電解電容參數(shù)詳解

一、基本概念

電容：亦稱作“電容量”，是指在給定電位差下的電荷儲(chǔ)藏量。

電容器：

①定義1：電容器，顧名思義，是‘裝電的容器’，是一種容納電荷的器件;

②定義2：電容器，任何兩個(gè)彼此絕緣且相隔很近的導(dǎo)體(包括導(dǎo)線)間都構(gòu)成一個(gè)電容器。

電容值：電容器所帶電量Q與電容器兩極間的電壓U的比值，叫電容器的電容。在電路學(xué)里，給定電勢(shì)差，電容器儲(chǔ)存電荷的能力，稱為電容(capacitance)，標(biāo)記為C。

電容單位：法拉，簡(jiǎn)稱法，符號(hào)是F。

常用的電容單位有毫法(mF)、微法(μF)、納法(nF)和皮法(pF)等，換算關(guān)系是：

1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF)

1微法(μF)= 1000納法(nF)= 1000000皮法(pF)。

排容：由若干個(gè)電容 排列而成的電容陣列，若干個(gè)參數(shù)完全相同的電容，它們的一個(gè)引腳都連到一起，作為公共引腳，其余引腳正常引出。

二、電容分類

2.1. 按照結(jié)構(gòu)

2.1.1固定電容器：

不能調(diào)節(jié)的,我們稱之為定值電容。

2.1.2可變電容器：

它由一組定片和一組動(dòng)片組成，它的容量隨著動(dòng)片的轉(zhuǎn)動(dòng)可以連續(xù)改變。把兩組可變電容裝在一起同軸轉(zhuǎn)動(dòng)，叫做雙連?？勺冸娙莸慕橘|(zhì)有空 氣和聚苯乙烯兩種。空氣介質(zhì)可變電容體積大，損耗小，多用在電子管收音機(jī)中。聚苯乙烯介質(zhì)可變電容做成密封式的，體積小，多用在晶體管 收音機(jī)中。

2.1.3微調(diào)電容器：

半可變電容也叫做微調(diào)電容，它是由兩片或者兩組小型金屬?gòu)椘?，中間夾著介質(zhì)制成。調(diào)節(jié)的時(shí)候改變兩片之間的距離或者面積。它的介質(zhì)有空氣、陶瓷、云母、薄膜等

2.2.按極性

有極性電容和無(wú)極性電容，有極性使用時(shí)要注意方向。

2.3.按介質(zhì)

CBB電容(聚丙烯)，滌綸電容、瓷片電容、云母電容、獨(dú)石電容、(鋁)電解電容、鉭電容等。

2.3.1疊層陶瓷貼片電容(MLCC) <無(wú)極性 >

采用多層結(jié)構(gòu)，往往一個(gè)MLCC內(nèi)部多達(dá)幾十層，甚至更多。其中，每一單層都相當(dāng)于一個(gè)電容，幾十層就相當(dāng)于幾十個(gè)電容器并聯(lián)。所以MLCC容量做的很大,但電壓不高。一般都是表面貼裝(SMD)

常見引腳封裝有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。

多層陶瓷電容(MLCC)根據(jù)材料分為Class1和Class2兩類。Class1是溫度補(bǔ)償型，Class2是溫度穩(wěn)定型和普通應(yīng)用的。

⑴ Class1

Class1或者溫度補(bǔ)償型電容通常是由鈦酸鋇不占主要部分的鈦酸鹽混合物構(gòu)成。它們有可預(yù)見的溫度系數(shù)，通常沒有老化特性。因此它們是可用的最穩(wěn)定的電容。最常用的Class1多層陶瓷電容是COG(NPO)溫度補(bǔ)償型電容(±0ppm/°C)。

NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對(duì)大于±2%的薄膜電容來(lái)說(shuō)是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。

NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

⑵ Class2

Class2電容通常也是由鈦酸鋇化合物組成。Class2電容有很大的電容容量和溫度穩(wěn)定性。對(duì)Class2材料電容的容量隨溫度變化，EIA可以通過(guò)3個(gè)符號(hào)代碼來(lái)表述。第一個(gè)符號(hào)表示工作溫度范圍的下限，第二個(gè)符號(hào)表示工作溫度的上限，第三個(gè)符號(hào)表示在這個(gè)溫度內(nèi)允許容量變化的百分比。表1提供了EIA系統(tǒng)詳細(xì)的描述。

