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[導(dǎo)讀]  1 引言  IML(IN MOLDING LABEL)即模內(nèi)鑲件注塑,是集絲網(wǎng)印刷、成型和注塑相結(jié)合的一種新型模內(nèi)裝飾技術(shù)。目前該工藝在裝飾產(chǎn)品上已經(jīng)有廣泛應(yīng)用,應(yīng)用到天線設(shè)計(jì)上可

  1 引言

  IML(IN MOLDING LABEL)即模內(nèi)鑲件注塑,是集絲網(wǎng)印刷、成型和注塑相結(jié)合的一種新型模內(nèi)裝飾技術(shù)。目前該工藝在裝飾產(chǎn)品上已經(jīng)有廣泛應(yīng)用,應(yīng)用到天線設(shè)計(jì)上可節(jié)約空間,簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程,具有很大的潛在發(fā)展能力。IML技術(shù)不但改善產(chǎn)品的品質(zhì),還為產(chǎn)品創(chuàng)新拓寬了空間,提升了產(chǎn)品的附加值。

  本文采用的IML工藝是將天線鑲嵌在手機(jī)后殼里,具有穩(wěn)定和耐磨性的同時(shí)也對(duì)天線的調(diào)試造成了很大的不便。為了克服調(diào)試上的這種困難,我們采用安捷倫公司的AMDS軟件對(duì)天線進(jìn)行模擬仿真,在該軟件中可以很直觀地看到手機(jī)中各個(gè)器件,且能做到對(duì)幾微米厚度材料的模擬,得到的結(jié)果和實(shí)測(cè)結(jié)果有高度的一致性。同時(shí)也可以在設(shè)計(jì)前期找到天線的敏感區(qū),降低生產(chǎn)中的不良率,降低生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn),掌握天線的SAR,HAC等基本參數(shù),為最終設(shè)計(jì)調(diào)試提供可靠的理論支持,減少設(shè)計(jì)周期和成本。目前該技術(shù)已初步應(yīng)用于集團(tuán)IML天線的生產(chǎn)開(kāi)發(fā)過(guò)程,是行之有效的設(shè)計(jì)手段。

  2 設(shè)計(jì)原理及概述

  2.1 傳統(tǒng)天線設(shè)計(jì)

  在傳統(tǒng)的手機(jī)天線設(shè)計(jì)初期,主要用PCB板,天線支架,銅皮制作MOCKUP(圖1),使用網(wǎng)絡(luò)分析儀來(lái)調(diào)試天線。這種方法的主要特點(diǎn)是將銅皮貼在支架上,通過(guò)改變天線的形狀、大小等進(jìn)行調(diào)試,因此無(wú)法調(diào)試鑲嵌在手機(jī)后殼里中的天線,同時(shí)也無(wú)法測(cè)試天線的SAR、HAC等參數(shù),無(wú)法適應(yīng)新天線的設(shè)計(jì)要求。

  

 

  

 

  圖1 MOCKUP的制作

  2.2 IML天線設(shè)計(jì)

  (1)制作IML天線的流程

  在天線中應(yīng)用IML技術(shù)是一項(xiàng)新興技術(shù),它是把天線用IML技術(shù)集成到手機(jī)后殼中,即將天線壓入后蓋Film薄膜經(jīng)過(guò)成型機(jī)Forming成型,再經(jīng)過(guò)剪切后放置到注塑模具內(nèi)注塑而成。

  (2)IML天線優(yōu)缺點(diǎn)

  優(yōu)點(diǎn):由于天線集成到手機(jī)后殼里,增加了天線與Speaker及其他射頻模塊的相對(duì)距離,減少相互干擾,提高天線性能;在量產(chǎn)中,簡(jiǎn)化工藝流程,減少人為因素造成的不良,降低生產(chǎn)成本,且生產(chǎn)出的天線具有良好的一致性。

  缺點(diǎn):IML天線在進(jìn)行高壓成型時(shí)由于拉伸作用很容易造成天線的變形,從而影響天線性能;由于天線鑲嵌在天線后殼里,后殼的厚度和材質(zhì)對(duì)天線有很大的影響,因此無(wú)法用傳統(tǒng)的方法進(jìn)行調(diào)試。

  (3)解決方案

  在傳統(tǒng)天線MOCKCUP調(diào)試設(shè)計(jì)手段無(wú)法勝任這方面的任務(wù)時(shí),我們采用安捷倫公司的AMDS仿真軟件來(lái)調(diào)試IML天線,較好地解決了這一問(wèn)題。

