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[導(dǎo)讀]開關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)產(chǎn)生的環(huán)流和振蕩會對電子元件產(chǎn)生高電壓沖擊,降低功率因數(shù),并且使并聯(lián)的各個模塊之間產(chǎn)生抑止。因此,對開關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)的技術(shù)研究得到了廣泛的關(guān)注。

    摘要:開關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)產(chǎn)生的環(huán)流和振蕩會對電子元件產(chǎn)生高電壓沖擊,降低功率因數(shù),并且使并聯(lián)的各個模塊之間產(chǎn)生抑止。因此,對開關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)的技術(shù)研究得到了廣泛的關(guān)注。分析了直流變換器并聯(lián)系統(tǒng)產(chǎn)生環(huán)流和振蕩的原因和過程,并通過實驗結(jié)果得以驗證。最后總結(jié)出幾種有效解決并聯(lián)系統(tǒng)環(huán)流和振蕩問題的方法。

    關(guān)鍵詞:直流變換器;并聯(lián);環(huán)流;振蕩

引言

多個開關(guān)電源模塊并聯(lián)是解決大功率供電系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù),它的優(yōu)點是,可以靈活組合成各種功率等級的供電系統(tǒng)、提高了系統(tǒng)的可靠性、通過N+1冗余獲得容錯冗余功率、可以實現(xiàn)熱更換、便于維修等。

原來應(yīng)用于開關(guān)電源中的整流器二極管,由于效率較低,大部分已經(jīng)被MOSFET代替。這樣,在采用高效率MOSFET的同時,也產(chǎn)生了一些問題。

在同步整流器中的MOSFET相當于一個雙向開關(guān),它不僅可以通過正向的電流,也允許反向電流通過。

在同步整流器中,控制MOSFET的電路與MOSFET導(dǎo)通電路形成了交叉連接(cross-coupled)。這樣一種電路的拓撲與晶體管多諧振蕩器很相似,也就是說,這種電路本身就可以形成振蕩。

所以,模塊并聯(lián)運行時,由于各個模塊輸出電壓之間的差異,會導(dǎo)致輸出電壓高的模塊與輸出電壓低的模塊之間產(chǎn)生環(huán)流,形成振蕩。這樣,輸出電壓低的模塊不僅不對外提供電流,還吸收輸出電壓高的模塊的電流;輸出電壓高的模塊不僅要提供負載電流,還要提供其它模塊的電流。因此,輸出電壓高的模塊就會受到大電流的沖擊;振蕩會產(chǎn)生大的電壓沖擊;幾個模塊之間互相干擾,輸出電壓高的模塊會抑制輸出電壓低的模塊。

本文主要針對直流開關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng),通過對可能產(chǎn)生環(huán)流的結(jié)構(gòu)進行理論分析,闡明了產(chǎn)生環(huán)流和振蕩的原因和過程,并總結(jié)出幾種有效解決環(huán)流的控制方法。

1 并聯(lián)系統(tǒng)產(chǎn)生環(huán)流的分析

圖1為兩個采用自驅(qū)動同步整流的正激DC/DC電源模塊的并聯(lián)系統(tǒng)原理圖。

圖1

    圖1模塊1中,S1是同步整流管,S2是續(xù)流管,L1是濾波電感,C2是濾波電容,R是并聯(lián)系統(tǒng)的負載。S3是MOSFET開關(guān),控制變壓器原邊線圈的導(dǎo)通。C1和D4構(gòu)成變壓器原邊線圈的續(xù)流回路。

由于S1代替了原來的二極管,使得原本只能單向?qū)ǖ闹?,允許反向電流通過。在并聯(lián)系統(tǒng)中,當兩個模塊之間存在差異時,輸出電壓會有差值,這是導(dǎo)致整流回路出現(xiàn)環(huán)流的主要原因。

兩個模塊的輸入電壓相同,控制方式都相同,當其中一個模塊的參考電壓較高時,這里假設(shè)模塊2的參考電壓較高,就會導(dǎo)致S7的導(dǎo)通角要大于S3,使模塊2的輸出電壓較高。

這時,從輸出端看,可以將兩個模塊分別等效為理想電壓源與電阻串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。如圖2所示。

從圖2可以很明顯地看出,當Vout2>Vout1時,極有可能構(gòu)成回路,產(chǎn)生環(huán)流。

2 產(chǎn)生自激振蕩時的理論分析

由于環(huán)流現(xiàn)象的存在,使得如圖1所示的并聯(lián)運行的電源系統(tǒng)會產(chǎn)生自激振蕩現(xiàn)象。

根據(jù)開關(guān)狀態(tài)不同,可以分為4個時段。

1)狀態(tài)1 S3關(guān)斷,S1關(guān)斷,S2導(dǎo)通。

此時模塊1的等效電路如圖3所示。圖中Lm是變壓器的勵磁電感,Cp是變壓器原邊等效到副邊的電容值,S1,S2和S3關(guān)斷時分別等效成電容CS1,CS2和CS3,V2是輸出電壓。

Cp=n2CS3    (1)

式中:n為變壓器變比。

此時vS2=0,加在S1兩端的電壓為

由于S1由導(dǎo)通到關(guān)斷,vS1的初值為零,可以得到

式中:iL10和iLm0為iL1和iLm的初始值。

當vS1減小到零時,進入狀態(tài)2。

2)狀態(tài)2 S3關(guān)斷,S1導(dǎo)通,S2關(guān)斷。此時的等效電路圖如圖4所示。

此時有vS1=0。且

由于vS2的初始值為零,可以得到

式中:

