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[導(dǎo)讀]最近美國國家半導(dǎo)體公司開發(fā)直接連接雙向交流觸發(fā)三極體調(diào)光器,幾乎完全不會(huì)發(fā)生閃爍現(xiàn)象的LED驅(qū)動(dòng)IC LM3445與評(píng)鑒基板。接著筆者組合評(píng)鑒基板與簡易雙向交流觸發(fā)三極體調(diào)光電路,說明LM3445的評(píng)基板鑒與電路設(shè)計(jì)的

最近美國國家半導(dǎo)體公司開發(fā)直接連接雙向交流觸發(fā)三極體調(diào)光器,幾乎完全不會(huì)發(fā)生閃爍現(xiàn)象的LED驅(qū)動(dòng)IC LM3445與評(píng)鑒基板。接著筆者組合評(píng)鑒基板與簡易雙向交流觸發(fā)三極體調(diào)光電路,說明LM3445的評(píng)基板鑒與電路設(shè)計(jì)的重點(diǎn)。

  評(píng)鑒基板封裝LM3445、電源電路,以及周邊電路,評(píng)鑒基板使用雙向交流觸發(fā)三極體調(diào)光電路,輸入已經(jīng)受到位相控制的電壓,利用高頻切換器提供LED電流,LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)有可以控制流入LED電流峰值的降壓轉(zhuǎn)換器,動(dòng)作時(shí)設(shè)定OFF時(shí)間超過一定值以上。動(dòng)作上首先接受雙向交流觸發(fā)三極體調(diào)光電路的輸出電壓,接著檢測(cè)雙向交流觸發(fā)三極體的ON時(shí)段,再將此信號(hào)轉(zhuǎn)換成流入LED電流指令值,此時(shí)流入LED電流與雙向交流觸發(fā)三極體ON時(shí)間呈比例,就能夠沿用傳統(tǒng)白熱燈泡的調(diào)光電路。此外上記評(píng)鑒基板支持還主從結(jié)構(gòu),能夠以相同電流調(diào)光復(fù)數(shù)LED。

  評(píng)鑒與電路整體架構(gòu)

  圖1(a)是評(píng)鑒電路方塊圖;圖1(b)是雙向交流觸發(fā)三極體的調(diào)光電路,由圖可知本電路采取“Anode fire”方式,使用雙向交流觸發(fā)三極體的兩端電壓當(dāng)作驅(qū)動(dòng)電壓,通過可變電阻VR后,使電容器C1充正電壓或是負(fù)電壓,此時(shí)不論極性,電容器C1的電壓一旦超過一定程度,觸發(fā)二極管通電會(huì)使雙向交流觸發(fā)三極體點(diǎn)弧,流入雙向交流觸發(fā)三極體的電流,即使超過一值仍舊持續(xù)通電,電流則流入負(fù)載。

  

 

  圖中的二極管D1~D4與15kΩ電阻,連接于雙向交流觸發(fā)三極體的兩端,主要目的不論極性都能夠使電容器C1的開始充電電壓維持一定值,此外為避免受到商用電源極性影響,因此刻意將此整合成相同點(diǎn)弧位相的電路。由于雙向交流觸發(fā)三極體電路OFF時(shí),不會(huì)完全遮斷電流,大約有15kΩ的阻抗值,為減少對(duì)評(píng)鑒基板的影響,本電路插入1kΩ的假電阻。圖1(c)是供應(yīng)評(píng)鑒基板的電壓波形,取電源的正弦波。

  圖2是評(píng)鑒基板的電路圖,根據(jù)圖1(c)的電壓波形可知,輸出調(diào)光LED的電流要求各種技巧,第1調(diào)光必需指定流入LED的電流,因此評(píng)鑒基板若能夠從雙向交流觸發(fā)三極體的ON時(shí)段獲得信息,理論上LED只要流入與該時(shí)段呈比例的電流,LED就能夠沿用傳統(tǒng)白熱燈泡的調(diào)光器進(jìn)行調(diào)光。