  1)由圖2可以看出,在彎曲度大的地方拉伸時(shí)的變形量也相對(duì)較大,為了減小成型時(shí)的變形對(duì)天線性能的影響,應(yīng)盡量將天線的敏感區(qū)設(shè)計(jì)到平面上,通過(guò)AMDS的仿真可以很容易地找到天線的敏感區(qū)。

  2)AMDS軟件可以在網(wǎng)格化后很清楚地顯示手機(jī)殼里的天線形狀和尺寸,形象地模擬了天線的真實(shí)環(huán)境,仿真結(jié)果精確,且高效快速,可以大幅加速設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)周期,減少設(shè)計(jì)成本。

  

 

  圖2 網(wǎng)格拉伸示意圖

  3 仿真設(shè)計(jì)IML天線

  3.1 仿真模型建立

  仿真的流程是:導(dǎo)入3D 模型→設(shè)置材料參數(shù)和優(yōu)先級(jí)→模型網(wǎng)格化→設(shè)置饋線端口及其它參數(shù)→仿真運(yùn)算→優(yōu)化設(shè)計(jì)。

  在劃分網(wǎng)格時(shí),需要兼顧精度和時(shí)間。應(yīng)將天線、PWB等對(duì)天線影響大的器件分網(wǎng)格時(shí)要密一些,但要確保模型中的天線尺寸和實(shí)際尺寸要一致。

  3.2 調(diào)試天線的曲面敏感區(qū)

  1)整體模型的網(wǎng)格劃分:1mm*1mm*1mm.天線網(wǎng)格劃:0.3mm*0.2mm*0.2mm.

  2)從圖3的天線可以看出:該天線的①②部分的彎曲度比較大,在高壓成型后的變形大一些,因此我們需要評(píng)估天線這兩個(gè)部分的敏感度。

  

 

  圖3 手機(jī)天線模型

  將①部分從邊緣開(kāi)始每0.4mm減去一次,共5次,每減一次計(jì)算其RL特性曲線。對(duì)②重復(fù)①的操作。在每次變化其中一部分時(shí),天線其他部分應(yīng)保持不變。對(duì)天線進(jìn)行仿真得到RL特性曲線如圖4所示:

  

 

 ?、?部分每次減0.4mm,減5次的RL仿真結(jié)果圖

  

 

  ② 部分每次減0.4mm,減5次的RL仿真結(jié)果圖[!--empirenews.page--]

  圖4 RL仿真比較圖

  從圖4中的兩幅圖中可以看出:①的RL曲線的變化比較大,屬于敏感區(qū),因此在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)將①的面積盡量減少,以減少在高壓成型時(shí)天線形狀的變形量。綜合天線的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),將①的位置調(diào)試到③位置(平面區(qū)域)后,再模擬仿真后,天線的性能基本沒(méi)有變化,但是減少了天線敏感區(qū)在易拉伸變形區(qū)的面積。經(jīng)過(guò)大量的調(diào)試和仿真評(píng)估,最后得到的天線為如圖5,這樣天線敏感區(qū)在曲面上的部分轉(zhuǎn)移到平面上,很大程度上減少了在印刷沖壓后造成的天線變形,克服了在天線在IML工藝中最大的難題,為以后的批量生產(chǎn)奠定了良好的基礎(chǔ)。

  

 

  圖5 調(diào)試后的最終天線

  4 測(cè)試和仿真結(jié)果

  4.1 仿真和測(cè)試結(jié)果的比較

  (1)RL比較

  在天線優(yōu)化設(shè)計(jì)后,利用DELL490臺(tái)式電腦(帶有一個(gè)xFDTD加速卡)進(jìn)行寬帶仿真,耗時(shí)58分鐘,得到天線的RL。將上述設(shè)計(jì)的天線經(jīng)IML工藝生產(chǎn)后測(cè)試和仿真的RL對(duì)比如圖6,從圖中可以看到:實(shí)測(cè)結(jié)果和仿真結(jié)果基本是一致的,也證明了這種天線設(shè)計(jì)方案的可行性。

  

 

  圖6 虛線是測(cè)試數(shù)據(jù),實(shí)線是仿真數(shù)據(jù)

