通信用高頻開關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展
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1 通信用高頻開關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展
通信用高頻開關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展基本上可以體現(xiàn)在幾個方面:變換器拓?fù)?、建模與仿真、數(shù)字化控制及磁集成。
1.1 變換器拓?fù)?/p>
軟開關(guān)技術(shù)、功率因數(shù)校正技術(shù)及多電平技術(shù)是近年來變換器拓?fù)浞矫娴臒狳c。采用軟開關(guān)技術(shù)可以有效的降低開關(guān)損耗和開關(guān)應(yīng)力,有助于變換器效率的提高;采用PFC技術(shù)可以提高AC/DC變換器的輸入功率因數(shù),減少對電網(wǎng)的諧波污染;而多電平技術(shù)主要應(yīng)用在通信電源三相輸入變換器中,可以有效降低開關(guān)管的電壓應(yīng)力。同時由于輸入電壓高,采用適當(dāng)?shù)能涢_關(guān)技術(shù)以降低開關(guān)損耗,是多電平技術(shù)將來的重要研究方向。
為了降低變換器的體積,需要提高開關(guān)頻率而實現(xiàn)高的功率密度,必須使用較小尺寸的磁性材料及被動元件,但是提高頻率將使MOSFET的開關(guān)損耗與驅(qū)動損耗大幅度增加,而軟開關(guān)技術(shù)的應(yīng)用可以降低開關(guān)損耗。目前的通信電源工程應(yīng)用最為廣泛的是有源鉗位ZVS技術(shù)、上世紀(jì)90年代初誕生的ZVS移相全橋技術(shù)及90年代后期提出的同步整流技術(shù)。
1.1.1 ZVS有源鉗位
有源箝位技術(shù)歷經(jīng)三代,且都申報了專利。第一代為美國VICOR公司的有源箝位ZVS技術(shù),將DC/DC的工作頻率提高到1MHZ,功率密度接近200W/in3,然而其轉(zhuǎn)換效率未超過90%。為了降低第一代有源箝位技術(shù)的成本,IPD公司申報了第二代有源箝位技術(shù)專利,其采用P溝道MOSFET,并在變壓器二次側(cè)用于forward電路拓?fù)涞挠性大槲?,這使產(chǎn)品成本減低很多。但這種方法形成的MOSFET的零電壓開關(guān)(ZVS)邊界條件較窄,而且PMOS工作頻率也不理想。為了讓磁能在磁芯復(fù)位時不白白消耗掉,一位美籍華人工程師于2001年申請了第三代有源箝位技術(shù)專利,其特點是在第二代有源箝位的基礎(chǔ)上將磁芯復(fù)位時釋放出的能量轉(zhuǎn)送至負(fù)載,所以實現(xiàn)了更高的轉(zhuǎn)換效率。它共有三個電路方案:其中一個方案可以采用N溝MOSFET,因而工作頻率可以更高,采用該技術(shù)可以將ZVS軟開關(guān)、同步整流技術(shù)都結(jié)合在一起,因而其實現(xiàn)了高達(dá)92%的效率及250W/in3以上的功率密度。
1.1.2 ZVS移相全橋
從20世紀(jì)90年代中期,ZVS移相全橋軟開關(guān)技術(shù)已廣泛地應(yīng)用于中、大功率電源領(lǐng)域。該項技術(shù)在MOSFET的開關(guān)速度不太理想時,對變換器效率的提升起了很大作用,但其缺點也不少。第一個缺點是增加一個諧振電感,其導(dǎo)致一定的體積與損耗,并且諧振電感的電氣參數(shù)需要保持一致性,這在制造過程中是比較難控制的;第二個缺點是丟失了有效的占空比。此外,由于同步整流更便于提高變換器的效率,而移相全橋?qū)Χ蝹?cè)同步整流的控制效果并不理想。最初的PWMZVS移相全橋控制器,UC3875/9及UCC3895僅控制初級,需另加邏輯電路以提供準(zhǔn)確的次極同步整流控制信號;如今最新的移相全橋PWM控制器如LTC1922/1、LTC3722-1/-2,雖然已增加二次側(cè)同步整流控制信號,但仍不能有效地達(dá)到二次側(cè)的ZVS/ZCS同步整流,但這是提高變換器效率最有效的措施之一。而LTC3722-1/-2的另一個重大改進(jìn)是可以減小諧振電感的電感量,這不僅降低了諧振電感的體積及其損耗,占空比的丟失也所改進(jìn)。
1.1.3 同步整流
[!--empirenews.page--]同步整流包括自驅(qū)動與外部驅(qū)動。自驅(qū)動同步整流方法簡單易行,但是次級電壓波形容易受到變壓器漏感等諸多因素的影響,造成批量生產(chǎn)時可靠性較低而較少應(yīng)用于實際產(chǎn)品中。對于12V以上至20V左右輸出電壓的變換則多采用專門的外部驅(qū)動IC,這樣可以達(dá)到較好的電氣性能與更高的可靠性。
