特瑞仕美國公司研究開發(fā)中心搬遷通知

特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社(日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理：芝宮　孝司)于2017年3月6日將特瑞仕美國公司研究開發(fā)中心實(shí)施搬遷。

本次特瑞仕美國公司研究開發(fā)中心的搬遷和擴(kuò)大設(shè)施，是為了伴隨開發(fā)項(xiàng)目的增加，擴(kuò)充研究和開發(fā)中不可缺少的評(píng)估

設(shè)備、分析裝置、并力圖強(qiáng)化開發(fā)環(huán)境。

將本研究開發(fā)中心搬遷到去年4月在硅谷地區(qū)開設(shè)的研究開發(fā)中心、并擴(kuò)大設(shè)施。總建筑面積為現(xiàn)在的研究開發(fā)中心的3倍。此外，伴隨研究開發(fā)項(xiàng)目的增加、還將相應(yīng)地積極增加和充實(shí)開發(fā)人員。

特瑞仕將以此為契機(jī)，向開發(fā)高附加價(jià)值模擬電源IC產(chǎn)品邁出更大的一步。

【特瑞仕美國公司研究開發(fā)中心　新開發(fā)基地概要】