸出電流是主要選型參數(shù)之一。


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圖1. 將輸出電流顯示為選型參數(shù)的內(nèi)部電源開關(guān)降壓產(chǎn)品選型表。


我們來比較一下圖1(內(nèi)部電源開關(guān)降壓產(chǎn)品選型表)與圖2(內(nèi)部電源開關(guān)升壓產(chǎn)品選型表)。在升壓選型表中,輸出電流甚至沒有顯示為選型參數(shù),而是為開關(guān)電流所取代。


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圖2. 開關(guān)電流代替輸出電流在升壓轉(zhuǎn)換器IC的產(chǎn)品選型表中顯示為參數(shù)。


升壓遵循不同規(guī)則的另一個提示是,升壓的數(shù)據(jù)手冊標(biāo)題中有一個精巧但很重要的電流聲明。例如,圖3所示為 LTC3621 單片降壓調(diào)節(jié)器的數(shù)據(jù)手冊首頁,其中明確注明了17 V最大VIN和1 A連續(xù)負載能力。

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圖3. LTC3621降壓調(diào)節(jié)器數(shù)據(jù)手冊首頁顯示最大典型工作電壓和電流。


相比之下, LT8330?單片升壓調(diào)節(jié)器數(shù)據(jù)手冊的標(biāo)題則標(biāo)明了開關(guān)(內(nèi)部功率MOSFET)的最大電壓(60 V)和電流(1 A),而不是負載電流和輸入電壓的典型最大值。


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圖4. LT8330升壓調(diào)節(jié)器IC數(shù)據(jù)手冊首頁顯示最大電源開關(guān)能力。


為什么有這樣的差別?在降壓調(diào)節(jié)器中,平均電感電流約等于輸出(負載)電流,而在升壓拓撲中,并不是這樣。我們來對比升壓拓撲和降壓拓撲,了解其中的原因。


圖5所示為異步升壓拓撲的簡化原理圖,圖6所示為異步降壓拓撲的簡化原理圖。二者的D模塊都是驅(qū)動功率MOSFET的PWM信號,開關(guān)周期的占空比由輸入和輸出電壓比決定。在本文中,為簡單起見,我使用的是無損連續(xù)傳導(dǎo)模式(CCM)等式,因為其結(jié)果足夠接近。


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圖5. 異步升壓。

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圖6. 異步降壓調(diào)節(jié)器簡化原理圖。


通過使用LTspice,我們可以清楚看到這兩種不同拓撲的輸入和輸出電流之間的差異。圖7顯示了降壓調(diào)節(jié)器的基本開環(huán)設(shè)計,用于將12 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為3.3 V輸出電壓,為電阻負載R1提供1 A (3.3 W)電流。PWM D模塊通過V2浮動電源實現(xiàn),因為我們需要VGATE > VSOURCE為N溝道MOSFET M1建立傳導(dǎo)。V2用作PULSE電壓源以實現(xiàn)0 V至5 V脈沖,該脈沖從仿真的時間0開始,在5 ns內(nèi)從0 V轉(zhuǎn)換為5 V,再在5 ns內(nèi)返回,TON為550 ns,而TP(完整開關(guān)周期)等于2 μs。

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圖7. 在1 A條件下從12 V轉(zhuǎn)換為3.3 V的降壓調(diào)節(jié)器開環(huán)拓撲——約3 W設(shè)計。


運行圖7中電路的仿真后,可以用探針探測L1和R1的電流。L1中的電流在充電和放電時呈三角形,這是因為M1根據(jù)TON(M1接通的時間)的時序和TOFF(M1斷開的時間)的時序開關(guān)。


L1電流以500 kHz開關(guān)頻率進行開關(guān)??梢钥吹?,電感電流為交流 直流波形。它從最小值0.866 A(TOFF結(jié)束時)轉(zhuǎn)換為最大值1.144 A(TON結(jié)束時)。當(dāng)交流信號尋找阻抗最小的路徑時,電流的交流部分流過輸出電容C2的ESR。這個交流電以及C2的充電和放電會導(dǎo)致產(chǎn)生輸出電壓紋波,而直流電則流過R2。


通過比較電感電流在負載電流之上和之下形成的三角形狀,可以看到它們是相等的,簡單的代數(shù)計算顯示:


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平均電感電流等于負載電流。


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圖8. 降壓拓撲——電感電流和負載電流仿真示例。


搜索降壓調(diào)節(jié)器IC時,可以假設(shè)數(shù)據(jù)手冊顯示的是最大允許輸出電流,因為 IIN ≈ IOUT,但升壓拓撲的情形并非如此。


我們來看看圖9,圖中所示為0.275 A或約3.3 W時3.3 V至12 V輸出的開環(huán)升壓設(shè)計。此時,平均電感電流是多少?