  

 

  LM3445的ON時(shí)段在450至1350范圍,支持0%~100%的電流值指令,若以雙向交流觸發(fā)三極體的弧點(diǎn)角度θ表示,它相當(dāng)于1350~450范圍。

  第2是輸入評(píng)鑒基板的電源,使用雙向交流觸發(fā)三極體進(jìn)行位相控制,因此無電壓時(shí)段,即使使用高頻切換電路也無法消除閃爍問題。上記電路為消除閃爍,未使用電容輸入型電路,改用填谷電路盡量減輕對(duì)電源的影響,因此本電路設(shè)置D4、D8、D9、C7、C9,以C7、C9串行電路使輸入的電壓峰值充電。

  C7、C9相同容量時(shí),各電容器的充電電壓是輸入電壓峰值的一半,換句話說輸入電壓峰值變成一半時(shí),各電容器開始放電,輸入電壓峰值變成一半為止則以填谷電路動(dòng)作,如此一來轉(zhuǎn)換器的輸入電壓能夠維持一定,同時(shí)還可以高頻使LED點(diǎn)燈。圖3是填谷電路與輸出、入電壓波形。由圖可知輸入電壓波形是雙向交流觸發(fā)三極體輸出整流后的波雙向交流觸發(fā)三極體的ON時(shí)段(角度),大于900時(shí)會(huì)變成一半,低于900時(shí)=1/2×sin(180-ON時(shí)段)=1/2×sinθ。

  

 

  第3是LED的電流調(diào)整電路,并不是可以使降壓轉(zhuǎn)換器維持一定頻率方式,而是采用能夠使OFF時(shí)段維持一定的方式,因此設(shè)計(jì)上要求承受輸入電壓、LED電流大范圍變動(dòng)。雖然動(dòng)作頻率隨著輸入電壓與負(fù)載改變,不過本電路可以完全忽略LED的閃爍問題,輕易設(shè)定頻率范圍。評(píng)鑒基板的基本設(shè)計(jì)與動(dòng)作方式,建立在上記3項(xiàng)設(shè)計(jì)核心技術(shù),除此之外為設(shè)定條件,電路上還要求其它各種技巧。接著以8個(gè)LED為范例,探討評(píng)鑒基板的電路定數(shù)。

   [!--empirenews.page--]降壓轉(zhuǎn)換部位的動(dòng)作

 

  圖4是降壓轉(zhuǎn)換部位相關(guān)電路圖,由圖可知它是由切換用FET Tr2、電感L2、續(xù)流二極管D10構(gòu)成降壓轉(zhuǎn)換部主要電路,除此之外電流復(fù)歸用電阻器R3、決定FET OFF時(shí)間的電容器C1、充電電路Tr3、R4、吸收波動(dòng)電流的電容器C12、LM3445的內(nèi)部結(jié)構(gòu),鎖定轉(zhuǎn)換器的動(dòng)作,細(xì)節(jié)忽略不詳述。圖中的L5是磁珠電感,它可以抑制續(xù)流二極管D10的逆回復(fù)電流。

  

 

  Tr2 ON時(shí),流入L2的電流取決于輸入電壓Vbuck與LED電壓VLED兩者的電壓差,最差情況LED的順電壓下降為3.99V,8個(gè)LED串聯(lián)需要31.9V。流入Tr2的電流除了受到電流指令最大值750mA的限制之外,有關(guān)對(duì)短路等異常電流的保護(hù),本電路備有電流限制器功能,不過Tr2正確動(dòng)作的代價(jià)是輸入電壓最大值有極限。

