美光、紫光和三星、SK海力士一樣，都是同時跨足DRAM、NAND Flash兩大關(guān)鍵存儲器業(yè)務(wù)的廠商。紫光存儲器業(yè)務(wù)剛起步，截至今年第2季，美光是全球第三大DRAM廠、第四大NAND芯片廠。根據(jù)統(tǒng)計，三星、SK海力士今年第2季全球DRAM市占居前二大，市占總和超過74%，握有絕對寡占優(yōu)勢。NAND芯片方面，三星市占34.9%居冠，東芝以18.1%居次，WDC 14%第三，美光以13.5%第四，SK海力士為10.3%居第五。
都想要中國市場，都不想要中國實現(xiàn)芯片自給
前幾年的時候，紫光集團準備出資230億美元收購美光公司，這個價格比西部數(shù)據(jù)(WD)收購閃迪(SanDisk)的價格還要高很多，結(jié)果投資被美國政府以威脅國家安全為由否決，紫光在存儲芯片上的投資也從收購轉(zhuǎn)向了自研，后來收購武漢新晶成立了長江存儲科技公司。
不過，中國市場是所有大型半導體公司都不能拒絕的，一家就占了全球半導體芯片市場的一半，美光公司也有四分之一的營收來自中國，華為等公司還是美光的大客戶，盡管現(xiàn)在遇到了困難，但哪家美國公司也不會輕易放棄這個市場。
日前美光CEO訪問紫光集團，雙方目前沒有公布具體談了什么，是否有合作還不知道，但是這個消息一公布，韓國公司就變得敏感起來，擔心美光與紫光達成了某些存儲芯片領(lǐng)域的重要合作，一旦如此將會對全球存儲芯片市場產(chǎn)生重大影響，而韓國兩家公司占據(jù)了全球75%的內(nèi)存及50%的閃存芯片市場。
紫光集團旗下的長江存儲日前剛剛宣布量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，用上了自研的Xstacking堆棧技術(shù)，DRAM內(nèi)存業(yè)務(wù)今年6月份剛剛成立事業(yè)部，前幾天確定在重慶建立內(nèi)存研發(fā)中心及生產(chǎn)基地，預計2021年量產(chǎn)。
對此，美光方面證實確實到訪中國，并在中國國際半導體博覽會(IC China 2019)上發(fā)表了主題演講，但對于其他市場傳言，美光不予置評。
有分析師認為，美光造訪紫光，目的可能有兩個。一是以合適的價格取得未來長江存儲的NAND產(chǎn)能，并消除潛在競爭對手的威脅;第二，與紫光結(jié)盟后，將為中國市場打開門戶，且不會再受到法律訴訟的干擾。
業(yè)內(nèi)人士指出，單純從美光CEO訪問中國，就謠傳美光可能與紫光合作，太過小題大作、過度聯(lián)想，建議后續(xù)再觀察。三星和SK海力士之所以會緊張，主要是擔心美光若與中國半導體廠合作，或是對當?shù)赜行峦顿Y，都可能造成韓國內(nèi)存廠的威脅。
韓國專家：寧可信其有
據(jù)《Business Korea》訪問了一位韓國半導體業(yè)內(nèi)人士表示：“美光科技在中國擁有大量客戶，此次訪問可能是在新投資、或與中國半導體公司進行技術(shù)合作之前進行早期調(diào)查。”
該名半導體業(yè)內(nèi)人士說道：“無論哪種情況，美光CEO的中國行，都可能在很大程度上影響韓國半導體產(chǎn)業(yè)。”
紫光集團已于6月30日公告成立DRAM事業(yè)群，并于8月27日宣布與重慶市政府簽署合作協(xié)議，在重慶投資DRAM研發(fā)中心與工廠，預定2019年年底動工，并于2021年完工。
TrendForce估計，紫光DRAM事業(yè)群首要挑戰(zhàn)是相關(guān)工藝技術(shù)的開發(fā)。按先前經(jīng)驗，福建晉華當時與聯(lián)電密切合作，合肥長鑫也與奇夢達有技術(shù)交互授權(quán)，助產(chǎn)品開發(fā)。然而，紫光工藝開發(fā)上至今仍未有合作對象，如果自主開發(fā)，至少需要3-5年研發(fā)。
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