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科普：什么是導通電阻？

時間：2021-08-20 16:37:52
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[導讀]何謂導通電阻？MOSFET工作（啟動）時，漏極和源極間的阻值稱為導通電阻（RDS(ON)）。數(shù)值越小，工作時的損耗（功率損耗）越小。關于導通電阻的電氣特性晶體管的消耗功率用集電極飽和電壓（VCE(sat)）乘以集電極電流（IC）表示。（集電極損耗PC））＝（集電極飽和電壓VCE(...

科普：什么是導通電阻？


何謂導通電阻？

MOSFET工作（啟動）時，漏極和源極間的阻值稱為導通電阻 （RDS(ON)）。
數(shù)值越小，工作時的損耗（功率損耗）越小。


關于導通電阻的電氣特性

晶體管的消耗功率用集電極飽和電壓 （VCE(sat)） 乘以集電極電流（IC）表示。

  • （集電極損耗PC））＝（集電極飽和電壓VCE(sat)?）x（集電極電流IC）

  • MOSFET的消耗功率是用漏極源極間導通電阻 （RDS(ON)） 計算。
    MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的導通電阻乘以漏極電流（ID)的平方表示。

  • （功率PD）＝（導通電阻RDS(ON)?） x （漏極電流ID）2

  • 此功率將變成熱量散發(fā)出去。
    MOSFET的導通電阻一般在Ω極以下，與一般的晶體管相比，消耗功率小。即發(fā)熱小，散熱對策簡單。


    科普：什么是導通電阻？


    如左上圖所示，柵極源極間電壓越高，導通電阻越小。另外，柵極源極間電壓相同的條件下，導通電阻因電流不同而不同。計算功率損耗時，需要考慮柵極源極間電壓和漏極電流，選擇適合的導通電阻。


    另外，如右上圖所示，導通電阻因溫度變化而變化，因此需要注意這一特性。


    導通電阻比較

    一般MOSFET的芯片尺寸（表面面積）越大，導通電阻越小。
    下圖顯示了不同尺寸的小型封裝條件下，羅姆最小導通電阻值的比較。
    封裝尺寸越大可搭載的芯片尺寸就越大，因此導通電阻越小。
    羅姆針對各種不同的封裝尺寸，備有低導通電阻的產品。
    選擇更大尺寸的封裝，導通電阻會更小。


    科普：什么是導通電阻？


    各封裝的搜索頁請點這里

    DFN0604 (0.6x0.6mm)

    DFN1006 (1.0x0.6mm）

    DFN2020 (2.0x2.0mm）


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