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[導(dǎo)讀]飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本,幫助設(shè)計人員提升其設(shè)計性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計工程師和采購經(jīng)理合作,開發(fā)了集成式

飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本,幫助設(shè)計人員提升其設(shè)計性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計工程師和采購經(jīng)理合作,開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench® MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T,利用單一封裝解決方案,滿足對電池充電和功率多工(power-multiplexing)應(yīng)用至關(guān)重要的效率和熱性能需求。

相比傳統(tǒng)MOSFET器件,F(xiàn)DFMA2P859T具有出色的功率耗散和傳導(dǎo)損耗特性,且其封裝高度為0.55mm,比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)0.8mm MicroFET降低了30%,適用于在最新的便攜式手機(jī)、媒體播放器和醫(yī)療設(shè)備中常見的薄型設(shè)計。

FDFMA2P859T專為滿足客戶的設(shè)計需求而開發(fā),在緊湊的占位面積中提供了出色的熱性能,并確保肖特基二極管在Vr=10V下保持1µA的極低反向泄漏電流(lr)。這些特性都能夠大大提升線性模式電池充電和功率多工應(yīng)用的性能和效率。

FDFMA2P859T是飛兆半導(dǎo)體廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分,此系列的特別設(shè)計能夠滿足當(dāng)今和未來設(shè)計之效率、空間和熱性能需求。

編輯注:產(chǎn)品的 PDF 格式數(shù)據(jù)表可從以下網(wǎng)址獲取: http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFMA2P859T.pdf

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飛兆半導(dǎo)體公司簡介

美國飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor;紐約證券交易所代號:FCS) 是全球首屈一指提供高能效功率模擬和功率分立解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商。作為功率專家 The Power Franchise®,飛兆半導(dǎo)體為消費、通信、工業(yè)、便攜、計算機(jī)和汽車系統(tǒng)提供業(yè)界最先進(jìn)的半導(dǎo)體和封裝技術(shù)、制造能力和系統(tǒng)專業(yè)技術(shù)。飛兆半導(dǎo)體是一家以應(yīng)用主導(dǎo)及以解決方案為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體供貨商,提供在線設(shè)計工具和遍布全球的設(shè)計中心,是其全面的 Global Power ResourceSM (全球功率資源) 的一部分。 詳情請訪問網(wǎng)站: www.fairchildsemi.com。

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