HOMSEMI MOSFET在高性能無葉風(fēng)扇方案中的應(yīng)用和評測

本方案選用高性能的ST系列MCU，采用無級變速調(diào)節(jié)風(fēng)機,配合紅外遙控,操作簡單、快捷、方便。MCU發(fā)送過來的PWM脈沖指令傳輸?shù)綄ｉT匹配的成啟半導(dǎo)體（HOMSEMI）功率MOSFET HS2N60IB，驅(qū)動無刷直流電機,最高轉(zhuǎn)速可達(dá)到10000r/min.成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)功率MOSFET HS2N60IB極低的Qgs和Rds(ON),配合重量輕效率高的無刷直流電動機,使產(chǎn)品更加節(jié)能環(huán)保,增強了系統(tǒng)的可靠性及大幅度降低了生產(chǎn)成本。
無葉風(fēng)扇也叫空氣增倍機.于2009年底首度推出.這項發(fā)明靈感于空氣葉片干手器—其原理是迫使空氣通過一個小口來刷干手上的水.無葉風(fēng)扇是讓空氣從一個1.3MM寬的圓環(huán)切口里吹出來,由于空氣是被強制從這一個圓圈里吹出來,所以通過的空氣量可以增加到15倍,時速可增至35公里.
 
 

方案中無刷直流電機（BLDCM）輸入(110V/220V)交流電, 經(jīng)轉(zhuǎn)換器(converter)轉(zhuǎn)成直流,要轉(zhuǎn)入電機線圈前須先將直流電壓由換流器(inverter)轉(zhuǎn)成3相電壓來驅(qū)動電機。換流器(inverter)由6個功率MOSFET(VT1～VT6)分為上臂(VT1、VT3、VT5)/下臂(VT2、VT4、VT6)連接電機作為控制流經(jīng)電機線圈的開關(guān)。MCU提供PWM(脈沖寬度調(diào)制)決定功率MOSFET HS2N60IB開關(guān)頻度及換流器(inverter)換相的時機。

一.控制器原理框圖：

 
1. VT1-VT6是成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)功率MOSFET HS2N60IB.
2. PMSM代表是無刷直流電動機也可以是永磁同步電動機。
3. 驅(qū)動控制器就是單片機可以是8位或是32位單片機。
4. 電源輸入兼容115VAC或230VAC. 在控制板上跳線選擇。[!--empirenews.page--]
二.原理圖
 
三.MOSFET輸出波形圖
 
該系列無葉風(fēng)扇方案，采用體積小效率高的無刷直流電動機,主控芯片使用STM8系列MCU，并配合成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)半導(dǎo)體專門匹配的功率MOSFET HS2N60IB,啟動更平穩(wěn),噪音更小,以達(dá)到性價比的最優(yōu)化。
背景資料：
廣州成啟半導(dǎo)體有限公司（HOMSEMI）：是研發(fā)和生產(chǎn)功率半導(dǎo)體（MOSFET、IGBT）的一家高新科技企業(yè)，其經(jīng)營特點是產(chǎn)品均與應(yīng)用方案結(jié)合，針對具體不同的應(yīng)用進(jìn)行參數(shù)的匹配和優(yōu)化。
ST M8系列MCU：
●ST意法半導(dǎo)體8位單片機
●最高fcpu頻率：24MHz，當(dāng)fcpu≤16MHz時0等待的存儲器訪問。
●性價比相對較高。
HS2N60IB：
●HOMSEMI PLANNAR MOSFET
●VDS：600V
●ID：2A
●針對DCBL馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用優(yōu)化。