3款新型功率MOSFET產(chǎn)品（瑞薩電子）

瑞薩電子株式會社已于近日宣布開始供應第12代新型功率MOSFET（金屬氧化物半導體晶體管）產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉換器的功率半導體器件，主要面向計算機服務器和筆記本電腦等的應用。

本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進一步推進第12代生產(chǎn)工藝的小型化，瑞薩電子的新型MOSFET將FOM（品質因數(shù)=導通電阻×柵極電荷）在公司現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎上降低了約40%，這使電壓轉換過程中的功率損耗大幅降低，從而實現(xiàn)了更高的DC/DC轉換器性能。

隨著信息與通信產(chǎn)品（如服務器、筆記本電腦和圖形卡等）性能的不斷提升，其所需的功耗也在不斷增加。與此同時，不斷降低元件（如CPU、圖形處理單元（GPU）、存儲器、ASIC）工作電壓的發(fā)展趨勢又導致了電流的增加。這樣就需要DC/DC轉換器能夠處理低壓和大電流。除此之外，日益增長的節(jié)能環(huán)保需求，也提出了降低電壓轉換過程中的功率損耗與提高轉換效率的要求。而瑞薩電子本次所推出的3款第12代功率MOSFET產(chǎn)品因其領先于業(yè)內的性能與降低約40%的FOM，滿足了上述需求。

新產(chǎn)品所具有的25V電壓容差（VDSS）為RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA分別實現(xiàn)了40A、30A和25A的最大電流（ID）。另外，新產(chǎn)品的總品度值（VGS = 4.5V時的標準值）分別為6.84mΩ∙nC、7.83mΩ∙nC和7.2 mΩ∙nC，這比瑞薩電子第10代功率MOSFET（在用作控制功率MOSFET時，其提供了比第11代產(chǎn)品更好的總品度值）降低了約40%。

此外，新產(chǎn)品的柵-漏電荷電容（Qgd），即控制功率MOSFET的主要特性分別為1.2nC、0.9nC和0.6nC，也比瑞薩電子第10代功率MOSFET（利用相同的導通電阻進行測量時）低了約40%。該數(shù)值越小表明開關損耗越低，則更有助于大幅提升DC/DC轉換器性能和提高能效。

通常，DC/DC轉換器具有2個功率MOSFET：一個用于控制，另一個則用于實現(xiàn)同步整流。它們輪流開關以進行電壓轉換。假設新型RJK0210DPA用于實現(xiàn)控制，同時將瑞薩電子第11代RJK0208DPA用于實現(xiàn)同步整流，那么在將電壓從12V轉換為1.05V時，其最高功率轉換效率則可實現(xiàn)90.6%（在輸出電流為18A的情況下）和86.6%（在輸出電流為40A的情況下）。（這2個數(shù)值均基于300kHz的開關頻率和兩相配置。）

新產(chǎn)品采用具有出色散熱特性、尺寸為5.1 × 6.1 mm、厚0.8mm（最大值）的WPAK（瑞薩電子封裝編號）封裝。同時，器件下面所裝有的壓料墊，能夠在功率MOSFET工作時將其產(chǎn)生的熱量傳導至印刷電路板，并且使功率MOSFET能夠處理大電流。

今后，瑞薩電子還將不斷開發(fā)適于各類DC/DC轉換器的半導體產(chǎn)品，以進一步實現(xiàn)低損耗和高效率，并為開發(fā)出更小巧、更節(jié)能的系統(tǒng)做出貢獻。

注釋1：FOM（品質因數(shù)）：FOM是功率MOSFET公認的性能和效率指標。導通電阻（Ron）是功率MOSFET工作時的電阻。該數(shù)值越小則表明傳導損耗越低。柵-漏電荷電容是讓功率MOSFET運行所需的電荷。該數(shù)值越小則表明開關性能越高。

價格與供貨情況

目前，瑞薩電子的新型RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA功率MOSFET樣品已開始提供，其單價分別為0.55、0.46和0.38美元。新產(chǎn)品計劃于2010年12月開始批量生產(chǎn)，并預計在2011年7月達到月產(chǎn)量約200萬個。