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[導(dǎo)讀]本文來研究如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖。 圖1顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè)MOSFET電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在MOSFET關(guān)閉時(shí)

本文來研究如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖。

圖1顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè)MOSFET電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在MOSFET關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓(Vreset)以上,因此MOSFET關(guān)閉時(shí)通常會需要一個(gè)緩沖器。

存儲于漏極電感中的能量可使MOSFET產(chǎn)生雪崩現(xiàn)象,因此要添加一個(gè)由D1、R24和C6組成的鉗壓電路。該電路的鉗位電壓取決于漏電的能量大小以及電阻器的功率消耗。更小值的電阻雖然可以降低鉗位電壓,但會增加功率損耗。



圖1: FET關(guān)斷時(shí)漏極電感形成過電壓

圖2顯示的是變壓器主繞組和次級繞組的電流波形。左側(cè)是MOSFET開啟時(shí)的簡化功率級。輸入電流通過漏極電感和互電感的串聯(lián)組合斜坡上升。右邊顯示的是關(guān)斷期間的一個(gè)簡化電路。此處,電壓已反向至輸出二極管和鉗位二極管正向偏置的點(diǎn)。我們展示了反射到變壓器一次側(cè)的輸出電容器和二極管。

兩個(gè)電感為串聯(lián),并在Q1關(guān)斷時(shí)初始傳輸相同的電流。這就是說關(guān)斷以后輸出二極管D2中并未立即出現(xiàn)電流,同時(shí)總變壓器電流在D1中流動。漏極電感的電壓是鉗位電壓和重位電壓之間的差,且往往會快速釋放漏電。如圖所示,經(jīng)過簡單計(jì)算便可得到分流至緩沖器的能量大小。因此您可以通過縮短釋放漏極電感中能量的時(shí)間,來減少分流能量。提高鉗位電壓可以實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。



圖2:漏極電感竊取輸出能量

有趣的是,您可以在鉗位電壓和緩沖器功耗之間計(jì)算得到一個(gè)折中值。如圖2所示,進(jìn)入鉗位電路的功率等于平均鉗位二極管電流乘以鉗位電壓(假設(shè)一個(gè)恒定鉗位電壓)。重排某些項(xiàng)后,我們可以得到1/2* F *L * I2,其與間斷反向轉(zhuǎn)換器輸出功率相關(guān)。這種情況下,電感為漏極電感。該表達(dá)式稍稍令人有些吃驚,因?yàn)槠渲械墓β蕮p耗不僅僅是存儲于漏極中的能量。它始終都較大,但卻依賴于鉗位電壓。

圖3顯示了這種關(guān)系。該圖繪出了漏極電感能量損耗標(biāo)準(zhǔn)化損耗與鉗位電壓和重位電壓之比的對比關(guān)系。在鉗位電壓高值位置,緩沖器損耗接近漏極電感中的能量。由于減小電阻降低了鉗位電壓,因此能量從主輸出分流,同時(shí)緩沖器損耗急劇增加。在1.5 Vclamp/Vreset比時(shí),其幾乎三倍于漏極電感存儲能量相關(guān)的損耗。



圖3 :增加鉗位電壓可降低緩沖器損耗

碰巧的是,漏極電感通常為磁化電感的1%左右。這讓圖3看起來更為有趣,其向我們表明降低鉗位電壓會對效率產(chǎn)生的影響,所以只需縱軸變?yōu)樾蕮p耗。因此,將鉗位比從2降到1.5會對效率產(chǎn)生1%的影響。

總之,反向轉(zhuǎn)換器的漏極電感可對電源開關(guān)產(chǎn)生不可接受的電壓應(yīng)力。RCD緩沖器可以控制這種應(yīng)力。但是,可以在鉗位電壓和電路損耗之間有一種折中方法。

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