設(shè)計(jì)和建造隔離，降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器在可實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的5伏輸出使用硅MOSFET但具有有限的性能寬輸入電壓范圍和高輸出電流，特別是在低負(fù)荷和高輸入電壓。更重要的是，硅成熟，從寬輸入降壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器擠出更多的果汁在輕負(fù)載時(shí)可以是具有挑戰(zhàn)性的，如果輸入電壓較高。不像硅MOSFET，增強(qiáng)型氮化鎵(的eGaN)為基礎(chǔ)的FET承諾過的同組的輸入和輸出參數(shù)的寬負(fù)荷變化提供更好的性能。事實(shí)上，由于這些寬禁帶裝置在高得多的速度與更高的擊穿電壓下工作和較低的導(dǎo)通電阻，它們可以在寬范圍的負(fù)載變化的遞送高得多的效率，同時(shí)減少了空間和成本。
由于場(chǎng)效應(yīng)管的eGaN是建立在硅襯底上，成本差異正在縮小和商業(yè)斜坡上升正在改善。高效的電力轉(zhuǎn)換公司(EPC)，例如，一直提供氮化鎵上硅為基礎(chǔ)的eGaN FET的在過去的四年中，并繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品組合。此外，為幫助設(shè)計(jì)師從轉(zhuǎn)型到硅場(chǎng)效應(yīng)管的eGaN，公司已建成許多比較硅MOSFET與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的eGaN特定降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的性能評(píng)估板(見技術(shù)專區(qū)的文章。“開發(fā)板做評(píng)估的eGaN FET的簡(jiǎn)單“)。此外，EPC已經(jīng)建立了許多演示板提供使用在特定的DC / DC轉(zhuǎn)換器電路，這些寬禁帶設(shè)備提供完整的參考設(shè)計(jì)。
例如，在本文中，我們將使用EPC的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的eGaN，如EPC2001和EPC2021，在寬負(fù)載變化調(diào)查一個(gè)寬輸入，20 A非隔離降壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。本設(shè)計(jì)中使用的降壓控制器是凌力爾特的LTC3891，它集成了驅(qū)動(dòng)器和采用恒定頻率電流模式架構(gòu)。這個(gè)DC / DC降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)用于分布式電源解決方案在電信，工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用。
寬輸入，高電流降壓
在調(diào)查的寬輸入，使用氮化鎵晶體管高電流隔離降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，讓我們先來看看在這個(gè)設(shè)計(jì)中采用了性能和場(chǎng)效應(yīng)管的eGaN和EPC2001功能EPC2021。該公司數(shù)據(jù)顯示，EPC2001是一個(gè)100 V器件具有RDS的7毫歐(上)和25的漏電流(ID)功能。 EPC2021是一個(gè)80伏的eGaN晶體管具有RDS 2.5毫歐的(上)和60的漏電流(ID)功能。脈沖的ID的額定功率為420 A.由于該導(dǎo)通電阻低時(shí)，氮化鎵晶體管提供低得多的傳導(dǎo)損耗。同時(shí)，因?yàn)樗鼈兪窃O(shè)計(jì)用于更高的開關(guān)頻率，開關(guān)損耗，這些氮化鎵FET是也低得多。此外，為了最大限度地降低封裝電感，場(chǎng)效應(yīng)管的eGaN進(jìn)來焊錫條鈍化裸片形式。這些場(chǎng)效應(yīng)管的eGaN也克服了最小導(dǎo)通時(shí)間硅MOSFET的問題，使非常高效和緊湊的高降壓比同步降壓轉(zhuǎn)換器具有寬輸入電壓范圍。
開發(fā)的eGaN FET的屬性，EPC已經(jīng)準(zhǔn)備好一塊開發(fā)板，標(biāo)EPC9118簡(jiǎn)化構(gòu)建非隔離20 A降壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器，30〜60 VDC輸入電壓范圍和5.0 V固定直流輸出的任務(wù)。它包括一個(gè)完整的功率級(jí)，其中包括的eGaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管EPC2001和EPC2021，驅(qū)動(dòng)器，電感器，和輸入/輸出電容器(圖1)。如圖所示，控制器LTC3891包含在GaN FET驅(qū)動(dòng)器。由于氮化鎵晶體管能夠在高頻率切換，在該設(shè)計(jì)中，降壓轉(zhuǎn)換器被轉(zhuǎn)換為400千赫。
總承包公司的eGaN FET的形象和EPC2001 EPC2021
圖1：該功率級(jí)包括的eGaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管，驅(qū)動(dòng)器，電感器，和輸入/輸出電容器。
根據(jù)演示板的快速入門指南，EPC9118是一款2.5英寸的方形板，包含一個(gè)全閉環(huán)降壓轉(zhuǎn)換器優(yōu)化控制回路。基于圖1中所示的功率級(jí)，該寬輸入20所述的非隔離降壓轉(zhuǎn)換器5 VDC輸出的完整示意圖在圖2中描繪這個(gè)完整的電路組裝在此演示板用適當(dāng)?shù)牟季郑员M量減少損失和EMI。由于演示板包括一個(gè)閉環(huán)控制器，效率測(cè)量必須包括由于控制器損失。該演示板的指南提供了衡量這種降壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的效率的過程。
總承包的EPC9118降壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的圖像
圖2：寬輸入非隔離降壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的5伏輸出電壓的完整示意為20 A.
這個(gè)指南給出在400千赫開關(guān)頻率操作的寬輸入降壓轉(zhuǎn)換器，它被示于圖3的測(cè)量效率性能這表明此緊湊的電路板可以提供超過93%的滿負(fù)載功率效率，同時(shí)提供20 a在5 VDC輸出36 VDC輸入。與輸出負(fù)載電流變化從5到20A，轉(zhuǎn)換效率仍然超過93%的有36 VDC輸入。它開始急劇下降，只有當(dāng)負(fù)載電流降到低于2.5 A.類似地，當(dāng)輸入電壓較高時(shí)，如48伏直流同為5伏直流電輸出，效率下降由點(diǎn)左右。例如，與48伏直流輸入和5伏直流電輸出，在圖3所示的測(cè)量效率是92%以上。這種效率下降略低于92%，當(dāng)負(fù)載電流為5A和輸入和輸出電壓參數(shù)和以前一樣。當(dāng)負(fù)載電流開始下降到低于2.5 A，效率開始大幅回落。然而，它仍然提供了大約80%的效率的性能，即使當(dāng)負(fù)載電流僅為1 A.類似性能為56伏直流輸入也示于圖3。
典型的測(cè)量效率曲線圖片
圖3：典型的測(cè)量效率曲線的寬輸入20 A降壓DC / DC轉(zhuǎn)換器使用的eGaN FET的。
綜上所述，開發(fā)板EPC9118表明，高效率，寬輸入20 A降壓轉(zhuǎn)換器可以很容易地設(shè)計(jì)和使用高頻開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管的eGaN建成。內(nèi)置有這些寬帶隙晶體管的電源電路可實(shí)現(xiàn)超過93%的滿負(fù)荷的20所述的在5伏直流輸出為30 V至60 V寬輸入直流電壓范圍轉(zhuǎn)換效率的效率仍然很高，即使作為負(fù)荷下降到低于5 A.
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