國產(chǎn)芯片巨頭宣布：DDR5?內(nèi)存接口芯片實現(xiàn)量產(chǎn)?！
[導(dǎo)讀]10月29日消息，瀾起科技官方宣布，其DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。該系列芯片是DDR5內(nèi)存模組的重要組件，包括寄存時鐘驅(qū)動器(RCD)、數(shù)據(jù)緩沖器(DB)、串行檢測集線器(SPDHub)、溫度傳感器(TS)?和電源管理芯片(PMIC)，可為DDR5RDI...
10月29日消息，瀾起科技官方宣布，其DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。該系列芯片是DDR5內(nèi)存模組的重要組件，包括寄存時鐘驅(qū)動器 (RCD)、數(shù)據(jù)緩沖器 (DB)、串行檢測集線器 (SPD Hub)、溫度傳感器 (TS) 和電源管理芯片 (PMIC)，可為DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等內(nèi)存模組提供整體解決方案。（源自瀾起科技官網(wǎng)）
據(jù)悉，瀾起科技這次推出的DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片RCD/DB，支持的最高速率達4800Mbps，是 DDR4最高速率的1.5倍；接口電壓低至1.1V，能耗更低；采用創(chuàng)新的信號校準(zhǔn)協(xié)議及均衡技術(shù)，大幅提高了內(nèi)存信號完整性。DDR5內(nèi)存模組在架構(gòu)上進行了革新，除配置內(nèi)存顆粒和內(nèi)存接口芯片之外，還需要搭配其它專用配套芯片。這次瀾起科技精準(zhǔn)也把握這一技術(shù)趨勢，首次推出了DDR5 PMIC、TS 及SPD Hub這三款配套芯片，可為DDR5內(nèi)存模組提供多通道電源及管理、多點溫度檢測、I3C串行總線及路由等輔助功能。據(jù)悉，這些配套芯片與內(nèi)存接口芯片一起，共同助力DDR5內(nèi)存模組在速度、容量、節(jié)能及可靠性等方面實現(xiàn)全面提升，滿足新一代服務(wù)器、臺式機及便攜式電腦對內(nèi)存系統(tǒng)的更高要求。
DDR5比DDR4帶來多大提升？
很多讀者朋友可能都知道內(nèi)存，但卻弄不清楚新老一代之間的聯(lián)系。實際上，DDR5標(biāo)準(zhǔn)最先是由JEDEC協(xié)會在2020年7月公布的，起步4800MHz，未來可以達到6400MHz。
2020年10月，韓國存儲巨頭SK海力士宣布，正式發(fā)布全球第一款DDR5內(nèi)存；2021年1月，嘉合勁威率先布局DDR5內(nèi)存模組；2021年2月，阿斯加特發(fā)布首款DDR5；2021年4月26日，嘉合勁威首批DDR5內(nèi)存條批量生產(chǎn)下線。隨著全球各大廠商陸續(xù)公布下一代內(nèi)存量產(chǎn)計劃，國產(chǎn)廠商也不甘示弱，緊隨其后。（源自知乎答主＠昨夜雨）對比DDR4，下一代內(nèi)存DDR5最直接的優(yōu)勢就是，更加節(jié)能，頻率更高。有知乎博主曬出對比數(shù)據(jù)顯示，DDR5的I/O帶寬能達到最高6.4Gbps，同時電壓為1.1v，而DDR4的I/O帶寬能達到最高3.2Gbps，同時電壓為1.2v；DDR5單個內(nèi)存芯片的密度達到64Gbit，DDR4單個內(nèi)存芯片的密度則為16Gbit；DDR5起始頻率為4800，最高達到6400，但是超頻性能未知，而DDR4起始頻率為2133，超頻極限為5608；在針腳方面，依舊是288個針腳，但是改變了針腳的布局，DDR5的針腳布局其實和DDR4的長得很像，缺口部分的位置變化不大。雖然說DDR5很快就要量產(chǎn)上市了，但DDR4依然是目前裝機的主流，甚至還有不少還在用DDR3，不論是筆記本還是臺式機，DDR3／DDR4仍然占據(jù)了很大市場。DDR5雖然在性能上強于DDR4，但也不是大家都需要去追求的高端配置。就比如只是為了用電子設(shè)備辦公、刷視頻、上網(wǎng)的用戶，使用DDR4跟DDR5并沒有區(qū)別。對于部分專業(yè)用戶（比如視頻剪輯等），內(nèi)存頻率的提升帶來最直觀的體驗就是單位時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀寫速度的加快，能使工作效率得到極大提高。還有部分游戲發(fā)燒友，也需要視情況而定，比如某些特殊的很吃內(nèi)存頻率的游戲（舉例“絕地求生”）來說，同樣是i5－10600k ＋ RTX3070的組合，內(nèi)存頻率在2666和4266的游戲體驗完全不一樣，前者游戲幀數(shù)在100幀左右，而后者游戲基本上能夠穩(wěn)住144，因此如果高頻內(nèi)存能夠有更快的讀寫和更低的延遲，那么在這類游戲中更有利于幀數(shù)的穩(wěn)定，操作畫面會更加絲滑流暢。但實際上很多游戲所依賴的是顯卡以及CPU，內(nèi)存反倒不是最主要的影響因素，面對這類游戲，不管是DDR5還是DDR4、DDR3玩游戲，變化都沒有想象中的那么大，因此對于眾人而言，DDR5確實好，但也要根據(jù)自己的需求來判斷要不要升級，畢竟昂貴的成本也擺在那。