其中Ⅱ類陶瓷電容器又分為穩(wěn)定級(jí)和可用級(jí)。X5R、X7R屬于Ⅱ類陶瓷的穩(wěn)定級(jí)，而Y5V和Z5U屬于可用級(jí)。

所有的Class2電容的電容容量受以下幾個(gè)條件影響：溫度變化、操作電壓(直流和交流)、頻率。

表1貼片電容Class2 EIA代碼

2.3.2 CBB電容(聚丙烯電容器) <無(wú)極性 >

無(wú)感CBB：2層聚丙乙烯塑料和2層金屬箔交替夾雜然后捆綁而成。

有感CBB：2層聚乙烯塑料和2層金屬箔交替夾雜然后捆綁而成。

電容量：1000p--10u，額定電壓：63--2000V

優(yōu)點(diǎn)：高頻特性好，體積較小(代替大部分聚苯或云母電容,用于要求較高的電路)

缺點(diǎn)：不適合做大容量，價(jià)格比較高，耐熱性能較差(溫度系數(shù)大)。

2.3.3 獨(dú)石電容 <無(wú)極性>

獨(dú)石電容器完全是MLCC的一個(gè)變種,在MLCC上焊接兩根引線,用環(huán)氧樹脂封裝而成,溫度特性好，頻率特性好(一般電容隨著頻率的上升,電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律，獨(dú)石電容下降比較少，容量比較穩(wěn)定)。

優(yōu)點(diǎn)：電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定、耐高溫、絕緣性好、成本低。

缺點(diǎn)：其他同CBB，有感。

2.2.4 瓷片電容 <無(wú)極性>

薄瓷片兩面渡金屬膜銀而成。

優(yōu)點(diǎn)：體積小，穩(wěn)定，絕緣性好，耐壓高，價(jià)格低，頻率高(有一種是高頻電容)

缺點(diǎn)：易碎!容量比較小。

2.2.5 云母電容 <無(wú)極性>

云母片上鍍兩層金屬薄膜。

優(yōu)點(diǎn)：介質(zhì)損耗小，絕緣電阻大、溫度系數(shù)小，適宜用于高頻電路。

缺點(diǎn)：體積大，容量小，造價(jià)高(左邊圖是老款的電容，體積大，新款的相比體積小一點(diǎn))

2.2.6 鋁電容(全稱：鋁電解電容) <極性>

兩片鋁帶和兩層絕緣膜相互層疊，轉(zhuǎn)捆后浸泡在電解液(含酸性的合成溶液)中。

優(yōu)點(diǎn)：容量大。

缺點(diǎn)：高頻特性不好。

2.2.7 鉭電容(全稱：鉭電解電容) <極性>

用金屬鉭作為正極，在電解質(zhì)外噴上金屬作為負(fù)極。

優(yōu)點(diǎn)：穩(wěn)定性好，容量大，高頻特性好。

缺點(diǎn)：造價(jià)高(一般用于關(guān)鍵地方)。

三、電容器的標(biāo)示法

3.1、直標(biāo)法：

標(biāo)稱電容器的：標(biāo)稱容量、額定電壓及允許偏差。

允許偏差：±0.05%、±0.1%、±0.25%、±0.5%、±1%、±2%、±5%、±10%、±20%。

3.2、數(shù)碼法：

數(shù)碼標(biāo)注法一般為三位數(shù)碼表示電容器的容量，單位pF。其中前兩位數(shù)碼為電容量的有效數(shù)字，第三位為倍乘數(shù)，但第三位倍乘數(shù)是9時(shí)表示*

例：“101”表示10*=100pF;

“102”表示10*=1000pF;

“104”表示10*=0.1uF;

“223”表示22*=0.022uF;

3.3、色標(biāo)法：

用不同顏色的帶或點(diǎn)在電容器表面標(biāo)出標(biāo)稱電容量和允許偏差，與電阻色標(biāo)法相同，詳見電阻文檔。

四、常用電容

4.1、封裝尺寸

貼片電容封裝與尺寸與電阻相同，詳見電阻文檔。

電解電容和固態(tài)電容是標(biāo)準(zhǔn)的封裝，但是高度不一定標(biāo)準(zhǔn)，包括很多定制的電容，需根據(jù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)特點(diǎn)進(jìn)行選擇。