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圖9. 升壓拓撲:3.3 V至12 V,約3.3 W。


在圖10中,輸出電流是291 mA, I(R2)的直流軌跡——接近計算值。盡管仿真的負載電流為291 mA,仿真顯示電感電流的平均值為945 mA,峰值超過1 A。這是輸出電流的3.6倍多。在TON期間(M2接通的時間,且L2上有V3電壓),電感從最小值充電到最大值。在TON期間,D2斷開,負載電流由輸出電容提供。


如何使用LTspice選擇外圍組件?這篇文章告訴你~? 圖10. 0.275 A時3.3 V至12 V的開環(huán)升壓的LTspice仿真結(jié)果。


在TON期間,電感與MOSFET串聯(lián),因此流過輸入電感的任何電流都會流過開關(guān)。正因為如此,數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了可流過開關(guān)的最大電流ISW。為新設(shè)計選擇升壓IC時,應(yīng)該了解通過開關(guān)的最大預(yù)期電流。


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圖11. TON期間的原理圖:M2接通,V3與L2并聯(lián),D2斷開。


例如,為以下應(yīng)用選擇升壓調(diào)節(jié)器:

  • VIN = 12 V

  • VOUT = 48 V

  • IOUT = 0.15 A


為選擇正確的升壓調(diào)節(jié)器,需要找到平均輸入電流,這是在TON期間流過電感和MOSFET的電流。要找到此電流,可根據(jù)輸出功率和效率從輸出反向推導(dǎo)到輸入:


  • POUT = VOUT × IOUT = 48 V × 0.15 A = 7.2 W

  • 假設(shè)效率為0.85(如果有輸入和輸出參數(shù)與期望設(shè)計相似的效率曲線,則使用數(shù)據(jù)手冊中的值)。

  • PIN = POUT/效率 = 7.2 W/0.85 = 8.47 W

  • IIN_AV = 平均輸入電流。這是在導(dǎo)通時間內(nèi)在電感和開關(guān)中流動的平均電流,通過PIN/VIN = 8.47 W/12 V = 0.7 A計算得出。

  • 同樣,IIN是平均電感電流,最大峰值電流將比IIN高1.15至1.20,從而提供30%至40%的紋波電流。因此,IPEAK = IIN × 1.2 = 0.7 A × 1.2 = 0.847 A。


VSW,晶體管最大允許電壓和占空比限制數(shù)據(jù)手冊中通常會規(guī)定IC的VIN范圍——建議范圍和絕對最大值。在數(shù)據(jù)手冊中,帶有內(nèi)部電源開關(guān)的升壓調(diào)節(jié)器可能產(chǎn)生的最高輸出電壓表示為其最大VSW額定值。如果您使用以外部MOSFET作為電源開關(guān)的升壓控制器,MOSFET數(shù)據(jù)手冊規(guī)定的VDS額定值就是限制最大輸出電壓的值。


例如,LT8330升壓調(diào)節(jié)器的輸入電壓范圍為3 V至40 V,絕對最大開關(guān)電壓為60 V,固定開關(guān)頻率為2 MHz。盡管60 V絕對最大開關(guān)電壓額定值使該部件能產(chǎn)生60 V升壓輸出,但最佳做法是保持低于此值至少2 V。

輸出電壓也受占空比的限制。最大和最小占空比或許可在數(shù)據(jù)手冊中找到,也可以計算得出。通過使用LT8330從12 V轉(zhuǎn)換為48 V,CCM忽略二極管壓降獲得高轉(zhuǎn)換比,可從輸入和輸出電壓計算出占空比:


  • D = (VO – VIN)/VO = (48 V – 12 V)/48 V = 0.75 或 75%

  • 檢查IC是否能在所需占空比下工作。

  • IC最小占空比計算公式如下:

  • DMIN = 最小 TON(MAX) × fSW(MAX)

  • IC最大占空比計算公式如下:

  • DMAX = 1 – (最小 TOFF(MAX) × fSW(MAX))


最小TON和最小TOFF可在數(shù)據(jù)手冊的電氣特性表中找到??墒褂迷摫碇?最小值"、"類型"和"最大值"欄中的最大值。使用LT8330的公布值和DMIN和DMAX等式,即可得出DMIN = 0.225,DMAX = 0.86。從結(jié)果可以看到,LT8330應(yīng)能夠從12 V轉(zhuǎn)換為48 V,因為設(shè)計要求占空比為0.75。


使用LTspice了解外設(shè)應(yīng)力圖12中所示的原理圖實現(xiàn)了之前介紹的設(shè)計概念,在支持150 mA負載的12 V輸入到48 V輸出轉(zhuǎn)換器中采用LT8330。


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圖12. 12 V至48 V轉(zhuǎn)換器中用于150 mA負載電流的LT8330。