DDR5世代競爭格局：三足鼎立
一直以來，內(nèi)存接口芯片技術(shù)伴隨內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而升級。在DDR2世代，全球內(nèi)存接口芯片競爭激烈，包括TI、Intel、西門子、瀾起科技等在內(nèi)的十余家廠商參與競爭。隨著技術(shù)升級，至DDR4世代，行業(yè)內(nèi)主要廠商僅剩瀾起科技、瑞薩電子、Rambus三家，但由于瑞薩電子不單獨披露其內(nèi)存接口芯片業(yè)務(wù)的經(jīng)營數(shù)據(jù)，目前內(nèi)存接口芯片各供應(yīng)商的市場份額情況無法準(zhǔn)確計算。值得一提的是，在DDR4世代，瀾起科技發(fā)明的DDR4全緩沖“1＋9”架構(gòu)被JEDEC（全球微電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)機構(gòu)）采納為國際標(biāo)準(zhǔn)，那時公司已經(jīng)開始積極參與DDR5 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的制定。（源自瀾起科技招股說明書）如今進入DDR5世代，內(nèi)存接口芯片市場主要供應(yīng)商還是以瀾起科技、瑞薩電子、Rambus為主，呈現(xiàn)“三足鼎立”之勢。據(jù)OFweek維科網(wǎng)觀察，今年上半年，瀾起科技已經(jīng)完成了DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片量產(chǎn)版的研發(fā)，并持續(xù)根據(jù)最新版JEDEC標(biāo)準(zhǔn)及客戶的測試反饋進行最終優(yōu)化；在DDR5內(nèi)存模組配套芯片方面，瀾起科技與合作廠商已完成DDR5第一子代內(nèi)存模組配套芯片量產(chǎn)版的研發(fā)，并持續(xù)根據(jù)最新版JEDEC標(biāo)準(zhǔn)及客戶的測試反饋進行最終優(yōu)化。瀾起科技在前不久發(fā)布的投資者調(diào)研報告中提到，公司DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片預(yù)計在2021年底之前正式進入量產(chǎn)爬坡階段。從歷史經(jīng)驗來看，隨著技術(shù)迭代，新產(chǎn)品因性能增強、成本升高從而推動售價有所提高。在上文中也提到，DDR5的價格問題也一直是人們所關(guān)心的重點。以DDR4為例，隨著技術(shù)更新和產(chǎn)品迭代，DDR4世代中Gen1.0、Gen1.5、Gen2.0、Gen2plus產(chǎn)品因技術(shù)和性能升級及成本提升，導(dǎo)致其起始銷售單價有所提高。而DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片的速度將達到4800Mbps，相較DDR4Gen2plus的3200Mbps提升50％，同時其相應(yīng)的制造成本也有所增加，這些影響因素最終都將反映到產(chǎn)品售價上，最終售價將由市場決定，想必在產(chǎn)品初步放量進入市場時價格也不會低到哪去。（源自瀾起科技官網(wǎng)）
Q3凈賺2.05億元，同比下降25.93％
據(jù)OFweek維科網(wǎng)查閱，根據(jù)瀾起科技發(fā)布2021年第三季度報告顯示，2021年第三季度實現(xiàn)營業(yè)收入8.68億元，較上年同期增長129.16％，較2021年第二季度環(huán)比增長104.32％；2021年第三季度實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤2.05億元，較上年同期減少25.93％，較2021年第二季度環(huán)比增長17.77％；2021年第三季度歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤1.83億元，較上年同期增長13.13％，較2021年第二季度環(huán)比增長76.60％。