無(wú)極電容封裝以RAD標(biāo)識(shí)，有RAD-0.1、RAD-0.2、RAD-0.3、RAD-0.4，后面的數(shù)字表示焊盤中心孔間距，如下圖所示(示例RAD-0.3)

電解電容封裝則以RB標(biāo)識(shí)，常見封裝有：RB.2/.4、RB.3 /.6、RB.4/.8、RB.5/1.0，符號(hào)中前面數(shù)字表示焊盤中心孔間距，后面數(shù)字表示外圍尺寸(絲印)，單位仍然是英寸，如下圖(RB-.3/.6)

3、額定電壓

電容的額定電壓是指加在電容上的最大“安全電壓”。但超過(guò)了額定電壓不一定會(huì)擊穿，一般電容的實(shí)際耐壓會(huì)超過(guò)額定電壓的20%，但使用應(yīng)預(yù)留工作電壓的1.5倍到2倍取耐壓。但是超過(guò)了額定電壓是很容易擊穿，發(fā)熱，開裂的。常規(guī)的電容額定電壓如下：

額定電壓：6.3V、10V、16V、25V、32V、50V、63V、100V、160V、250V、400V、450V、500V、630V、1000V、1200V、1500V、1600V、1800V、2000V等。

電容器的額定工作電壓通常是指直流值。如果直流中含有脈動(dòng)成分，該脈動(dòng)直流的最大值應(yīng)不超過(guò)額定值;如果工作于交流，此交流電壓的最大值應(yīng)不超過(guò)額定值。并且隨著工作頻率的升高，工作電壓應(yīng)降低。

有極性的電容器不能用于交流電路。電解電容器的耐溫性能很差，如果工作電壓超過(guò)允許值，介質(zhì)損耗將增大，很容易導(dǎo)致溫升過(guò)高，最終導(dǎo)致?lián)p壞。一般說(shuō)來(lái)，電容器工作時(shí)只允許出現(xiàn)較低溫升，否則屬于不正?，F(xiàn)象。因此，在設(shè)備安裝時(shí)，應(yīng)盡量遠(yuǎn)離發(fā)熱元件(如大功率管、變壓器等)。如果工作環(huán)境溫度較高，則應(yīng)降低工作電壓使用。

4、溫度系數(shù)

電容溫度系數(shù)(是在給定的溫度間隔內(nèi)，溫度每變化1℃時(shí)，電容的變化數(shù)值與該溫度下的標(biāo)稱電容的比值。電容溫度系數(shù)是電容器陶瓷、微波陶瓷等材料的重要的電性能指標(biāo)之一。

電容器的溫度系數(shù)越大，其容量隨溫度的變化越大，這在很多電路是不允許的。例如振蕩電路中的振蕩回路元件、移相網(wǎng)絡(luò)元件、濾波器等，溫度系數(shù)大，會(huì)使電路產(chǎn)生漂移，造成電路工作的不穩(wěn)定。這些場(chǎng)合應(yīng)選用溫度系數(shù)小的電容器，以確保其能穩(wěn)定工作。

5、頻率特性

電容器的頻率特性通常是指電容器的電參數(shù)(如電容量、損耗角正切值等)隨電場(chǎng)頻率而變化的性質(zhì)。在高頻下工作的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時(shí)比低頻時(shí)小，因此電容量將相應(yīng)地減小。與此同時(shí)，它的損耗將隨頻率的升高而增加。此外在高頻工作時(shí)，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片接觸電阻，極片的自身電感，引線電感等，都將影響電容器的性能，由于這些因素的影響，使得電容器的使用頻率受到限制。

不同品種的電容器，最高使用頻率范圍不同。小型云母電容器在250MHz以內(nèi)，圓片型瓷介電容器最高工作頻率為300MHz, 圓管型瓷介電容器最高工作頻率為200MHz, 圓盤型瓷介電容器最高工作頻率為3000MHz。

五、電容器的使用：

5.1、電容的作用

電容的作用有很多，我們只介紹常用的幾種。

①隔直流：作用是阻止直流通過(guò)而讓交流通過(guò)。

隔直流：電容對(duì)直流電有隔直作用，是指在直流電流對(duì)電容充電完成以后，電路中沒有電流流動(dòng)了。在直流電源剛加到電容上時(shí)，電路中是有電流流動(dòng)的，這一電流是對(duì)電容的充電電流。這一電流流動(dòng)的過(guò)程很快就會(huì)結(jié)束，具體時(shí)間長(zhǎng)短與電路中電阻和電容的大小有關(guān)，兩者大小乘積越大充電時(shí)間就越長(zhǎng)，反之越短。充電完成后，電容兩端的電壓等于直流電源電壓的大小。

