TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺(tái)達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

2021年9月23日，北京訊——德州儀器(TI)(納斯達(dá)克代碼TXN)今宣布其氮化鎵(GaN)技術(shù)和 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器(MCU)，輔以臺(tái)達(dá)(Delta Electronics)長(zhǎng)期耕耘之電力電子核心技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器(PSU)。與使用傳統(tǒng)架構(gòu)的企業(yè)服務(wù)器電源供應(yīng)器相比，臺(tái)達(dá)研發(fā)的服務(wù)器電源供應(yīng)器將功率密度提高了80%，效率提升1%。能源政策機(jī)構(gòu)Energy Innovation1數(shù)據(jù)顯示，效率每提升1%，相當(dāng)于每個(gè)數(shù)據(jù)中心節(jié)省了1兆瓦(或800戶(hù)家庭用電)的總所有成本。

臺(tái)達(dá)為全球客戶(hù)提供電源管理與散熱解決方案，同時(shí)也是AC-DC、DC-DC與DC-AC電源系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商，產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣泛，包括IT設(shè)備、電動(dòng)車(chē)充電與工業(yè)電源等。TI在GaN技術(shù)以及C2000? MCU實(shí)時(shí)控制解決方案上長(zhǎng)達(dá)十年的投資有目共睹，是臺(tái)達(dá)長(zhǎng)期合作的重要伙伴。此次TI采用創(chuàng)新的半導(dǎo)體制造工藝來(lái)制造硅基氮化鎵和集成電路，助力臺(tái)達(dá)等企業(yè)打造差異化應(yīng)用，更高效地為世界各地的數(shù)據(jù)中心供電。

“在TI，我們致力于通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)讓電子產(chǎn)品更經(jīng)濟(jì)實(shí)用，讓世界更美好，并且我們的GaN技術(shù)為更高效、更小、更可靠的全新解決方案的誕生帶來(lái)更多可能，” TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示，“除了技術(shù)投資外，TI在內(nèi)部制造方面的投資能夠快速普及GaN等新技術(shù)，并為臺(tái)達(dá)等客戶(hù)提供支持?！?

“臺(tái)達(dá)長(zhǎng)期致力于通過(guò)高效能產(chǎn)品和解決方案，與伙伴及客戶(hù)密切合作，以降低碳足跡。這也促使我們與TI這樣的行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)開(kāi)展長(zhǎng)期合作，持續(xù)進(jìn)行新一代技術(shù)的開(kāi)發(fā)、應(yīng)用。GaN技術(shù)已突破門(mén)坎，從人們口中的未來(lái)科技落地，成為當(dāng)今電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中切實(shí)可行的一個(gè)選擇。 ” 臺(tái)達(dá)電源與系統(tǒng)事業(yè)群副總裁暨總經(jīng)理Jimmy Yiin說(shuō)，“通過(guò)引入新技術(shù)，我們希望為服務(wù)器的電源供應(yīng)器實(shí)現(xiàn)超過(guò)98%的效率，功率密度超過(guò)100瓦/立方英寸。GaN技術(shù)將變革現(xiàn)有的電源設(shè)計(jì)和架構(gòu)，未來(lái)幾年電源方案和產(chǎn)品的發(fā)展令人期待，臺(tái)達(dá)也將善用新技術(shù)，進(jìn)一步強(qiáng)化我們作為數(shù)據(jù)中心和其他電源解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商地位?！?

集成的GaN 芯片提供更高的效率、功率密度和系統(tǒng)可靠性

· 在高電壓、高功率工業(yè)應(yīng)用中，TI的GaN FET集成了快速開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器，以及內(nèi)部保護(hù)和溫度感測(cè)功能，能夠更好地在有限的電路板空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能。

· 芯片通過(guò)4000萬(wàn)小時(shí)以上的設(shè)備可靠性測(cè)試和超過(guò)5 GWh的功率轉(zhuǎn)換測(cè)試，可提供嚴(yán)謹(jǐn)可靠的數(shù)據(jù)，并可透過(guò)GaN構(gòu)建更小、更輕、更高效的電源系統(tǒng)。

· TI 的GaN電源解決方案同C2000?實(shí)時(shí)MCU相結(jié)合，可提供復(fù)雜的時(shí)延敏感處理、精確控制及軟件與外設(shè)的可擴(kuò)展性等眾多優(yōu)勢(shì)。此外，這些MCU可支持不同的電源拓?fù)湓O(shè)計(jì)和高開(kāi)關(guān)頻率，更大限度提升電源效率，充分發(fā)揮基于GaN的服務(wù)器供電單元的潛力。

制造和長(zhǎng)期投資戰(zhàn)略確保靈活供應(yīng)

· TI獨(dú)特的工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù)組合簡(jiǎn)化了生產(chǎn)，企業(yè)能夠通過(guò)配置不同的選項(xiàng)來(lái)擴(kuò)大硅基氮化鎵的產(chǎn)量，以應(yīng)對(duì)電信、工業(yè)和汽車(chē)企業(yè)不斷變化的需求。

· TI自有的GaN外延和組裝/測(cè)試能力，使企業(yè)能夠按需求靈活解決工具冗余問(wèn)題。

· 隨著市場(chǎng)需求的增加，體積更小且需要支持更多數(shù)據(jù)的系統(tǒng)已經(jīng)成為趨勢(shì)，TI的長(zhǎng)期投資和靈活的制造戰(zhàn)略，將使其成為領(lǐng)先的GaN和實(shí)時(shí)MCU供應(yīng)商。

TI和臺(tái)達(dá)將于2021年9月27日至29日的TI Live! Tech Exchange共同舉辦主題為《GaN技術(shù)的影響及其對(duì)未來(lái)工業(yè)設(shè)計(jì)的意義》的在線(xiàn)技術(shù)交流研討會(huì)。屆時(shí)，TI專(zhuān)家將通過(guò)一系列主題演講、論壇、技術(shù)會(huì)議和產(chǎn)品演示，討論電源管理、汽車(chē)、實(shí)時(shí)控制、視覺(jué)傳感和設(shè)計(jì)趨勢(shì)等內(nèi)容。