[導讀]需要可靠性評估需要基礎知識:電源就像是一個源頭的河水,有很多路路上有很多閘?關鍵元器件工作條件、典型應用、典型拓撲的工作原理及控制方式優(yōu)缺點、保護電路的工作原理、RCD、RC時間常數一、元器件:瞬時極限值(測試方法、評判標準、關鍵參數超標原因及改善措施、失效模式、案列分享)MOS...
需要可靠性評估需要基礎知識:
電源就像是一個源頭的河水,有很多路路上有很多閘
關鍵元器件工作條件、典型應用、典型拓撲的工作原理及控制方式優(yōu)缺點、保護電路的工作原理、RCD、RC時間常數
一、元器件:
瞬時極限值(測試方法、評判標準、關鍵參數 超標原因及改善措施、失效模式、案列分享)
MOS:(改變其柵極驅動電阻看MOS管Vds、Ids、。研究多個電路MOS管的導通過程[感性負載、阻性負載]、多種損耗分析、失效模式、MOS管一些極限參數及評判方法、熱阻的概念。典型包括boost、LLC電路的驅動Vgs、當MOS管驅動電壓較低是否可以考慮降低驅動電阻提高Cgd的放電速度。
MOS管開關過程
首先聲明一點研究MOS管開關過程脫離相應的電路是沒有實際意義的。另外MOS管開關電源里面都研究其作為開關器件使用。
MOS管的導通過程:驅動源對MOS管充電,當電壓達到,MOS管開始導通,電流開始緩慢上升,當電流達到最大負載電流時,電壓開始降低,漏極電壓下降,那么驅動源電荷開始對(米勒電容)充電,進入米勒平臺,電壓不會上升,直到電壓降低到不能再降低=時,米勒平臺結束。MOS管基本上完全導通,此后驅動源電荷繼續(xù)對充電,使之達到與驅動源電壓相等的電壓。
怎么來避免這種電流尖刺的產生呢?
漏極加磁阻,吸收掉阻值電流瞬時突變,使電流尖峰減小,但是同樣有存在缺點MOS管關斷時會產生電壓尖峰。
前沿消隱:
一般開關MOS管源極都會有下地電阻檢測流過MOS管的電流,但是導通瞬間電流尖刺是不希望被檢測到的,同時這種電流尖刺不加抑制的話還會影響內部檢測,通常下地電阻到IC檢測引腳之間會連個RC,通過設置RC常數來吸收電流尖刺。這就是前沿消隱的必要性。
二極管:
1、二極管的VF
為什么二極管一定需要0.7V或者0.3V才能導通呢?
首先要理解二極管的導通過程,因為這個過程對理解二極管的電容效應更加容易。
二極管(研究二極管與線路電感量的關系、實際測量其波形、二極管的從導通到截止經歷幾個過程,這些過程受哪些因數影響【內部的trr和外界的】、反向恢復時間還受電流峰值影響)
三極管(三極管設置其電阻,看多大的驅動電流可以飽和導通、以及受地線的干擾試驗)、
1、三種狀態(tài)截止、飽和、放大的理解
2、截止失真,重點講條件、飽和失真、串穩(wěn)電路、線性穩(wěn)壓器。
3、三極管防干擾,注意正常控制電路和保護電路
電容(紋波電流跟溫度、頻率校正關系)
電容充電瞬間電流峰值大?。浩鋬啥说碾妷汉腿葜店P系
穩(wěn)壓管(穩(wěn)壓管的典型電路及穩(wěn)壓原理)
變壓器、
電感:
伏秒平衡、電弧產生原理(光能、熱能)
電感電流流上升斜率計算公式(有電阻、無電阻)
電感的設計、紋波電流系數、電感規(guī)格
磁珠:低頻時相當于短路,高頻時會阻止電流變化,高頻的電流會全部流過其電阻,具有很好的高頻濾波特性。
芯片的前沿消隱時間
三端穩(wěn)壓管431與光耦組成的反饋環(huán)路、鑒幅電路
光耦---發(fā)光二級管反壓大約5V、也有放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)、CTR
溫度對元器件的影響:高溫、低溫,以及相關特性曲線
電源控制器
一、保護功能
過壓、過流、短路保護
二、環(huán)路及地線
環(huán)路為什么形成正反饋或自激:我們知道環(huán)路要穩(wěn)定,一般要實行負反饋控制。像boost電路,LED-端檢測通過檢測電阻上的電壓實現(xiàn)檢測電流的大小,但是不能直接將這個檢測電壓反饋回主IC,因為環(huán)路中會存在很多高頻的干擾,而這些高頻的干擾是沒有用的,我們一般要將這些高頻干擾濾除掉。濾掉這些高頻干擾需要在檢測前加個RC吸收電路。
如下圖紅圈
但是加的這個RC電路時間常數不能太大,也不能太小
1、太小的話某些高頻干擾可能不能濾掉。
2、太大的話可能會造成自激也就是正反饋,當此RC濾波的頻率低于MOS管的開關頻率時就會形成正反饋,即當上一個周期的采樣的信號是讓MOS管增大占空比,此時LED 快速升到我們想要的電壓,但是由于RC充放電速度太慢導致采樣的信號還停留在電壓不足的過程,所以還會繼續(xù)讓LED 端升壓。
影響環(huán)路的因數:電容、電感、MOS管的開關速度。
三、 典型電路
1、BOOST電路升壓二極管反向恢復損耗問題:①引起MOS管開機瞬間有電流過沖、②二極管在CCM、BCM、DCM中反向恢復損耗。
2、LLC模塊電路總結:
①兩個諧振頻率當開關頻率時,諧振腔呈感性利于MOS管實現(xiàn)ZVS,
是次級整流管不能實現(xiàn)ZCS,會造成整流管引起反向恢復損耗問題而溫升偏高,不過現(xiàn)在大多數整流管都使用的是肖特基二極管,大大降低二極管損耗。
本文整理自百度文庫《電源可靠性評估》
https://wenku.baidu.com/view/60515b9d6c175f0e7dd1376c.html
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