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  • 設(shè)計(jì)超低壓差的BOOST變換器

    在實(shí)際的應(yīng)用中,電子系統(tǒng)會(huì)遇到一些超低壓差的BOOST變換器,如基于USB供電的系統(tǒng),由于考慮到USB線上的壓降,會(huì)采用一個(gè)升壓的BOOST變換器,將電壓升到5V以上,如5.15V,5.2V或5.25V。通常USB口由于輸出負(fù)載的影響以及主機(jī)USB電源管理功能的差異,其電壓會(huì)在

  • 2019年全球服務(wù)器出貨量和銷售額排名

    IDC發(fā)布2019年全年全球服務(wù)器市場(chǎng)數(shù)據(jù), 2019年全球服務(wù)器出貨量和銷售額分別為1174萬(wàn)臺(tái)和873億美元,同比輕微下降0.9%和1.7%。 2019年全球服務(wù)器市場(chǎng)的銷售額前三名分別為戴爾、HPE、浪潮,戴爾銷售額同比下降6.9%,份額為17.8%,HPE銷售額下降8.4%,份額為1

  • 周末隨想:PFC中功率MOSFET常見(jiàn)的一種失效形式

    TV、戶外LED照明等功率比較大的電源系統(tǒng)中,通常輸入端使用PFC功率因素校正電路。系統(tǒng)反復(fù)起動(dòng)的過(guò)程中,如系統(tǒng)動(dòng)態(tài)老化Burn In測(cè)試、輸入打火測(cè)試,由于PFC控制芯片的供電VCC電源建立過(guò)程比較慢,特別是使用PFC的電感繞組給PFC控制芯片供電的情況,會(huì)導(dǎo)致功

  • 頻率折返工作方式:逐漸降低頻率折返,及電流頻率二級(jí)折返保護(hù)

    輸出短路保護(hù)固定頻率折返,折返工作頻率高,輸出短路保護(hù)效果會(huì)降低;折返工作頻率低,系統(tǒng)甚至進(jìn)入到非連續(xù)工作模式,雖然保護(hù)效果好,但有可能導(dǎo)致輸出短路消除后輸出電壓無(wú)法恢復(fù)正常。如圖1所示,輸入24V、輸出12V的 DCDC變換器,輸出短路時(shí),固定折返頻率為正常工作頻率的1/16,系統(tǒng)進(jìn)入到非連續(xù)工作模式。

  • GAAFET,是什么技術(shù)?

    美國(guó)計(jì)劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國(guó)大陸,GAA(環(huán)繞柵極)是GAA FET,那么,什么是GAA FET(環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管)?

    電源
    2022-09-19
  • 頻率折返的工作方式:固定頻率折返

    輸出短路后輸出電壓非常低,電感的激磁電流di/dt變得非常大,去磁電流di/dt變得非常小,工作幾個(gè)開(kāi)關(guān)周期后電感激磁的起始電流不斷增加,極端情況下電感可能發(fā)生飽和,電感值L降低到非常低的值。

  • 2020年全球分立IGBT器件供應(yīng)商營(yíng)業(yè)額及排名

    2020年全球分立IGBT器件主要供應(yīng)商中,排名前10的分別為:Infineon,F(xiàn)ujiElectric,Mitsubishi,ON,Toshiba,ST,Littlefuse,RenesasElectronics,MagnaChip,HangzhouSilan。2020年全球...

    電源
    2021-12-07
  • SiC?MOSFET結(jié)構(gòu)及特性

    SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單,單元的一致性較好,雪崩能量比較高。但是,這種結(jié)構(gòu)的中間,N區(qū)夾在兩個(gè)P區(qū)域之間,當(dāng)電流被限制在靠近P體區(qū)域的狹窄的N區(qū)中流過(guò)時(shí),將產(chǎn)生JF...

    電源
    2021-11-29
  • 2020年全球IGBT模塊供應(yīng)商營(yíng)業(yè)額及排名

    2020年全球IGBT模塊主要供應(yīng)商中,排名前10的供應(yīng)商分別為:Infineon,F(xiàn)ujiElectric,Mitsubishi,Semikron,Vincotech,Starpower,Hitachi,Danfoss,HitachiABBPGS和Bosch。2020年全球IG...