  (2)效率的比較

  將該模型的的輸入饋源,采用點(diǎn)頻仿真,并改變相應(yīng)的頻率,經(jīng)過(guò)約32分鐘的計(jì)算便可得到天線的效率,如表1所示。

  表1 效率仿真和測(cè)試結(jié)果對(duì)比

頻率(MHz)

仿真結(jié)果

實(shí)測(cè)結(jié)果

1850

52.6%

54.9%

1920

55.1%

59.2%

1990

48.7%

51.3%

824

43.2%

45.7%

859

48.6%

49.8%

894

44.1%

46.4%

  (3)SAR比較

  SAR(Specific Absorption Rate),手機(jī)行業(yè)中主要關(guān)注的是天線對(duì)人類(lèi)頭部的影響,SAR值的大小和手機(jī)的輻射功率密切相關(guān)。在天線設(shè)計(jì)中,要盡量減少SAR值,使之通過(guò)相應(yīng)的規(guī)范。在軟件仿真中,將SAM(頭部)模型導(dǎo)入原來(lái)模型中,并調(diào)節(jié)手機(jī)和SAM到合適位置,采用點(diǎn)頻饋源仿真。注意:在仿真不同頻率SAR時(shí),要改變不同頻率下組織液的相對(duì)介電常數(shù)和導(dǎo)電率,一次計(jì)算大約47分鐘后得到如表2的仿真結(jié)果。

  表2 SAR仿真和測(cè)試結(jié)果對(duì)比

信道

仿真結(jié)果

實(shí)際測(cè)試結(jié)果

Ch512

0.956mw/g

1.08mw/g

Ch661

1.062mw/g

1.16mw/g

Ch810

0.904mw/g

1.03mw/g

Ch128

1.051mw/g

1.04mw/g

Ch190

1.127mw/g

1.21mw/g

Ch251

1.024mw/g

1.18mw/g

  從實(shí)驗(yàn)室的測(cè)試數(shù)據(jù)看,仿真和測(cè)試有很好的一致性。

  (4)HAC比較

  HAC(Hearing Aid Compatibility)。在進(jìn)入美國(guó)的手機(jī)中,有一部分手機(jī)需要測(cè)試HAC并要通過(guò)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)。表3 HAC仿真和測(cè)試結(jié)果對(duì)比

Measure

Simulation

E-Field

(V/m)

H-Field

(A/m)

E-Field (V/m)

H-Field

(A/m)

Ch512

162/M2

0.351/M2

154.360/M2

0.3434/M2

Ch661

168.2/M2

0.401/M2

159.691/M2

0.3962/M2

Ch810

165.3/M2

0.337/M3

156.159/M2

0.3385/M3

Ch128

329.7/M1

0.31 /M3

316.62/M1

0.3265/M3

Ch190

340.2/M1

0.329/M3

343.624/M1

0.3315/M3

Ch251

338.8/M1

0.345/M2

340.414/M1

0.3518/M2

  4.2 傳統(tǒng)天線設(shè)計(jì)和仿真技術(shù)的比較

  從表4可以看出采用軟件仿真可以減少設(shè)計(jì)成本,縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期,并且可以很好地解決IML技術(shù)中的問(wèn)題。

  表4 傳統(tǒng)天線設(shè)計(jì)和仿真技術(shù)的比較

可行性

時(shí)間

精度

費(fèi)用/元

其他

 

I

M

L

仿真技術(shù)

3天

85%

基本無(wú)

可找出敏感區(qū)

MOCKUP

參考

5~7天

60%

2000~5000

N/A

傳統(tǒng)設(shè)計(jì)

仿真技術(shù)

3天

85%

基本無(wú)

可模擬整機(jī)

MOCKUP

5~7天

90%

2000~5000

N/A

  5 結(jié)論和體會(huì)

  本文設(shè)計(jì)了一款基于IML工藝的雙頻手機(jī)天線,由于用IML工藝生產(chǎn)的天線是集成在手機(jī)殼里的,難以采用傳統(tǒng)方法調(diào)試,因此我們用電磁仿真軟件AMDS設(shè)計(jì)、調(diào)試了天線,根據(jù)設(shè)計(jì)生產(chǎn)出了IML天線樣品并測(cè)出了RL曲線,仿真與測(cè)試結(jié)果有很好的一致性,驗(yàn)證了我們的設(shè)計(jì)的。采用這種新技術(shù),新工藝設(shè)計(jì)天線可以節(jié)約大量的成本,縮短研發(fā)周期,提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。

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