從LTspice仿真,我們可以繪制并測量多種參數(shù)。可幫助您選擇IC的參數(shù),如圖13所示。

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圖13. LTspice中圖形查看器上的開關(guān)節(jié)點圖


VSW 和占空比運行仿真后,您可以將SW節(jié)點行為視為一個波形,了解開關(guān)期間電源開關(guān)上存在什么電壓。為此,請將鼠標(biāo)懸停在SW節(jié)點上,使十字光標(biāo)變成一個紅色電壓探針。點擊即可在波形查看器上繪制開關(guān)節(jié)點行為。所得圖形對應(yīng)于內(nèi)部功率MOSFET的漏極。


正如預(yù)期那樣,當(dāng)MOSFET接通時,電壓電勢接近地,但更重要的是,在TOFF期間,MOSFET斷開,漏極電壓受輸出電壓和二極管壓降的影響?,F(xiàn)在我們知道了MOSFET的VDS上的應(yīng)力是多少。如果我們選擇了使用外部MOSFET作為電源開關(guān)的控制器設(shè)計,則所選MOSFET的VDS額定值應(yīng)為60 V。


在LTspice波形查看器中,可使用光標(biāo)進行水平和垂直測量,類似于示波器上的光標(biāo)。要調(diào)用光標(biāo),請點擊LTspice波形查看器中的V(sw)標(biāo)簽。這會將第一個光標(biāo)附加到軌跡上,再次點擊可將第二個光標(biāo)附加到同一軌跡上。或者,右擊此標(biāo)簽,然后選擇給定探測軌跡所需的光標(biāo)。使用這些光標(biāo)可測量TON,并通過TON除以周期計算得出占空比。


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圖14. 測量TON以確認估算的占空比。


TPERIOD = TON TOFF = 1/fSW。之前,我們計算此值為75%或0.75。使用LTspice,得出的值約為373 ns。LT8330使用2 MHz的固定開關(guān)頻率,因此TP = 1/2e6 = 500 ns,占空比為373 ns/500 ns = 0.746。

電感上的峰值電流和電壓


要為升壓應(yīng)用選擇電感,需要了解電感是否能處理所要應(yīng)對的電流和電壓——即峰值電感電流以及TON和TOFF電壓。這個也可以在LTspice中使用差分探針估算出。要對電感進行差分探測,請將鼠標(biāo)懸停在IN節(jié)點上,這時十字光標(biāo)將變成一個紅色探針。點擊并拖動鼠標(biāo)至SW節(jié)點。光標(biāo)顏色會變?yōu)楹谏MT诘诙€節(jié)點上時松開鼠標(biāo)。


在圖15中,在電感上對節(jié)點IN和SW之間的電壓進行差分探測。在TON期間,MOSFET接通,電感右側(cè)接地,而左側(cè)在VIN處,使得電感上的電壓在TON期間為12 V。在TOFF期間,MOSFET斷開,電感的右側(cè)置于48 V,而左側(cè)在TON期間在VIN處。由于差分探針從VIN中減去VSW,得到–36 V,但符號現(xiàn)在無關(guān)緊要。重要的是電感在12 V和36 V之間變化。

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圖15. 穩(wěn)定狀態(tài)下通過電感的電壓和電流。


在TON期間,電感上的電壓吸取正di/dt,即藍色I(L1)圖的斜率。此軌跡的最大點是IPEAK,計算得出0.847 A。通過使用LTspice,可以看到峰值電流約為866 mA。


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圖16. 測量電感峰值電流。


要正確選擇具有足夠額定電流(IR)和飽和電流(ISAT)的電感,一定要了解這個峰值電流。IR更多的是關(guān)于在規(guī)定電流下產(chǎn)生多少熱,而ISAT適用于調(diào)用短路保護的事件。如果使用帶內(nèi)部MOSFET的調(diào)節(jié)器,(ISAT > 調(diào)節(jié)器限流值),并且控制器與外部MOSFET配合使用,則在觸發(fā)限流值時,(ISAT > 峰值電感值)。


務(wù)必注意,此處所述升壓拓撲的電感或二極管沒有限流值。如果開關(guān)未使用,或者IC斷開,則輸入和輸出之間有直接路徑。有些IC提供額外保護功能,如關(guān)斷時輸出斷開、浪涌電流限制,以及解決此直接輸入到輸出連接問題的其他功能——例如,LTC3122 和 LTC3539。


為了提高效率,應(yīng)使用具有低DCR(直流電阻)和低磁芯損耗的電感。電感數(shù)據(jù)手冊中標(biāo)明了特定溫度下的DCR——它隨溫度上升,并具有容差。通過PINDUCTOR_LOSS = IIN_AV2 × DCR,可輕松計算出直流損耗,而交流損耗和磁芯損耗可在制造商的仿真或其他文檔中找到。LTspice可對功率求積分來計算出相關(guān)的功耗。為LTspice提供電感記錄的DCR和其他已知寄生參數(shù)可提高LTspice仿真精度。