（源自公司公告）瀾起科技表示，隨著行業(yè)持續(xù)復(fù)蘇及津逮服務(wù)器平臺產(chǎn)品線的良好表現(xiàn)，公司業(yè)績逐季向好趨勢明顯。具體來看，2021年前三季度，公司互連類芯片產(chǎn)品線營業(yè)收入為11.16億元，毛利率為65.38％，較上年同期增長16.35％；公司津逮服務(wù)器平臺產(chǎn)品線營業(yè)收入為4.77億元，毛利率為11.08％，較上年同期增長43倍。瀾起科技在三季報中還表示，高度重視人才引進工作，報告期末員工總數(shù)502人，較2020年末增長9.85％，其中研發(fā)技術(shù)人員354人，較2020年末增長11.67％。目前公司員工中70％以上為研發(fā)技術(shù)人員，且研發(fā)技術(shù)人員中61％以上擁有碩士及以上學(xué)位，不斷優(yōu)化的技術(shù)團隊有效支撐了公司各項研發(fā)工作的推進。在研發(fā)與技術(shù)創(chuàng)新方面，2021年上半年公司研發(fā)投入合計1.44億元，占營業(yè)收入的比例為19.84％。2021年上半年，公司新獲授權(quán)的發(fā)明專利共10項，新申請20項發(fā)明專利（其中含2項專利合作協(xié)定申請）；新申請3項集成電路布圖設(shè)計。如今，內(nèi)存接口芯片的下游客戶主要是以三星電子、海力士、美光等為代表的內(nèi)存模組制造商，需求規(guī)模較大，且保持極高增速，是當(dāng)今存儲器市場乃至全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推手。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計，DRAM市場主要供應(yīng)商三星電子、海力士、美光的市占率合計超過90％，市場集中度極高，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新一代信息技術(shù)的崛起和成熟，存儲芯片市場必然會迎來一股機遇。這或許也能解釋得通為什么瀾起科技為何會積極投入到DDR5的布局中。根據(jù)JEDEC的定義，在DDR5世代，服務(wù)器內(nèi)存模組通常搭配一顆RCD、一顆SPD、一顆PMIC，以及兩顆TS，部分內(nèi)存模組還會選配DB；普通臺式機、筆記本電腦內(nèi)存模組通常搭配一顆SPD及一顆PMIC。而當(dāng)前服務(wù)器內(nèi)存模組一年的需求量大約是1.3億根，普通臺式機、筆記本電腦內(nèi)存模組一年的需求量大約是3億根。一旦DDR5完成全面滲透，龐大的增量市場將會帶來極其可觀的市場前景。
據(jù)悉，瀾起科技這次推出的DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片RCD/DB，支持的最高速率達4800Mbps，是 DDR4最高速率的1.5倍；接口電壓低至1.1V，能耗更低；采用創(chuàng)新的信號校準(zhǔn)協(xié)議及均衡技術(shù)，大幅提高了內(nèi)存信號完整性。DDR5內(nèi)存模組在架構(gòu)上進行了革新，除配置內(nèi)存顆粒和內(nèi)存接口芯片之外，還需要搭配其它專用配套芯片。這次瀾起科技精準(zhǔn)也把握這一技術(shù)趨勢，首次推出了DDR5 PMIC、TS 及SPD Hub這三款配套芯片，可為DDR5內(nèi)存模組提供多通道電源及管理、多點溫度檢測、I3C串行總線及路由等輔助功能。據(jù)悉，這些配套芯片與內(nèi)存接口芯片一起，共同助力DDR5內(nèi)存模組在速度、容量、節(jié)能及可靠性等方面實現(xiàn)全面提升，滿足新一代服務(wù)器、臺式機及便攜式電腦對內(nèi)存系統(tǒng)的更高要求。
DDR5比DDR4帶來多大提升？
很多讀者朋友可能都知道內(nèi)存，但卻弄不清楚新老一代之間的聯(lián)系。實際上，DDR5標(biāo)準(zhǔn)最先是由JEDEC協(xié)會在2020年7月公布的，起步4800MHz，未來可以達到6400MHz。