  IC內(nèi)部的起動(dòng)電路一旦開始動(dòng)作,GATE信號(hào)變成H,就會(huì)使Tr2 ON進(jìn)入行程。LM63445即使ON,電流的檢測(cè)不會(huì)以一定時(shí)間進(jìn)行,IC內(nèi)部的125ns延遲時(shí)間內(nèi),電流檢測(cè)電阻R3的電壓R3,利用內(nèi)部FET持續(xù)限制在0V,PWM與I-LIN兩轉(zhuǎn)換器的輸入維持L狀態(tài),這樣的設(shè)計(jì)主要目的是考慮Tr2 ON時(shí),二極管D10的逆向回復(fù)電流很大,避免瞬間遷移至GATE信號(hào)變成OFF狀態(tài),轉(zhuǎn)換器可能無法起動(dòng)。

  延遲時(shí)間內(nèi)Tr2 ON時(shí)電流的過渡變化,Tr2的電流與L2一旦相同,就進(jìn)入檢測(cè)L2電流變化的行程,該電流檢測(cè)功能有所謂無效時(shí)間,因此降壓轉(zhuǎn)換器的輸入電壓最大值時(shí),為確實(shí)保障此延遲時(shí)間,如圖5所示要求最小200ns的ON時(shí)間。延遲時(shí)間之后隨著直線上升的L2電壓,R3的電壓也直線上升,該電壓經(jīng)過電流感測(cè)端子ISNS輸入至PWM轉(zhuǎn)換器,一直到電壓到達(dá)電流指令值為止,GATE信號(hào)維持ON狀態(tài)。評(píng)鑒基板的電流檢測(cè)用電阻R3大約1.8Ω,PWM的電流指令值最大值,750mV時(shí)為417mA,延遲時(shí)間與溫度有依存關(guān)系,大約100~160ns。

  

 

  PWM轉(zhuǎn)換器進(jìn)行IC內(nèi)部產(chǎn)生的電流指令值與R3電壓比較,R3的電壓超過電流指令值,H的信號(hào)經(jīng)過內(nèi)部控制電路使GATE信號(hào)OFF。此外本電路還設(shè)置PWM轉(zhuǎn)換器不動(dòng)作時(shí)的I-LIM轉(zhuǎn)換器,超過1.27V峰值會(huì)使GATE信號(hào)OFF抑制電流。Tr2 OFF時(shí)L2的電流移至D10,L2則以LED的一定電壓開始再設(shè)定(reset),L2的電流呈直線性衰減,磁束則被再設(shè)定(reset)。評(píng)鑒基板的此OFF時(shí)間取決于LED的電壓,主要理由在動(dòng)作范圍,希望優(yōu)先正確進(jìn)行L2的磁束再設(shè)定。

  決定OFF時(shí)間的電容器C11與定電流電路Tr3、R4,定電流電路利用LED的順向電壓,配合LED的電壓使電流流動(dòng)C11,C11的電壓呈直線性上升,利用該電壓與時(shí)間呈比例的特性。定電流電路的動(dòng)作非常簡單,配合LED的順定下降電流流入R4,Tr3的基準(zhǔn)電流配合Tr2的增幅率電流流動(dòng),由于流入Tr3集極(collector)的電流與流入R4的電流幾乎相同,因此C11內(nèi)部有一定電流流動(dòng),該電壓呈直線性上升,C11的電壓被輸入至LM3445的COFF則進(jìn)入COFF的比較器(Comparator),電壓一旦超過1.276V基準(zhǔn)電壓,再度使GATE信號(hào)移轉(zhuǎn)至ON狀態(tài),換言之OFF時(shí)間是與LED的電壓呈比例的值。

  綜合上記結(jié)論可知,GATE信號(hào)ON時(shí)IC的COFF輸入,亦即C11在IC內(nèi)部以33Ω的阻抗值短路,此時(shí)C11的電壓幾乎維持0V,一旦進(jìn)入OFF行程就開始對(duì)C11定電流充電,亦即開始時(shí)間計(jì)數(shù)。接著以評(píng)鑒基板為例試算OFF時(shí)間。

  

 

  假設(shè):

  

 