通過二極管的電流和電壓圖17顯示了二極管VSW,OUT上的仿真差分電壓、二極管正向電流I(D1)和電感電流I(L1)。當(dāng)開關(guān)接通(TON期間)時,陽極接近地,陰極在輸出電壓處,因此二極管將反向偏置,暴露在其最大電壓(即VOUT)下。第一項標(biāo)準(zhǔn)是,選擇VRRM(最大峰值重復(fù)反向電壓)高于VOUT的二極管。

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圖17. 二極管電壓和電流以及電感中的電流。


電感的峰值電流在MOSFET關(guān)斷后、TOFF期間開始時流過二極管,因此二極管峰值電流與電感峰值電流相同。二極管數(shù)據(jù)手冊中包括一個稱為IFRM(重復(fù)峰值正向電流)的參數(shù),以時長和占空比指定。此參數(shù)通常比二極管能夠提供的平均電流要高。


仿真完成后,LTspice可對波形查看器中所有波形求積分來得出rms和平均值,并使用同樣的計算方式,計算二極管將處理的平均電流。首先,放大您想求積分的波形部分——通過縮放可有效設(shè)置積分邊界。在本例中,您可以縮放以涵蓋大量穩(wěn)定狀態(tài)周期(不是啟動或關(guān)斷)。要設(shè)置積分邊界,請拖動選擇一個穩(wěn)定狀態(tài)的時間段并將鼠標(biāo)懸停在圖形名稱上。例如,圖18中所示的積分結(jié)果涵蓋0.75 ms,或超過1000個周期。光標(biāo)會變成一個手形圖標(biāo)。按CTRL鍵并點擊以調(diào)用波形查看器的積分窗口。

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圖18. 對穩(wěn)定狀態(tài)下的二極管電流求積分可得到IF(AV)和I(RMS)值。


圖18中所示的積分對話框顯示通過二極管的平均電流為150 mA。此值應(yīng)小于最大平均正向電流IF(AV),該電流是二極管數(shù)據(jù)手冊中在特定溫度下規(guī)定的規(guī)格值。


二極管功耗二極管的功耗也可通過仿真計算。二極管數(shù)據(jù)手冊中指定了25°C下的總功耗PTOT(總功率)和結(jié)點至環(huán)境的熱阻RTH。在LTspice中,將光標(biāo)懸停在二極管上,波形查看器上便可顯示功耗。將光標(biāo)懸停在分立式組件或電壓源上時,光標(biāo)將變成電流探針。按ALT鍵可將光標(biāo)變?yōu)闇囟扔?,點擊可顯示二極管的仿真功耗。放大穩(wěn)態(tài)操作,使用與前面所述的求二極管電流積分相同的程序求波形的積分。二極管功率容量包含二極管上的電壓和流過的電流。

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圖19. 對二極管功耗求積分可得到平均功耗。


二極管的一些電容在其導(dǎo)通期間充電。當(dāng)二極管不再導(dǎo)通時,必須放掉累積的電荷。這種阻尼電荷移動會導(dǎo)致功率損耗,因此建議選擇低電容值。此電容值隨二極管的反向電壓而變化,二極管數(shù)據(jù)手冊中應(yīng)包括顯示此效應(yīng)的圖形。此內(nèi)部電容在二極管數(shù)據(jù)手冊中通常顯示為Cd,在LTspice數(shù)據(jù)庫中顯示為Cjo


使用低電容二極管放松了對最大反向恢復(fù)電流的要求,從而提高了效率。圖20顯示了關(guān)于恢復(fù)電流有關(guān)的內(nèi)容。反向恢復(fù)中固有的功耗留給讀者做練習(xí)。

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圖20. 二極管放電時產(chǎn)生反向恢復(fù)尖峰。該值越低,功耗越低。此電容隨電壓而變化。(a) 二極管反向恢復(fù)電流尖峰。(b) 放大二極管反向恢復(fù)電流尖峰。


結(jié)論選擇升壓IC時,應(yīng)從輸出開始。從所需的輸出電壓和負載電流反向推導(dǎo)以找到輸入功率,并將效率考慮在內(nèi)。由此,確定平均和峰值輸入電流值。在升壓轉(zhuǎn)換器中,電感中流動的平均電流高于負載電流,使得IC選擇過程與降壓轉(zhuǎn)換器不同。為升壓轉(zhuǎn)換器選擇合適的額定組件需要了解調(diào)節(jié)器峰值和平均電壓與電流,使用LTspice可確定它們的值。


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北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日舉辦的2024年長三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)聯(lián)合招商會上,軟通動力信息技術(shù)(集團)股份有限公司(以下簡稱"軟通動力")與長三角投資(上海)有限...

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