宜普電源轉(zhuǎn)換公司的單片式eGaN®半橋晶體管系列 榮獲《Electronics Products》雜志頒發(fā)\"年度產(chǎn)品大獎\"

單晶片半橋式氮化鎵功率晶體管EPC2100獲得著名電子雜志頒發(fā)“年度產(chǎn)品大獎”，在競爭激烈的分立式半導(dǎo)體產(chǎn)品類別中被評選為極具創(chuàng)新性的產(chǎn)品。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的單片半橋式硅基氮化鎵(eGaN®)功率晶體管榮獲《Electronics Products》雜志頒發(fā)2014年“年度產(chǎn)品大獎”。

面向電子設(shè)計工程師的業(yè)界著名雜志《Electronics Products》的編輯對數(shù)千個于2014年推出的半導(dǎo)體產(chǎn)品進行評選。評審標(biāo)準(zhǔn)包括極具創(chuàng)新性的設(shè)計、產(chǎn)品在技術(shù)或應(yīng)用方面具備重大的創(chuàng)新能力，以及在性價比和性能方面取得重大成果。宜普電源轉(zhuǎn)換公司的半橋式硅基氮化鎵(eGaN®)功率晶體管作為業(yè)界第一個可作商業(yè)用途的增強型單晶半橋式晶體管在競爭激烈的分立式半導(dǎo)體類別獲得“年度產(chǎn)品大獎”殊榮。

“EPC2100半橋產(chǎn)品系列實現(xiàn)了新興氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)的大躍進。”《Electronics Products》雜志高級編輯Paul O’Shea說。“通過集成兩個eGaN功率場效應(yīng)晶體管而成為單個器件可以除去印刷電路板上器件之間的相連電感及空隙。 這樣可以提高效率(尤其是器件在更高頻工作時)及增加功率密度并同時減低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。”

“我們非常榮幸獲得業(yè)界著名雜志《Electronics Products》的備受尊崇編輯群的支持，評審選出EPC2100氮化鎵(eGaN)半橋產(chǎn)品系列及頒發(fā)“年度產(chǎn)品大獎”。此項殊榮是對新興氮化鎵技術(shù)在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位予以肯定。我們深信硅基MOSFET在發(fā)展進程上已經(jīng)走到盡頭，而eGaN技術(shù)將繼續(xù)帶領(lǐng)業(yè)界提升功率管理產(chǎn)品的性能并實現(xiàn)革命性的突破。”宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官Alex Lidow說道。

2014年“年度產(chǎn)品大獎”項于《Electronics Products》雜志2014年1月刊宣布并刊載了關(guān)于每一個獲獎產(chǎn)品的特稿及摘要。詳情請瀏覽該雜志網(wǎng)站，網(wǎng)址為http://www.electronicproducts.com/Discrete_Semiconductors/Transistors_Diodes/First_GaN_half_bridge_transistor_integrates_two_GaN_FETs.aspx

《Electronics Products》雜志的第39屆“年度產(chǎn)品大獎”選出2014年度業(yè)界最佳產(chǎn)品。

關(guān)于EPC2100 單片半橋式eGaN產(chǎn)品

EPC2100半橋式硅基氮化鎵(eGaN®)功率晶體管是業(yè)界第一個可作商業(yè)用途的增強型單晶半橋式晶體管，為功率系統(tǒng)工程師提供一個可以提高全降壓型轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的效率及功率密度的解決方案，并在10 A輸出電流時實現(xiàn)接近93%的效率;以及推動12 V轉(zhuǎn)1.2 V的負載點轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)工作在500 kHz、25 A輸出電流時實現(xiàn)超過90.5%的效率。

關(guān)于Hearst Electronics Group

Hearst Electronics Group (HEG)為全球電子工程業(yè)界的專業(yè)人士提供獨有產(chǎn)品信息及資料、庫存搜索工具、撰寫內(nèi)容服務(wù)、設(shè)計工具、論壇及社區(qū)支持包括工程師、采購及策略決策者。 HEG旨在成為任何需要搜索關(guān)于電子元件及系統(tǒng)設(shè)計工具的資料的設(shè)計師會使用的唯一的技術(shù)平臺。HEG擁有的商標(biāo)包括Electronic Products、 EEM.com、21ic、今日電子、Embedded Developer、EEWeb及Aspen Labs，它隸屬于Business Media (HBM)，HBM為Hearst Corporation的營運集團。 如欲知道更多關(guān)于該集團的資訊，請瀏覽這些網(wǎng)址：electronicproducts.com、eem.com、embeddeddeveloper.com、epc.com.cn、 21ic.com、eeweb.com、aspenlabs.com及hearstadvantage.com。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司簡介

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com.cn )是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器 、 無線電源傳送 、 包絡(luò)跟蹤 、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學(xué)遙感技術(shù)(LiDAR) 及 D類音頻放大器 等應(yīng)用，器件的性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。

商標(biāo)

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊商標(biāo)。