TI公司提出了預(yù)測驅(qū)動策略的芯片UCC27221/2,動態(tài)調(diào)節(jié)死區(qū)時間以降低體二極管的導(dǎo)通損耗。ST公司也設(shè)計出類似的芯片STSR2/3,不僅用于反激也適用于正激,同時改進(jìn)了連續(xù)與斷續(xù)導(dǎo)通模式的性能。美國電力電子系統(tǒng)中心(CPES)研究了各種諧振驅(qū)動拓?fù)湟越档万?qū)動損耗,并于1997年提出一種新型的同步整流電路,稱為準(zhǔn)方波同步整流,可以較大地降低同步整流管體二極管的導(dǎo)通損耗與反向恢復(fù)損耗,并且容易實現(xiàn)初級主開關(guān)管的軟開關(guān)。凌特公司推出的同步整流控制芯片LTC3900和LTC3901可以更好地應(yīng)用于正激、推挽及全橋拓?fù)渲小?/p>
ZVS及ZCS同步整流技術(shù)也已開始應(yīng)用,例如有源鉗位正激電路的同步整流驅(qū)動(NCP1560),雙晶體管正激電路的同步整流驅(qū)動芯片LTC1681及LTC1698,但其都未取得對稱型電路拓樸ZVS/ZCS同步整流的優(yōu)良效果。
1.2 建模與仿真
開關(guān)型變換器主要有小信號與大信號分析兩種建模方法。
小信號分析法:主要是狀態(tài)空間平均法,由美國加里福尼亞理工學(xué)院的R.D.Middlebrook于1976年提出,可以說這是電力電子學(xué)領(lǐng)域建模分析的第一個真正意義的重大突破。后來出現(xiàn)的如電流注入等效電路法、等效受控源法(該法由我國學(xué)者張興柱于1986年提出)、三端開關(guān)器件法等,這些均屬于電路平均法的范疇。平均法的缺點是明顯的,對信號進(jìn)行了平均處理而不能有效地進(jìn)行紋波分析;不能準(zhǔn)確地進(jìn)行穩(wěn)定性分析;對諧振類變換器可能不大適合;關(guān)鍵的一點是,平均法所得出的模型與開關(guān)頻率無關(guān),且適用條件是電路中的電感電容等產(chǎn)生的自然頻率必須要遠(yuǎn)低于開關(guān)頻率,準(zhǔn)確性才會較高。
大信號分析法:有解析法,相平面法,大信號等效電路模型法,開關(guān)信號流法,n次諧波三端口模型法,KBM法及通用平均法。還有一個是我國華南理工大學(xué)教授丘水生先生于1994年提出的等效小參量信號分析法,不僅適用于PWM變換器也適用于諧振類變換器,并且能夠進(jìn)行輸出的紋波分析。
建模的目的是為了仿真,繼而進(jìn)行穩(wěn)定性分析。1978年,R.Keller首次運用R.D.Middlebrook的狀態(tài)空間平均理論進(jìn)行開關(guān)電源的SPICE仿真。近30年來,在開關(guān)電源的平均SPICE模型的建模方面,許多學(xué)者都建立了各種各樣的模型理論,從而形成了各種SPICE模型。這些模型各有所長,比較有代表性的有:Dr.SamBenYaakov的開關(guān)電感模型;Dr.RayRidley的模型;基于Dr.VatcheVorperian的Orcad9.1的開關(guān)電源平均Pspice模型;基于StevenSandler的ICAP4的開關(guān)電源平均Isspice模型;基于Dr.VincentG.Bello的Cadence的開關(guān)電源平均模型等等。在使用這些模型的基礎(chǔ)上,結(jié)合變換器的主要參數(shù)進(jìn)行宏模型的構(gòu)建,并利用所建模型構(gòu)成的DC/DC變換器在專業(yè)的電路仿真軟件(Matlab、Pspice等)平臺上進(jìn)行直流分析、小信號分析以及閉環(huán)大信號瞬態(tài)分析。
[!--empirenews.page--]由于變換器的拓?fù)淙招略庐?,發(fā)展速度極快,相應(yīng)地,對變換器建模的要求也越來越嚴(yán)格??梢哉f,變換器的建模必須要趕上變換器拓?fù)涞陌l(fā)展步伐,才能更準(zhǔn)確地應(yīng)用于工程實踐。
1.3 數(shù)字化控制
數(shù)字化的簡單應(yīng)用主要是保護(hù)與監(jiān)控電路,以及與系統(tǒng)的通信,目前已大量地應(yīng)用于通信電源系統(tǒng)中。其可以取代很多模擬電路,完成電源的起動、輸入與輸出的過、欠壓保護(hù)、輸出的過流與短路保護(hù),及過熱保護(hù)等,通過特定的介面電路,也能完成與系統(tǒng)間的通訊與顯示。