  由此可之電感L2的再設(shè)定時(shí)間大約3.2μs。電感L2的再設(shè)定電壓是LED的電壓VLED,它是一定值。電流直線性下降,持續(xù)到FET的下個(gè)ON為止。L2的電流變成連續(xù)的條件(不會(huì)變成0),該電流的變化成份,反而變成LED的波動(dòng)電流成份。

  假設(shè):

  OFFB時(shí)間=3.2μS

  L2=470μH

  如此一來就可以求得波動(dòng)電流:

  

 

  接著試算ON時(shí)間,ON時(shí)轉(zhuǎn)換器的輸入電壓Vbuck與LED的電壓VLED的電壓差施加于L2,此處計(jì)算該波動(dòng)電流186mA的變化時(shí)間,假設(shè):

  

 

  圖6是根據(jù)電路定數(shù)計(jì)算的L2最大電流波形,使用的LED最大平均電流為350mA,如果根據(jù)評(píng)鑒基板的定數(shù)計(jì)算,轉(zhuǎn)換器的公稱動(dòng)作頻率變成:

  

 

   [!--empirenews.page--]電流指令的電路與動(dòng)作

 

  降壓轉(zhuǎn)換器的動(dòng)作概要如上記,降壓轉(zhuǎn)換器的電流指令利用雙向交流觸發(fā)三極體產(chǎn)生,圖7(a)是電流指令值產(chǎn)生電路;圖7(b)是動(dòng)作概要;圖7(c)是電流指令值的范圍。利用雙向交流觸發(fā)三極體體進(jìn)行位相控制的電壓,亦即雙向交流觸發(fā)三極體導(dǎo)通時(shí)輸入的電壓,被施加至Tr1的網(wǎng)關(guān)與汲極,一旦施加位相控制的電壓,雖然取決于Tr1的特性,不過此時(shí)大約10V的電壓被輸入至BLDR端子,輸入峰值7.2V的轉(zhuǎn)換器輸出遷移變成H,4μs后230Ω的負(fù)載加入轉(zhuǎn)換器輸入,可以補(bǔ)強(qiáng)雙向交流觸發(fā)三極體的拴鎖器電流,使雙向交流觸發(fā)三極體正確動(dòng)作。

  

 

  BLDR轉(zhuǎn)換器的輸出變成峰值4V的脈沖列輸出至ASNS,該以R1、C3與IC出口的損失平順化,制作脈沖列的平均電壓,變成FLTR1的電壓。FLTR1的電壓則被輸入至RAMP轉(zhuǎn)換器,再與內(nèi)部的鋸狀波形比較,此鋸狀波形值為3V,谷底值為1V,F(xiàn)LTR1的電壓值低于1V,RAMP轉(zhuǎn)換器的輸出變成H,流入RAMP轉(zhuǎn)換器的電流指令值變成0V,反過來說FLTR1的電壓值超過3V時(shí),RAMP轉(zhuǎn)換器的輸出變成L,連接的FET變成OFF狀態(tài),汲極電壓VQ大約750mA,因此流入RAMP轉(zhuǎn)換器的電流指令值,就是內(nèi)部電壓最大750mA。

  由此可知FLTR1的電壓值與雙向交流觸發(fā)三極體的導(dǎo)通角度呈比例,可以檢測(cè)的控制角θ在一定范圍內(nèi)。雙向交流觸發(fā)三極體的導(dǎo)通角度為1800-θ,導(dǎo)通角度與半波周期比1800-θ/1800的值,在1/4~1/3范圍內(nèi),因此在450≦θ≦1350范圍內(nèi),產(chǎn)生與角度(1800-θ)呈比例的電流指令,θ=1350時(shí),電流指令=0V,θ=450時(shí),電流指令=750mV最大值。

  周邊電路的設(shè)計(jì)

  以上根據(jù)LM3445評(píng)鑒基板電路與電路定數(shù),探討電路動(dòng)作特性,接著介紹LM3445周邊電路的設(shè)計(jì)技巧。LM3445的主要功能分別如下:

