全面逆襲!國產(chǎn)自主3D NAND閃存大躍進(jìn)

按照我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃看，存儲芯片是最優(yōu)先的，而紫光占據(jù)了這股發(fā)展力量的主力，去年7月，他們參與了長江存儲科技有限責(zé)任公司的投資，這是個總投資1600億元的國家存儲器項(xiàng)目，主攻3D NAND(2018年將啟動第二期建設(shè)，規(guī)劃是上DRAM內(nèi)存芯片，2019年啟動第三期建設(shè)，主要目標(biāo)是代工服務(wù))。

有報道稱，長江存儲CEO楊士寧透露，他們與與微電子所三維存儲器研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā)的32層3D NAND芯片，已經(jīng)順利通過電學(xué)特性等各項(xiàng)指標(biāo)測試，達(dá)到預(yù)期要求。

對于這樣的成績楊士寧強(qiáng)調(diào)，一直以來我國在存儲器芯片領(lǐng)域長期面臨市場需求大而自主知識產(chǎn)權(quán)和關(guān)鍵技術(shù)缺乏的困境，現(xiàn)在長江存儲成功實(shí)現(xiàn)了工藝器件和電路設(shè)計(jì)的整套技術(shù)驗(yàn)證，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出具有標(biāo)志性意義的關(guān)鍵一步。

據(jù)悉，長江存儲對三維存儲結(jié)構(gòu)進(jìn)行建模，采用根據(jù)層數(shù)可調(diào)制的編程、讀取電壓配置，補(bǔ)償了器件特性隨陣列物理結(jié)構(gòu)的分布差異，降低了單元串?dāng)_影響，保證了芯片達(dá)到產(chǎn)品級的功能和性能指標(biāo)。

長江存儲最快2017年底正式推出3D NAND閃存，32層堆棧結(jié)構(gòu)，也就是說我們今年有可能看到真正國產(chǎn)的閃存芯片了。

從自身實(shí)力來看，國產(chǎn)3D NAND閃存32層堆棧的起點(diǎn)已經(jīng)相當(dāng)可以了，三星、Hynix、東芝、美光等公司第一代3D閃存也不過是24層堆棧，不過現(xiàn)在看32層堆棧的還算是主流，但想想身后的48層、64層堆棧的3D閃存，所以加快技術(shù)儲備推進(jìn)研發(fā)才是最應(yīng)該堅(jiān)持不懈的。