2020年10月，韓國存儲巨頭SK海力士宣布，正式發(fā)布全球第一款DDR5內(nèi)存；2021年1月，嘉合勁威率先布局DDR5內(nèi)存模組；2021年2月，阿斯加特發(fā)布首款DDR5；2021年4月26日，嘉合勁威首批DDR5內(nèi)存條批量生產(chǎn)下線。隨著全球各大廠商陸續(xù)公布下一代內(nèi)存量產(chǎn)計劃，國產(chǎn)廠商也不甘示弱，緊隨其后。（源自知乎答主＠昨夜雨）對比DDR4，下一代內(nèi)存DDR5最直接的優(yōu)勢就是，更加節(jié)能，頻率更高。有知乎博主曬出對比數(shù)據(jù)顯示，DDR5的I/O帶寬能達到最高6.4Gbps，同時電壓為1.1v，而DDR4的I/O帶寬能達到最高3.2Gbps，同時電壓為1.2v；DDR5單個內(nèi)存芯片的密度達到64Gbit，DDR4單個內(nèi)存芯片的密度則為16Gbit；DDR5起始頻率為4800，最高達到6400，但是超頻性能未知，而DDR4起始頻率為2133，超頻極限為5608；在針腳方面，依舊是288個針腳，但是改變了針腳的布局，DDR5的針腳布局其實和DDR4的長得很像，缺口部分的位置變化不大。雖然說DDR5很快就要量產(chǎn)上市了，但DDR4依然是目前裝機的主流，甚至還有不少還在用DDR3，不論是筆記本還是臺式機，DDR3／DDR4仍然占據(jù)了很大市場。DDR5雖然在性能上強于DDR4，但也不是大家都需要去追求的高端配置。就比如只是為了用電子設(shè)備辦公、刷視頻、上網(wǎng)的用戶，使用DDR4跟DDR5并沒有區(qū)別。對于部分專業(yè)用戶（比如視頻剪輯等），內(nèi)存頻率的提升帶來最直觀的體驗就是單位時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀寫速度的加快，能使工作效率得到極大提高。還有部分游戲發(fā)燒友，也需要視情況而定，比如某些特殊的很吃內(nèi)存頻率的游戲（舉例“絕地求生”）來說，同樣是i5－10600k ＋ RTX3070的組合，內(nèi)存頻率在2666和4266的游戲體驗完全不一樣，前者游戲幀數(shù)在100幀左右，而后者游戲基本上能夠穩(wěn)住144，因此如果高頻內(nèi)存能夠有更快的讀寫和更低的延遲，那么在這類游戲中更有利于幀數(shù)的穩(wěn)定，操作畫面會更加絲滑流暢。但實際上很多游戲所依賴的是顯卡以及CPU，內(nèi)存反倒不是最主要的影響因素，面對這類游戲，不管是DDR5還是DDR4、DDR3玩游戲，變化都沒有想象中的那么大，因此對于眾人而言，DDR5確實好，但也要根據(jù)自己的需求來判斷要不要升級，畢竟昂貴的成本也擺在那。
DDR5世代競爭格局：三足鼎立
一直以來，內(nèi)存接口芯片技術(shù)伴隨內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而升級。在DDR2世代，全球內(nèi)存接口芯片競爭激烈，包括TI、Intel、西門子、瀾起科技等在內(nèi)的十余家廠商參與競爭。隨著技術(shù)升級，至DDR4世代，行業(yè)內(nèi)主要廠商僅剩瀾起科技、瑞薩電子、Rambus三家，但由于瑞薩電子不單獨披露其內(nèi)存接口芯片業(yè)務(wù)的經(jīng)營數(shù)據(jù)，目前內(nèi)存接口芯片各供應(yīng)商的市場份額情況無法準(zhǔn)確計算。值得一提的是，在DDR4世代，瀾起科技發(fā)明的DDR4全緩沖“1＋9”架構(gòu)被JEDEC（全球微電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)機構(gòu)）采納為國際標(biāo)準(zhǔn)，那時公司已經(jīng)開始積極參與DDR5 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的制定。（源自瀾起科技招股說明書）如今進入DDR5世代，內(nèi)存接口芯片市場主要供應(yīng)商還是以瀾起科技、瑞薩電子、Rambus為主，呈現(xiàn)“三足鼎立”之勢。據(jù)OFweek維科網(wǎng)觀察，今年上半年，瀾起科技已經(jīng)完成了DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片量產(chǎn)版的研發(fā)，并持續(xù)根據(jù)最新版JEDEC標(biāo)準(zhǔn)及客戶的測試反饋進行最終優(yōu)化；在DDR5內(nèi)存模組配套芯片方面，瀾起科技與合作廠商已完成DDR5第一子代內(nèi)存模組配套芯片量產(chǎn)版的研發(fā)，并持續(xù)根據(jù)最新版JEDEC標(biāo)準(zhǔn)及客戶的測試反饋進行最終優(yōu)化。瀾起科技在前不久發(fā)布的投資者調(diào)研報告中提到，公司DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片預(yù)計在2021年底之前正式進入量產(chǎn)爬坡階段。