通交流：在交流電的一個(gè)周期內(nèi)，由于對(duì)電容的正反向充電，流過(guò)電路中的電流方向是改變的，但由于對(duì)電容的反復(fù)充放電，就會(huì)使電路中始終有電流通過(guò)，等效于電容能夠讓交流電通過(guò)，這就是電容的通交特性。

②旁路(去耦)：為交流電路中某些并聯(lián)的組件提供低阻抗通路。

去耦電容主要是去除高頻如RF信號(hào)的干擾，干擾的進(jìn)入方式是通過(guò)電磁輻射。而實(shí)際上，芯片附近的電容還有蓄能的作用，這是第二位的。你可以把總電源看作密云水庫(kù)，我們大樓內(nèi)的家家戶戶都需要供水，這時(shí)候，水不是直接來(lái)自于水庫(kù)，那樣距離太遠(yuǎn)了，等水過(guò)來(lái)，我們已經(jīng)渴的不行了。實(shí)際水是來(lái)自于大樓頂上的水塔,水塔其實(shí)是一個(gè)buffer的作用。如果微觀來(lái)看，高頻器件在工作的時(shí)候，其電流是不連續(xù)的，而且頻率很高， 而器件VCC到總電源有一段距離，即便距離不長(zhǎng)，在頻率很高的情況下，阻抗Z=i*wL+R，線路的電感影響也會(huì)非常大，會(huì)導(dǎo)致器件在需要電流的時(shí)候，不能被及時(shí)供給。而去耦電容可以彌補(bǔ)此不足。這也是為什么很多電路板在高頻器件VCC管腳處放置小電容的原因之一(在vcc引腳上通常并聯(lián)一個(gè)去耦電容，這樣交流分量就從這個(gè)電容接地。)

每個(gè)集成電路(IC)都必須使用電容將各電源引腳連接到器件上的地，原因有二：防止噪聲影響其本身的性能，以及防止它傳輸噪聲而影響其它電路的性能。

電容器通過(guò)將高頻信號(hào)旁路到地而實(shí)現(xiàn)去耦作用。因此，數(shù)字芯片電源引腳旁邊100nF的小電容，你可以稱之為去耦電容，也可以稱之為旁路電容。

③耦合：作為兩個(gè)電路之間的連接，允許交流信號(hào)通過(guò)并傳輸?shù)较乱患?jí)電路

例如，DS90UB926Q芯片電路中(見下圖)C1與C2，即應(yīng)該用一個(gè)0.1μF電容交流耦合到這個(gè)引腳兩個(gè)引腳。

④濾波：這個(gè)對(duì)電路而言很重要，MCU背后電容基本都是這個(gè)作用。即在MCU每個(gè)電源輸入口出都會(huì)擺放這樣一個(gè)電容，如下圖所示。

即頻率f越大，電容的阻抗Z越小。當(dāng)?shù)皖l時(shí)，電容C由于阻抗Z比較大，有用信號(hào)可以順利通過(guò);當(dāng)高頻時(shí)，電容C由于阻抗Z已經(jīng)很小了，相當(dāng)于把高頻噪聲短路到GND上去了。

⑤溫度補(bǔ)償：針對(duì)其它組件對(duì)溫度的適應(yīng)性不夠帶來(lái)的影響，而進(jìn)行補(bǔ)償，改善電路的穩(wěn)定性。

分析：由于定時(shí)電容的容量決定了行振蕩器的振蕩頻率，所以要求定時(shí)電容的容量非常穩(wěn)定，不隨環(huán)境濕度變化而變化，這樣才能使行振蕩器的振蕩頻率穩(wěn)定。因此采用正、負(fù)溫度系數(shù)的電容釋聯(lián)，進(jìn)行溫度互補(bǔ)。

當(dāng)工作溫度升高時(shí)，Cl的容量在增大，而C2的容量在減小，兩只電容并聯(lián)后的總?cè)萘繛閮芍浑娙萑萘恐?，由于一個(gè)容量在增大而另一個(gè)在減小，所以總?cè)萘炕静蛔儭?