    電源
    2021-11-29
  • 理解IGBT的連續(xù)集電極電流IC

    IGBT數(shù)據(jù)表中連續(xù)集電極電流IC,也稱為直流集電極電流,先對(duì)比一下二家不同公司的額定電流相同的IGBT產(chǎn)品(10A/600V)的數(shù)據(jù)表,可以看到標(biāo)稱的連續(xù)集電極電流IC的差異。廠家1:廠家2:在數(shù)據(jù)表中,25℃和100℃時(shí),二個(gè)標(biāo)稱相同額定電流的IGBT,IC并不相同。那么,I...

  • 回復(fù)最近一些工程師朋友留言詢問(wèn)看不到以前文章的問(wèn)題

    最近一些工程師朋友和讀者留言詢問(wèn),說(shuō)微信公眾號(hào)里面看不到以往的文章,作者檢查后發(fā)現(xiàn)主要問(wèn)題是:微信公眾號(hào)主頁(yè)面下方的菜單(圖1中最下方紅色方框部分),點(diǎn)擊菜單后,對(duì)應(yīng)的鏈接出現(xiàn)了問(wèn)題,出現(xiàn)“該內(nèi)容已被發(fā)布者刪除”的提示,如圖4所示,估計(jì)最近微信公眾號(hào)更新系統(tǒng)是導(dǎo)致這個(gè)問(wèn)題的原因。...

    電源
    2021-10-26
  • 2020年全球功率MOSFET和IGBT供應(yīng)商營(yíng)業(yè)額及排名

    2020年,功率MOSFET和IGBT產(chǎn)能非常緊缺,交貨周期依然非常長(zhǎng)。下游需求旺盛,功率MOSFET和IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價(jià)格,由于受到產(chǎn)能的限制,功率MOSFET和IGBT的市場(chǎng)供給仍然處于非常緊張的狀態(tài),這種狀況一直持續(xù)到2021年。OMDIA、Yole及其他的...

    電源
    2021-10-21
  • 2020年全球功率MOSFET/IGBT供應(yīng)商營(yíng)業(yè)額及排名

    2020年,功率MOSFET/IGBT產(chǎn)能非常緊缺,交貨周期非常長(zhǎng)。下游需求旺盛,功率MOSFET/IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價(jià)格,由于受到產(chǎn)能的限制,功率MOSFET市場(chǎng)供給仍然處于緊張的狀態(tài),一直持續(xù)到2021年。IHS、Yole及其他的一些全球著名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu),在其年...

    電源
    2021-10-09
  • 電池充放電管理PCM保護(hù)板功率MOSFET應(yīng)用(2)

    ?4、PCM功率MOSFET的性能要求離子電池的容量從早期的600mAh、1000mAh到現(xiàn)在,高達(dá)6000mAh、10000mAh,為了實(shí)現(xiàn)更快的充電速度,降低充電時(shí)間,通常采用提高電流、使用大電流充電的快充技術(shù),那么,大電流充電,對(duì)電池包內(nèi)的功率MOSFET就提出了更高的技術(shù)...

    電源
    2021-09-06
  • ?周末隨想:PCB銅皮的面積和熱阻

    實(shí)際的應(yīng)用中,DFN3*3、DFN5*6、SO8等封裝類型的貼片元件,都會(huì)在PCB板器件位置的底部鋪上一大片銅皮,然后器件底部框架的銅皮焊接在PCB的這一大片的銅皮上,加強(qiáng)散熱。理論上,PCB板銅皮鋪的面積越大,總熱阻就越低,器件的溫升就越低。由于PCB板上其他元件及PCB本身尺...

    電源
    2021-08-19
簡(jiǎn)介
松哥電源,致力于提供一個(gè)電力電子及電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)與交流的空間,聚集背景相類、價(jià)值觀相同的電子工程師的智慧,探討理論,關(guān)注細(xì)節(jié),評(píng)說(shuō)經(jīng)驗(yàn),分享電力電子及電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的快樂(lè)。
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