從歷史經(jīng)驗來看，隨著技術(shù)迭代，新產(chǎn)品因性能增強、成本升高從而推動售價有所提高。在上文中也提到，DDR5的價格問題也一直是人們所關(guān)心的重點。以DDR4為例，隨著技術(shù)更新和產(chǎn)品迭代，DDR4世代中Gen1.0、Gen1.5、Gen2.0、Gen2plus產(chǎn)品因技術(shù)和性能升級及成本提升，導(dǎo)致其起始銷售單價有所提高。而DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片的速度將達到4800Mbps，相較DDR4Gen2plus的3200Mbps提升50％，同時其相應(yīng)的制造成本也有所增加，這些影響因素最終都將反映到產(chǎn)品售價上，最終售價將由市場決定，想必在產(chǎn)品初步放量進入市場時價格也不會低到哪去。（源自瀾起科技官網(wǎng)）
Q3凈賺2.05億元，同比下降25.93％
據(jù)OFweek維科網(wǎng)查閱，根據(jù)瀾起科技發(fā)布2021年第三季度報告顯示，2021年第三季度實現(xiàn)營業(yè)收入8.68億元，較上年同期增長129.16％，較2021年第二季度環(huán)比增長104.32％；2021年第三季度實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤2.05億元，較上年同期減少25.93％，較2021年第二季度環(huán)比增長17.77％；2021年第三季度歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤1.83億元，較上年同期增長13.13％，較2021年第二季度環(huán)比增長76.60％。
（源自公司公告）瀾起科技表示，隨著行業(yè)持續(xù)復(fù)蘇及津逮服務(wù)器平臺產(chǎn)品線的良好表現(xiàn)，公司業(yè)績逐季向好趨勢明顯。具體來看，2021年前三季度，公司互連類芯片產(chǎn)品線營業(yè)收入為11.16億元，毛利率為65.38％，較上年同期增長16.35％；公司津逮服務(wù)器平臺產(chǎn)品線營業(yè)收入為4.77億元，毛利率為11.08％，較上年同期增長43倍。瀾起科技在三季報中還表示，高度重視人才引進工作，報告期末員工總數(shù)502人，較2020年末增長9.85％，其中研發(fā)技術(shù)人員354人，較2020年末增長11.67％。目前公司員工中70％以上為研發(fā)技術(shù)人員，且研發(fā)技術(shù)人員中61％以上擁有碩士及以上學(xué)位，不斷優(yōu)化的技術(shù)團隊有效支撐了公司各項研發(fā)工作的推進。在研發(fā)與技術(shù)創(chuàng)新方面，2021年上半年公司研發(fā)投入合計1.44億元，占營業(yè)收入的比例為19.84％。2021年上半年，公司新獲授權(quán)的發(fā)明專利共10項，新申請20項發(fā)明專利（其中含2項專利合作協(xié)定申請）；新申請3項集成電路布圖設(shè)計。如今，內(nèi)存接口芯片的下游客戶主要是以三星電子、海力士、美光等為代表的內(nèi)存模組制造商，需求規(guī)模較大，且保持極高增速，是當(dāng)今存儲器市場乃至全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推手。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計，DRAM市場主要供應(yīng)商三星電子、海力士、美光的市占率合計超過90％，市場集中度極高，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新一代信息技術(shù)的崛起和成熟，存儲芯片市場必然會迎來一股機遇。這或許也能解釋得通為什么瀾起科技為何會積極投入到DDR5的布局中。根據(jù)JEDEC的定義，在DDR5世代，服務(wù)器內(nèi)存模組通常搭配一顆RCD、一顆SPD、一顆PMIC，以及兩顆TS，部分內(nèi)存模組還會選配DB；普通臺式機、筆記本電腦內(nèi)存模組通常搭配一顆SPD及一顆PMIC。而當(dāng)前服務(wù)器內(nèi)存模組一年的需求量大約是1.3億根，普通臺式機、筆記本電腦內(nèi)存模組一年的需求量大約是3億根。一旦DDR5完成全面滲透，龐大的增量市場將會帶來極其可觀的市場前景。
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