同理，在溫度降低時(shí)，一個(gè)電容的容量在減小而另一個(gè)在增大，總的容量基本不變，穩(wěn)定了振蕩頻率，實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償目的。

⑥計(jì)時(shí)：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時(shí)間常數(shù)。

輸入信號(hào)由低向高跳變時(shí)，經(jīng)過(guò)緩沖1后輸入RC電路。電容充電的特性使B點(diǎn)的信號(hào)并不會(huì)跟隨輸入信號(hào)立即跳變，而是有一個(gè)逐漸變大的過(guò)程。當(dāng)變大到一定程度時(shí)，緩沖2翻轉(zhuǎn)，在輸出端得到了一個(gè)延遲的由低向高的跳變。

⑦調(diào)諧：對(duì)與頻率相關(guān)的電路進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)諧，比如手機(jī)、收音機(jī)、電視機(jī)。

⑧整流：在預(yù)定的時(shí)間開或者關(guān)半閉導(dǎo)體開關(guān)組件。

⑨儲(chǔ)能：儲(chǔ)存電能，用于必須要的時(shí)候釋放。例如相機(jī)閃光燈，加熱設(shè)備等等。

⑩防止電壓突變：主要用于負(fù)載突然增大或電源輸入能力下降時(shí)，穩(wěn)定電路，如下圖中C324 C325等電容。

5.2、電解電容的爆裂的原因

電容器爆炸的情況又分鉭電容和電解電容，設(shè)計(jì)的時(shí)候特別注意，所以現(xiàn)在很多設(shè)計(jì)避免用鉭電容，而電解電容使用也要特別注意。

爆炸的直接原因無(wú)非是溫度升高后，導(dǎo)致電容內(nèi)部的電解液急速汽化膨脹，沖破外殼束縛而爆發(fā)。但造成這一問(wèn)題的原因可能有以下這些：

1、電壓過(guò)高，導(dǎo)致電容擊穿，通過(guò)電容的電流在瞬間急速增加;

2、環(huán)境溫度過(guò)高，超過(guò)電容的允許工作溫度，引起電解液沸騰;

3、電容極性接反，造成與1同樣的結(jié)果。

還有其他原因也會(huì)導(dǎo)致電容爆裂：

⑴由于制造質(zhì)量差等原因，電容器的內(nèi)部元件擊穿。

⑵由于套管密封不良而進(jìn)入潮氣，降低了絕緣電阻;由于滲、漏油、油面下降，從而導(dǎo)致對(duì)外殼放電或元件擊穿。

⑶內(nèi)部游離和鼓肚。當(dāng)電容器內(nèi)部產(chǎn)生電暈、擊穿放電和嚴(yán)重游離時(shí)，電容器在過(guò)電壓作用下，會(huì)產(chǎn)生一系列物理、化學(xué)、電氣效應(yīng)，加速絕緣老化、分解而產(chǎn)生氣體，形成惡性循環(huán)，以致箱殼壓力增大，造成箱壁外鼓進(jìn)而導(dǎo)致爆炸。

⑷絕緣損壞，尤其是高壓側(cè)引出線制造工藝不良、邊緣不平、有毛刺或嚴(yán)重變折時(shí)，尖端容易產(chǎn)生電暈，電暈使油分解、箱殼膨脹、油面下降而造成元件擊穿。此外，在封蓋時(shí)如果轉(zhuǎn)角處燒焊時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，破壞了內(nèi)部絕緣，降低了擊穿電壓，也易導(dǎo)致電容器損壞，進(jìn)而引起爆炸事故。

⑸當(dāng)進(jìn)行帶電合閘時(shí)，在合閘的瞬間，電壓極性可能與電容器殘留電荷的極性相反，因而引起爆炸。

⑹通風(fēng)不良、溫升過(guò)高、嚴(yán)重過(guò)電壓和電壓諧波分量大，也會(huì)引起爆炸。

5.2、常用電容的測(cè)量

⑴容量在0.01 pF以上固定電容的檢測(cè)：

將指針式萬(wàn)用表調(diào)至R×10k歐姆擋，并進(jìn)行歐姆調(diào)零，然后用萬(wàn)用表的紅、黑表筆分別接觸電容的兩個(gè)引腳，觀察萬(wàn)用表指針的變化。