  (1)以位相控制的雙向交流觸發(fā)三極體為前提,將雙向交流觸發(fā)三極體的通電角度轉(zhuǎn)換成流入LED的指令值,支持位相角度450~1350范圍,電流指令值最大750mV~0V

  (2)以降壓轉(zhuǎn)換器OFF時(shí)間一定方式為前提,優(yōu)先穩(wěn)定動(dòng)作,利用LED的電壓幾乎是一定的特征。

  (3)降壓轉(zhuǎn)換器ON時(shí)脈沖寬度必需是最小值的限制,要求200ns以上,因此轉(zhuǎn)換器的輸入電壓有上限的限制。

  (4)降壓轉(zhuǎn)換器的最低輸入電壓,要求雙向交流觸發(fā)三極體位相角度1350時(shí),交流輸入電壓值必需大于LED的電壓。利用降壓轉(zhuǎn)換器使LED的電流維持一定,LED的電壓VLED與轉(zhuǎn)換器的輸入電壓Vbuck比D在轉(zhuǎn)換器沒有損失時(shí),它與切換組件Tr2的ON時(shí)間,以及控制周期T的比完全相同,有損失時(shí)D與效率η呈反比率變大,此時(shí)使用下式表示:

  

 

  評(píng)鑒基板的設(shè)計(jì)條件如下:

  ˙電壓:AC90V~135V

  ˙電流:350mA

  ˙LED數(shù)量:串聯(lián)7~8個(gè)

  評(píng)鑒電路選擇LED電流350mA種類,評(píng)鑒基板根據(jù)定數(shù)以250kHz附近動(dòng)作,使用評(píng)鑒電路的條件進(jìn)行。LED的條件如下:

  ˙VF = 2.79~3.42~3.99V

  ˙ILED = IF = 350mA(最大),500mA(脈沖)

  ˙輸入電壓:AC80~120V(AC100V±20%)

  ˙動(dòng)作頻率:額定輸入電壓時(shí)250kHz

  假設(shè)降壓轉(zhuǎn)換器輸入電壓為額定電壓峰值,降壓轉(zhuǎn)換器的效率η,根據(jù)技術(shù)資料為85%,依此試算LED串聯(lián)8、7、6、5、4,此時(shí)VLED分別是27.36、23.94、20.52、17.1、13.68,根據(jù)上式(1):

  

 

  計(jì)算結(jié)果如下:

  ˙toff = 3.09μs@8個(gè)LED串聯(lián)

  ˙toff = 3.20μs@7個(gè)LED串聯(lián)

  ˙toff = 3.32μs@6個(gè)LED串聯(lián)

  ˙toff = 3.43μs@5個(gè)LED串聯(lián)

  ˙toff = 3.54μs@4個(gè)LED串聯(lián)

  最后決定采用toff =3.09μs。C11到達(dá)LM3445 COFF 峰值1.276V的時(shí)間,取決于C11的容量與一定充電的電流ICOLL,ICOLL(一般數(shù)十μA)的選擇由C11決定,C11以下式表示:

  

 

  假設(shè)C11=120pF,如此一來:

  

 

  評(píng)鑒基板的R4=576kΩ,相當(dāng)于toff=3.2μs,它是流入LED的額定電流時(shí)off的時(shí)間,電流指令很小時(shí)LED的電壓降低,off的時(shí)間變長。波動(dòng)電流Δi是決定電感L2電感值的要因,增加電感值波動(dòng)電流降低,LED的電流連續(xù)范圍變大,L2的容量變大、單價(jià)上升。由于動(dòng)作頻率很高,不易察覺該頻率的閃爍,因此選擇低電感值,Δi=50%。

  Δi=350×0.5=175mA

  接著計(jì)算L2的電感值:

  

 

