IR授權(quán)英飛凌科技使用DirectFET封裝技術(shù)

時(shí)間：2007-09-25 21:47:00

關(guān)鍵字： DIRECT FET 英飛凌封裝技術(shù)

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國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 與英飛凌科技股份有限公司 (Infineon Technologies) 共同宣布，后者將獲授權(quán)使用IR的DirectFET先進(jìn)功率管理封裝專利技術(shù)。

DirectFET 功率封裝是業(yè)界首個(gè)在SO-8或更小占位面積，提供高效上部散熱的表面貼裝功率MOSFET封裝技術(shù)，適用于計(jì)算機(jī)、筆記本電腦、電信和消費(fèi)電子設(shè)備的AC-DC及DC-DC功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。與標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝相比，DirectFET的金屬罐構(gòu)造具有雙面散熱功能，因而可有效將高頻DC-DC降壓式轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加一倍。

英飛凌將把DirectFET功率封裝技術(shù)應(yīng)用于旗下的OptiMOS 2和OptiMOS 3芯片技術(shù)，預(yù)計(jì)在2008年初開(kāi)始提供DirectFET封裝的OptiMOS 2樣品。

IR企業(yè)功率業(yè)務(wù)部副總裁Tim Phillips表示：“由于采用了獨(dú)特的雙面散熱設(shè)計(jì)，IR的DirectFET封裝技術(shù)可以降低能量損耗，減小設(shè)計(jì)占位面積，是先進(jìn)計(jì)算、消費(fèi)及通信應(yīng)用首選的解決方案。”

他還表示：“我們不斷為節(jié)省能源開(kāi)發(fā)尖端技術(shù)，并通過(guò)授權(quán)協(xié)議擴(kuò)大 DirectFET這類創(chuàng)新技術(shù)在節(jié)能方面的影響力，進(jìn)一步擴(kuò)展我們?cè)诠β使芾硎袌?chǎng)最主要領(lǐng)域的業(yè)務(wù)。”

英飛凌科技功率管理及驅(qū)動(dòng)器業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Arunjai Mittal表示：“根據(jù)這項(xiàng)協(xié)議，英飛凌將繼續(xù)擴(kuò)充旗下的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。把我們成功的OptiMOS芯片技術(shù)與不同封裝規(guī)格相結(jié)合，以適應(yīng)廣泛的應(yīng)用，使電源設(shè)計(jì)師可以為特定應(yīng)用采用節(jié)能的、有成本效益的解決方案。OptiMOS 2和OptiMOS 3器件本身具有卓越的特性，現(xiàn)在加上具有雙面散熱能力的封裝，將進(jìn)一步鞏固英飛凌在功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)的地位。”