[導(dǎo)讀]??引言通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V\3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器時(shí),通常需要搭配外部的MOSFET驅(qū)動(dòng)器,我們稱之為“預(yù)驅(qū)”。在設(shè)計(jì)汽車風(fēng)機(jī)、水泵、油泵等電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器時(shí),使用車...
??引言通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V\3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器時(shí),通常需要搭配外部的MOSFET驅(qū)動(dòng)器,我們稱之為“預(yù)驅(qū)”。在設(shè)計(jì)汽車風(fēng)機(jī)、水泵、油泵等電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器時(shí),使用車規(guī)MCU 車規(guī)預(yù)驅(qū) 車規(guī)N溝道功率MOSFET,可以適配不同功率、各種通信方式和各種驅(qū)動(dòng)方式。??控制器中的功率MOS驅(qū)動(dòng)圖1 直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
如圖,三相直流無刷電機(jī)(包括BLDC和PMSM)功率級(jí)驅(qū)動(dòng)電路使用6個(gè)N溝道功率MOS構(gòu)成三相全橋,分為三個(gè)連接到電源正極(VBus)的高邊MOS和三個(gè)連接到電源負(fù)極的低邊MOS??刂破魍ㄟ^控制六個(gè)MOS的通斷,完成換相,使電機(jī)按照預(yù)期轉(zhuǎn)動(dòng)。電機(jī)在運(yùn)轉(zhuǎn)過程中可能會(huì)遇到堵轉(zhuǎn)而導(dǎo)致過流,因此MOS驅(qū)動(dòng)電路需要具有保護(hù)功能,以防止燒壞控制器或電機(jī)。
對(duì)于單個(gè)NMOS來說,在開通時(shí),需要提供瞬間大電流向MOS內(nèi)的寄生電容充電,柵源電壓(VGS)達(dá)到一定閾值后,MOS才能完全開通。在MOS開通后,還需要維持合適的柵源電壓(VGS),才可以保持開通狀態(tài)。
對(duì)于低邊MOS,其源極(S)接到電源負(fù)極,柵源電壓容易滿足,驅(qū)動(dòng)較簡(jiǎn)單。
對(duì)于高邊MOS,其源極(S)接到電機(jī)相線,其電壓是不確定的,如果需要開通,需要通過自舉電路提供柵極電壓,驅(qū)動(dòng)較復(fù)雜。?圖2 VGS與RDSON的關(guān)系
一般情況下,MOS的導(dǎo)通內(nèi)阻都如圖2所示,隨著VGS的增大而降低,但VGS大于10V之后,下降曲線變得平緩。為了達(dá)到最小的導(dǎo)通電阻(RDSON),VGS的取值通常為10~15V。
END
版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除。
▍
欲知詳情,請(qǐng)下載word文檔
下載文檔
掃描二維碼,關(guān)注更多精彩內(nèi)容
本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。