  評(píng)鑒基板的L2為470μH,因此L2的波動(dòng)電流 Δi變大,此處觀察評(píng)鑒基板L2=470μH時(shí),LED的串聯(lián)數(shù)量與波動(dòng)電流的變化。波動(dòng)電流Δi以下式表示:

  

 

  根據(jù)上述可以獲得表1的LED串聯(lián)數(shù)量與波動(dòng)電流Δi關(guān)系,由表1可知LED串聯(lián)數(shù)量減少,L2的電流波動(dòng)隨著降低,上記評(píng)鑒基板toff=3.20μs,計(jì)算上Δi=186mA,波動(dòng)電流為53%。

  

 

  圖中的C12可以抑制流入LED的波動(dòng)電流,上記評(píng)鑒基板使用1μF,吸收250kHz時(shí)的鋸齒狀波動(dòng)電流,以評(píng)鑒基板為范例,250kHz時(shí)Δi=186mA的波動(dòng)電流,該交流成份換算成實(shí)效值變成:

  

 

  假設(shè)電流全部流入電容器C11,此時(shí)C11的電壓變成:

  

 

  由此可知流入LED的波動(dòng)電流受到抑制。降壓轉(zhuǎn)換器的輸入最低電壓Vbuck(min)以下式計(jì)算:

  

 

  考慮整流架橋與埋谷電路的二極管電壓降低(大約3V),變成:

  40V-3V=37V

  超過VLED=27.36V,因此轉(zhuǎn)換器能夠動(dòng)作。此外在此范圍的電流指令值幾乎是0,由于Tr2電流不檢測(cè)時(shí)間的最小脈沖寬度為125ns,因此Tr2可以動(dòng)作。

  轉(zhuǎn)換器的最大電壓Vbuck(max):

  

 

  要求合適的二極管、FET等半導(dǎo)體的電壓規(guī)格。降壓轉(zhuǎn)換器動(dòng)作上Tr2的ON時(shí)間超過200ns,確定可以穩(wěn)定動(dòng)作。以下是8個(gè)LED串聯(lián)時(shí)的計(jì)算結(jié)果:

  

 

  C7與C9放電時(shí)放電量很大的場合,輸入電壓很小卻提供最大電流,此時(shí)電容器只進(jìn)行放電,一直到下次放電為止的期間,如果電壓降至電流無法流入LED的值,就不能確保LED的光束量,為避免上記問題,設(shè)計(jì)上C7與C9的電壓值選擇超越LED的電壓。電壓Vbuck最小值如圖8所示假設(shè):

  ΔV=20V

  

 

  最小點(diǎn)變成:

  54-20=34>27.36V

  因此C7與C9在20V放電也可以。

  

 

  Iled:評(píng)鑒基板的最大值

  Δt=3.33ms(相當(dāng)于50Hz電源60°)

  由于C7與C9都是33μF,因此C=66μF非常充分。此外評(píng)鑒基板還設(shè)置:

  ˙消除波動(dòng)濾波器(L3、C1、L4、C15)

  ˙一般模式濾波器(L1)

  ˙累增二極管(Avalanche Diode)(D12)

  ˙熱敏電阻(Thermistor)(RT1)

  ˙保險(xiǎn)絲(F1)

  有關(guān)消除波動(dòng)濾波器,由于Tr2的OFF時(shí)間與ON時(shí)間大幅改變,設(shè)計(jì)消除波動(dòng)濾波器時(shí),必需考慮以動(dòng)作頻率最低值抑制波動(dòng)電流。有關(guān)一般模式濾波器,要求可以檢查開啟電源時(shí),流入電解電容器的突波電流、二極管、電容器的電流、電壓耐量的協(xié)調(diào)動(dòng)作。突波電流必需配合消除波動(dòng)濾波器的關(guān)系進(jìn)行檢討,雖然一般模式濾波器增加對(duì)地阻抗,可以抑制漏泄電流,不過對(duì)Tr2、D10的特性、基板布線結(jié)構(gòu)卻有相關(guān)性。

