英特爾QLC 3D NAND固態(tài)盤(pán)產(chǎn)量已破千萬(wàn)
近日,英特爾非易失性存儲(chǔ)方案事業(yè)部宣布基于中國(guó)大連制造的QLC NAND裸片所生產(chǎn)的英特爾® QLC 3D NAND固態(tài)盤(pán)(SSD)已達(dá)1000萬(wàn)個(gè)。此項(xiàng)生產(chǎn)始于2018年底,這一新的里程碑也確立了QLC技術(shù)成為主流大容量硬盤(pán)技術(shù)的重要地位。
英特爾客戶端SSD戰(zhàn)略規(guī)劃與產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Dave Lundell表示:“很多公司都談?wù)撨^(guò)QLC技術(shù),但只有英特爾真正意義上實(shí)現(xiàn)了QLC技術(shù)的大規(guī)模交付。我們一方面看到整個(gè)市場(chǎng)對(duì)英特爾低成本高收益的容量型QLC SSD (英特爾® SSD 660p)有著巨大需求,同時(shí)也看到大家對(duì)英特爾®傲騰™技術(shù)+QLC解決方案傲騰H10混合式固態(tài)盤(pán)在高性能方面的表現(xiàn)充滿期待。”
關(guān)于這一里程碑的一些簡(jiǎn)要情況:
英特爾QLC 3D NAND主要應(yīng)用于英特爾SSD 660p、英特爾® SSD 665p 和傲騰H10混合式固態(tài)盤(pán)存儲(chǔ)解決方案。
英特爾QLC驅(qū)動(dòng)器采用每單元4比特設(shè)計(jì),并以64層和96層NAND配置存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
英特爾在過(guò)去十年中一直致力于該技術(shù)的研發(fā)。2016年,英特爾工程師將已被充分驗(yàn)證的浮柵(FG)技術(shù)調(diào)整為垂直方向,并將其集成在環(huán)柵結(jié)構(gòu)中,進(jìn)而獲得每裸片存儲(chǔ)384 Gb數(shù)據(jù)的3D TLC技術(shù)。2018年,具備64層,每單元4比特,可儲(chǔ)存1,024 Gb/裸片的3D QLC閃存問(wèn)世。2019年,英特爾升級(jí)到96層,進(jìn)一步提升了整體存儲(chǔ)密度。