數(shù)字化的更先進(jìn)應(yīng)用包含不但實現(xiàn)完善的保護(hù)與監(jiān)控功能,也能輸出PWM波,通過驅(qū)動電路控制功率開關(guān)器件,并實現(xiàn)閉環(huán)控制功能。目前,TI、ST及Motorola公司等均推出了專用的電機(jī)與運動控制DSP芯片。現(xiàn)階段通信電源的數(shù)字化主要采取模擬與數(shù)字相結(jié)合的形式,PWM部分仍然采用專門的模擬芯片,而DSP芯片主要參與占空比控制,和頻率設(shè)置、輸出電壓的調(diào)節(jié)及保護(hù)與監(jiān)控等功能。
為了達(dá)到更快的動態(tài)響應(yīng),許多先進(jìn)的控制方法已逐漸提出。例如,安森美公司提出改進(jìn)型V2控制,英特矽爾公司提出Active-droop控制,Semtech公司提出電荷控制,仙童公司提出Valley電流控制,IR公司提出多相控制,并且美國的多所大學(xué)也提出了多種其他的控制思想[7,8,9]。數(shù)字控制可以提高系統(tǒng)的靈活性,提供更好的通信介面、故障診斷能力、及抗干擾能力。但是,在精密的通信電源中,控制精度、參數(shù)漂移、電流檢測與均流,及控制延遲等因素將是需要急待解決的實際問題。
1.4 磁集
隨著開關(guān)頻率的提高,開關(guān)變換器的體積隨之減少,功率密度也得到大幅提升,但開關(guān)損耗將隨之增加,并且將使用更多的磁性器件,因而占據(jù)更多的空間。
國外對于磁性元件集成技術(shù)的研究較為成熟,有些廠商已將此技術(shù)應(yīng)用于實際的通信電源中。其實磁集成并不是一個新概念,早在20世紀(jì)70年代末,Cuk在提出Cuk變換器時就已提出磁集成的思想。自1995年至今,美國電力電子系統(tǒng)并中心(CPES)對磁性器件集成作了很多的研究工作,使用耦合電感的概念對多相BUCK電感集成做了深入研究,且應(yīng)用于各種不同類型的變換器中。2002年,香港大學(xué)Yim-ShuLee等人也提出一系列對于磁集成技術(shù)的探討與設(shè)計。
常規(guī)的磁性元件設(shè)計方法極其繁瑣且需要從不同的角度來考慮,如磁心的大小選擇,材質(zhì)與繞組的確定,及鐵損和銅損的*估等。但是磁集成技術(shù)除此之外,還必須考慮磁通不平衡的問題,因為磁通分布在鐵心的每一部分其等效總磁通量是不同的,有些部分可能會提前飽和。因此,磁性器件集成的分析與研究將會更加復(fù)雜與困難。但是,其所帶來的高功率密度的優(yōu)勢,必是將來通信電源的一大發(fā)展趨勢。
1.5 制造工藝
通信用高頻開關(guān)電源的制造工藝相當(dāng)復(fù)雜,并且直接影響到電源系統(tǒng)的電氣功能、電磁兼容性及可靠性,而可靠性是通信電源的首要指標(biāo)。生產(chǎn)制造過程中完備的檢測手段,齊全的工藝監(jiān)控點與防靜電等措施的采用在很大程度上延續(xù)了產(chǎn)品最佳的設(shè)計性能,而SMD貼片器件的廣泛使用將可以大大提高焊接的可靠性。歐美國家將從2006年起對電子產(chǎn)品要求無鉛工藝,這將對通信電源中器件的選用及生產(chǎn)制造過程的控制提出更高、更嚴(yán)格的要求。[!--empirenews.page--]
目前更為吸引的技術(shù)是美國電力電子系統(tǒng)中心(CPEC)在近幾年提出的電力電子集成模塊(IPEM)的概念,俗稱“積木”。采用先進(jìn)的封裝技術(shù)而降低寄生因素以改進(jìn)電路中的電壓振鈴與效率,將驅(qū)動電路與功率器件集成在一起以提高驅(qū)動的速度因而降低開關(guān)損耗。電力電子集成技術(shù)不僅能夠改進(jìn)瞬態(tài)電壓的調(diào)節(jié),也能改進(jìn)功率密度與系統(tǒng)的效率。但是,這樣的集成模塊目前存在許多挑戰(zhàn),主要是被動與主動器件的集成方式,并且較難達(dá)到最佳的熱設(shè)計。CPEC對電力電子集成技術(shù)進(jìn)行了多年的研究,提出了許多有用的方法、結(jié)構(gòu)與模型。
2 結(jié)論
通信用高頻開關(guān)電源向集成化、小型化方向發(fā)展將是未來的主要趨勢,功率密度將越來越大,對工藝的要求也會越來越高。在半導(dǎo)體器件和磁性材料沒有出現(xiàn)新的突破之前,重大的技術(shù)進(jìn)展可能很難實現(xiàn),技術(shù)創(chuàng)新的重點將集中在如何提高效率和減小重量。因而工藝技術(shù)也將會在電源制造中占的地位越來越高。另外數(shù)字化控制集成電路的應(yīng)用也是將來開關(guān)電源發(fā)展的一個方向,這將有賴于DSP運行速度和抗干擾技術(shù)的進(jìn)一步提高。