  組件表內(nèi)記載D12的破壞電壓VBR=144V,不過實(shí)際封裝組件與廠商的標(biāo)示不一致,假設(shè)組件表內(nèi)的記載數(shù)據(jù)是正確的話,筆者建議重新檢討AC135V輸入時(shí)的動(dòng)作。

   [!--empirenews.page--]電路測(cè)試結(jié)果

 

  測(cè)試電路測(cè)試條件與測(cè)試結(jié)果分別如下:

  測(cè)試條件

  ˙輸入電壓:AC80V

  ˙通流角度:450以下,900附近,1350以上

  ˙測(cè)試部位:TP3----V+→整流端的電壓

  TP4----Vbuck→埋谷電路輸出電壓

  Tr1----源極端子→BLDR輸入

  TP15----GATE信號(hào)

  TP16----R3電壓(檢測(cè)電流)

  測(cè)試結(jié)果與考察

  圖9是雙向交流觸發(fā)三極體導(dǎo)通電流的角度與LED電流的變化測(cè)試結(jié)果,根據(jù)測(cè)試結(jié)果可知雙向交流觸發(fā)三極體未通電領(lǐng)域,一直到所有通電領(lǐng)域都非常穩(wěn)定動(dòng)作。圖10是交流輸入電流的波形,雖然流入填埋電路C7、C9的充電電流非常顯眼,不過它可以利用濾波器L3、L4抑制,比所謂的電容輸入電路更優(yōu)秀。

  

 

  

 

  圖11是埋谷電路的電壓波形;圖12是GATE信號(hào)與Tr2的電流(R3的電壓)波形,由圖可知LED的電流幾乎是0V,大約是300mA的數(shù)據(jù),Tr2的OFF時(shí)間則與流入LED的電流值,亦即LED的電壓有依存關(guān)系,電流很小、OFF時(shí)間延長,反過來說電流很大、OFF時(shí)間縮短。此外Tr2的ON時(shí)間取決于流入LED的電流與填埋電路的電壓,埋谷電壓很低、Tr2的ON時(shí)間變長,轉(zhuǎn)換器的動(dòng)作頻率大幅變化,因此選擇輸入濾波器時(shí)必需列入考慮。ITr2的的GATE信號(hào)ON時(shí),突出狀電流流動(dòng),礙于篇幅限制省略定量評(píng)鑒結(jié)果,評(píng)鑒基板設(shè)有保險(xiǎn)絲與電感L5。

  

 

  

 

  結(jié)論

  隨著LED芯片電光轉(zhuǎn)換效率的提升,制作成本卻持續(xù)下跌,使用LED光源的照明燈具逐漸取代傳統(tǒng)熒光燈與白熱燈泡,開發(fā)LED燈泡專用調(diào)光器的同時(shí),市場要求能夠沿用白熱燈泡調(diào)光器的聲浪也日益高漲,傳統(tǒng)白熱燈泡的調(diào)光器,使用結(jié)構(gòu)簡易的雙向交流觸發(fā)三極體位相控制,由于白熱燈泡主要是透過鎢絲高溫發(fā)光,因此雙向交流觸發(fā)三極體的位相控制,無電壓時(shí)段也不會(huì)產(chǎn)生閃現(xiàn)象爍。

  光源變成LED方式時(shí),相同的雙向交流觸發(fā)三極體位相控制,頻率是一般商用頻率2倍,受到無電壓時(shí)段的影響,LED Lamp容易出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象,有鑒于此美國國家半導(dǎo)體公司開發(fā),可以直接連接雙向交流觸發(fā)三極體的調(diào)光電路,以及幾乎完全不會(huì)發(fā)生閃爍現(xiàn)象的LED驅(qū)動(dòng)IC LM3445,透過此專用LED驅(qū)動(dòng)IC,就能夠輕易實(shí)現(xiàn)沿用白熱燈泡調(diào)光器的目標(biāo)。

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