新款ThunderFET™功率MOSFET（Vishay）

時間：2010-07-06 22:31:56

關(guān)鍵字： Vishay 功率MOSFET RF 導(dǎo)通電阻

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動下就能導(dǎo)通的80V功率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動下就能導(dǎo)通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強(qiáng)型PowerPAK® SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導(dǎo)通電阻。在4.5V柵極驅(qū)動下，該器件的典型導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積為161，該數(shù)值是DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM，單位是nC-mΩ)。

SiR880DP針對通信負(fù)載點應(yīng)用的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器中初級側(cè)開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。非常低的導(dǎo)通電阻意味著可減少功率損耗和實現(xiàn)更綠色的解決方案，尤其是在待機(jī)模式這樣的輕負(fù)載條件下。

器件的4.5V電壓等級有助于實現(xiàn)更高頻率的設(shè)計，在POL應(yīng)用中大幅降低柵極驅(qū)動損耗，并且可以使用電壓更低、成本更低的5V PWM IC。截止目前，其他80V功率MOSFET還只能在6V或更高的柵極驅(qū)動下才能導(dǎo)通。

SiR880DP經(jīng)過了完備的Rg和UIS測試。這款采用PowerPAK SO-8封裝的MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiR880DP現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。