其中:iLm0和iL10為iL1和iLm在第二階段的初始值;

Ts為單位時間。

3)狀態(tài)3 S3導(dǎo)通,S1導(dǎo)通,S2關(guān)斷。此時的等效電路圖如圖5所示。

V1/n是變壓器副邊繞組的電壓,此時iL1和iLm都線性增長。

4)狀態(tài)4 S3關(guān)斷,S1導(dǎo)通,S2關(guān)斷。此時的等效電路圖和狀態(tài)2是相同的,所有量的時間函數(shù)表達式也都相同,只是初始值不同。

3 仿真和實驗結(jié)果

為了驗證上述環(huán)流和振蕩現(xiàn)象的分析結(jié)果,用Pspice對圖1所示的兩個自驅(qū)動的電源模塊系統(tǒng)進行了仿真,并制作了實驗?zāi)K。

仿真和實驗系統(tǒng)的主要參數(shù)為:輸入電壓60V,輸出電壓5V,開關(guān)頻率為200kHz。并使模塊2單獨運行時的輸出電壓略高于模塊1的輸出電壓。

圖6和圖7分別為仿真結(jié)果和實驗結(jié)果。其中V1為模塊1中整流管S1源-漏極之間的電壓;V3為開關(guān)管S3源-漏極之間的電壓。

仿真結(jié)果和實驗結(jié)果表明,由于環(huán)流的存在,使得在并聯(lián)系統(tǒng)中出現(xiàn)了自激振蕩現(xiàn)象。

4 解決環(huán)流及振蕩問題的幾種措施

并聯(lián)運行的電源模塊出現(xiàn)環(huán)流和振蕩后,會影響系統(tǒng)的正常工作。必須采取適當?shù)拇胧┍苊猸h(huán)流和振蕩現(xiàn)象的產(chǎn)生??梢圆扇∪缦麓胧?/P>

4.1 電阻器法

在產(chǎn)生環(huán)流的回路中加入電阻器,這相當于增加了整個環(huán)流回路的電阻,可以減小環(huán)流。但是,所加入的電阻器在開關(guān)電源的輸出回路中,必然減小輸出電壓和電流。只有在對開關(guān)電源的輸出要求不高時,可以使用本方法。

4.2 采用檢測的手段加以控制消除

在各個開關(guān)電源模塊中加入電流檢測器,當某一模塊的電流發(fā)生非正常變化時,將檢測到的信號送到控制器,控制器通過控制電路使該模塊恢復(fù)正常工作,防止環(huán)流現(xiàn)象的發(fā)生。

這種方法可以與均流控制相結(jié)合,在防止環(huán)流產(chǎn)生的同時,使電流在各個模塊之間均勻分配。

4.3 改變整流MOSFET的驅(qū)動

4.3.1 改進自驅(qū)動[5]

圖8所示為一自驅(qū)動同步整流模塊。

電路在多模塊并聯(lián)運行時,當某一模塊因某種原因停止輸出電壓時,由于其它模塊仍在工作,且該模塊輸出端與其它模塊相聯(lián),故輸出電壓Vout仍然存在。這時雖然該模塊不工作,但是由于結(jié)構(gòu)上的原因,S1和S2的源極與漏極的電壓為Vds=Vout,柵極與漏極的電壓為Vgs=Vout,因此S1和S2都導(dǎo)通,從而將Vout短路,勢必導(dǎo)致環(huán)流。

改進后的自驅(qū)動模塊如圖9所示。

圖9

    S5和S6是P溝道MOSFET。當模塊正常工作時,S5和S6只起驅(qū)動電壓緩沖作用,不影響S1和S2的驅(qū)動電壓波形。當模塊不工作時,雖然Vout仍然存在,但由于S5和S6的阻斷,電壓Vout不能加到S1和S2的柵極上,而且由于電阻R5和R6,靜電不會在柵極上積累,此時S1和S2的管腳電壓為Vds=Vout及Vgs=0。因此,S1和S2都不會導(dǎo)通。這樣便有效地改進了自驅(qū)動結(jié)構(gòu)。

4.3.2 將自驅(qū)動改為他驅(qū)動

整流MOSFET的驅(qū)動不用自驅(qū)動,而用他驅(qū)動。將前面的單整流MOSFET結(jié)構(gòu)按此方法修改后如圖10所示。整流MOSFET S1的柵極接到PWM控制電路上,改變了原來的十字交叉(Cross-coupled)結(jié)構(gòu),避免了環(huán)流和振蕩的產(chǎn)生。

圖10

    將有兩個整流MOSFET的自驅(qū)動結(jié)構(gòu)改為他驅(qū)動后如圖11所示。整流MOSFET S1和S2的驅(qū)動信號由PWM控制電路提供,同樣改變了原來的十字交叉結(jié)構(gòu),有效地避免了環(huán)流和振蕩的產(chǎn)生。

圖11

5 結(jié)語

在分析了直流變換器并聯(lián)系統(tǒng)產(chǎn)生環(huán)流和振蕩原因的基礎(chǔ)上,提出了幾種有效解決問題的方法。

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