你知道智能整流器嗎?優(yōu)秀智能整流器產(chǎn)品安利!

MP6919智能整流器將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過(guò)這篇文章，小編希望大家可以對(duì)它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。

一、MP6919智能整流器概述

整流器是把交流電轉(zhuǎn)換成直流電的裝置，可用于供電裝置及偵測(cè)無(wú)線(xiàn)電信號(hào)等。整流器可以由真空管，引燃管，固態(tài)矽半導(dǎo)體二極管，汞弧等制成。相反，一套把直流電轉(zhuǎn)換成交流電的裝置，則稱(chēng)為“逆變器”。整流器是一個(gè)整流裝置，簡(jiǎn)單的說(shuō)就是將交流(AC)轉(zhuǎn)化為直流(DC)的裝置。它有兩個(gè)主要功能：第一，將交流電(AC)變成直流電(DC)，經(jīng)濾波后供給負(fù)載，或者供給逆變器;第二，給蓄電池提供充電電壓。因此，它同時(shí)又起到一個(gè)充電器的作用。下面，我們來(lái)看一款智能整流器產(chǎn)品。

MP6919 是一款用于反激變換器的快速關(guān)斷智能整流器，其內(nèi)部集成了 100V MOSFET?？商峁┍榷O管整流器更高的效率和功率密度。它可將內(nèi)部開(kāi)關(guān)管的正向電壓壓降調(diào)節(jié)至 40mV(1)，并在漏源電壓反向之前，將開(kāi)關(guān)管關(guān)斷。

此器件可以自主生成電源電壓，無(wú)需輔助繞組，因此非常適用于低輸出電壓要求的充電器應(yīng)用或其他具有高端設(shè)置的適配器應(yīng)用。內(nèi)部振鈴檢測(cè)電路可以防止 MP6919 在斷續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)式或準(zhǔn)諧振工作期間發(fā)生誤導(dǎo)通。

二、MP6919智能整流器詳述

通過(guò)上面的介紹，想必大家對(duì)MP6919智能整流器大致內(nèi)容已有所了解。下面，我們來(lái)詳細(xì)看下MP6919智能整流器的一些特點(diǎn)。

1.VDD 生成

SENSE 是線(xiàn)性穩(wěn)壓器的輸入，其輸出為 VDD。 VDD 為 MP6919 供電，并在 VDD_REG(約

6.7V)。 當(dāng) SENSE 低于 4.7V 時(shí)，來(lái)自 SENSE 的 40mA 電流源為 VDD 充電。 當(dāng) SENSE 高于 4.7V 時(shí)，線(xiàn)性穩(wěn)壓器的最大充電電流被限制在 IVDD，以在 VDD 為外部電容器充電。

2.啟動(dòng)和欠壓鎖定 (UVLO)

當(dāng) VDD 升至 4.2V 以上時(shí)，MP6919 退出欠壓鎖定 (UVLO) 并啟用。 一旦 VDD 降至 4.0V 以下，MP6919 進(jìn)入睡眠模式，VGS 保持低電平。

3.開(kāi)啟階段

當(dāng) VDS 降至約 2V 時(shí)，開(kāi)啟定時(shí)器開(kāi)始計(jì)時(shí)。如果 VDS 在壓擺率檢測(cè)時(shí)間(約 30ns)內(nèi)從 2V 達(dá)到 -80mV 的開(kāi)啟閾值，則 MOSFET 在開(kāi)啟延遲 tDON(大約 20ns)后開(kāi)啟。如果定時(shí)器結(jié)束后 VDS 超過(guò) -80mV，柵極電壓保持關(guān)閉。該開(kāi)啟定時(shí)器可防止設(shè)備因 DCM 和準(zhǔn)諧振操作的振鈴而錯(cuò)誤開(kāi)啟。

4.開(kāi)啟消隱

控制電路包含消隱功能。 當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通時(shí)，控制電路確保導(dǎo)通狀態(tài)持續(xù)一段特定的時(shí)間。開(kāi)啟消隱時(shí)間為 tB-ON(約 1.2μs)，可防止因振鈴而意外關(guān)閉。如果 VDS 在導(dǎo)通消隱時(shí)間內(nèi)達(dá)到 1.8V，VGS 立即拉低。

5.傳導(dǎo)階段

當(dāng) VDS 上升到高于正向壓降 -VFWD (-40mV) 時(shí)，MP6919 根據(jù)開(kāi)關(guān)電流的下降，降低柵極電壓電平以增大同步 MOSFET 的導(dǎo)通電阻。

使用這種控制方案，即使通過(guò) MOSFET 的電流相當(dāng)?shù)?，VDS 也會(huì)調(diào)整為大約 -VFWD。 當(dāng)同步 MOSFET 關(guān)閉時(shí)，此功能將驅(qū)動(dòng)器電壓保持在非常低的水平。 它還可以提高關(guān)斷速度，用于 CCM 操作。

6.關(guān)斷階段

當(dāng) VDS 上升以觸發(fā)關(guān)斷閾值(約 -3mV)時(shí)，柵極電壓在 tDOFF(約 25ns)的短暫關(guān)斷延遲后拉至零。

7.關(guān)閉消隱

當(dāng) VDS 達(dá)到關(guān)斷閾值 (-3mV) 時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)器 (VGS) 拉至零后，應(yīng)用關(guān)斷消隱時(shí)間。在此過(guò)程中，柵極驅(qū)動(dòng)器信號(hào)鎖存。 當(dāng) VDS 超過(guò) VB-OFF(約 2V)時(shí)，關(guān)閉消隱被移除。

8.SENSE 上的外部電阻

過(guò)壓條件會(huì)損壞 MP6919，適當(dāng)?shù)膽?yīng)用設(shè)計(jì)可保證安全操作，尤其是在高壓引腳上。

一種常見(jiàn)的過(guò)壓情況是當(dāng) SR MOSFET 的體二極管由于正向壓降超過(guò) SENSE 引腳上的負(fù)額定值而導(dǎo)通時(shí)。 如果發(fā)生這種情況，建議在 SENSE 和 MOSFET 漏極之間放置一個(gè)外部電阻器。 推薦電阻約為 100Ω 至 300Ω。

不要使用太大的電阻器，因?yàn)樗赡軙?huì)影響 VDD 電源并減慢 VDS 檢測(cè)的壓擺率。 不建議使用大于 300Ω 的電阻。 應(yīng)根據(jù) VDD 電源和壓擺率選擇電阻器。

最后，小編誠(chéng)心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對(duì)小編來(lái)說(shuō)都是莫大的鼓勵(lì)和鼓舞。最后的最后，祝大家有個(gè)精彩的一天。