如果表筆接通瞬間，萬(wàn)用表有微小變動(dòng)，然后又回到無(wú)窮大處，調(diào)換表筆后，再次測(cè)量現(xiàn)象相同，則可以判斷該電容正常; 如果表筆接通瞬間，萬(wàn)用表的指示至“0”附近，則可以判斷該電容被擊穿或嚴(yán)重漏電; 如果表筆接通瞬間，萬(wàn)用表變化后不再回至無(wú)窮大處，則可判斷該電容漏電; 如果兩次萬(wàn)用表均不動(dòng)，則可以判斷該電容已開路。

⑵容量小于0.01 pF的固定電容的檢測(cè)：

檢測(cè)10pF以下的小電容時(shí)，因電容容量太小，故用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)量，只能檢查其是否有漏電、內(nèi)部短路或擊穿現(xiàn)象：測(cè)量時(shí)選用萬(wàn)用表R×10k擋，將兩表筆分別任意接電容的兩個(gè)引腳，阻值應(yīng)為無(wú)窮大。如果測(cè)出阻值為零，則可以判定該電容漏電損壞或內(nèi)部擊穿。

5.3、RC電路充放電時(shí)間計(jì)算

電容稱為“慣性元件”，即電容器兩端的電壓，有一定的“電慣性”，不能突然變化。充放電時(shí)間，不光電容的容量有關(guān)，還與充/放電電路中的電阻R有關(guān)?！?UF電容它的充放電時(shí)間是多長(zhǎng)?”，不講電阻，就不能回答。以下為RC電路充放電時(shí)間計(jì)算：

V0 為電容上的初始電壓值;

V1 為電容最終可充到或放到的電壓值;

Vt 為t時(shí)刻電容上的電壓值。則，

Vt="V0"+(V1-V0)* [1-exp(-t/RC)]或，t = RC*Ln[(V1-V0)/(V1-Vt)]

例如：求充電到90%VCC的時(shí)間。(V0=0，V1=VCC，Vt=0.9VCC)

代入上式： 0.9VCC=0+VCC*[[1-exp(-t/RC)]

既 [[1-exp(-t/RC)]=0.9;

exp(-t/RC)=0.1

- t/RC=ln(0.1)

t/RC=ln(10) ln10約等于2.3

也就是t=2.3RC。

帶入R=10k C=10uf得。

t=2.3*10k*10uf=230ms

比如，單片機(jī)復(fù)位電路。如果復(fù)位是高電平復(fù)位，加電后電容充電電流逐漸減少，此時(shí)經(jīng)電阻接地的單片機(jī)IO是沒電壓的，因?yàn)殡娙菔歉糁绷鞯模钡匠潆娡戤呴_始放電，放電的過(guò)程同樣是電流逐漸減少的，開始放電時(shí)電流很大，加到電阻上后提供給IO高電平，一段時(shí)間(電容器的充放電參數(shù)：建立時(shí)間等)后，電流變?nèi)醯?，但是復(fù)位引腳已經(jīng)有了超過(guò)3us的高電平，所以復(fù)位就完成了。

5.4、電容的串并聯(lián)

并聯(lián)電容器組的等效電容比電容器組中任何一個(gè)電容器的電容都要大，但各電容器上的電壓卻是相等的，因此電容器組的耐壓能力受到耐壓能力最低的那個(gè)電容器的限制。

串聯(lián)電容器組的等效電容比電容器組中任何一個(gè)電容器的電容都要小，但由于總電壓分配到各個(gè)電容器上，所以電容器組的耐壓能力比每個(gè)電容器都提高了。

并聯(lián)電容器組各電容器的兩極板間電壓U相同，電容器組所帶的總電最Q為各個(gè)電容器所帶電量之和，即并聯(lián)電容器組的等效電容等于電容器組中各電容之和。

串聯(lián)電容器組各電容器所帶電量相等，就是電容器組的總電量Q、總電壓U等于各電容器電壓之和。串聯(lián)電容器組等效電容的倒數(shù)等于電容器組中各電容倒數(shù)之和。

所以，電容并聯(lián)，容量增加(各容量相加)，耐壓以最小的計(jì)。

串聯(lián)電容：串聯(lián)個(gè)數(shù)越多，電容量越小，但耐壓增大，其容量關(guān)系：1/C=1/C1+1/C2+1/C3

并聯(lián)電容：并聯(lián)個(gè)數(shù)越多，電容量越大，但耐壓不變，其容量關(guān)系：C=C1+C2+C3。