高亮度LED的全方位測(cè)試分析

　高亮發(fā)光二極管(High brightness light emitting diodes，HBLED)綜合具備了高輸出、高效率和長(zhǎng)壽命等優(yōu)勢(shì)。圖1示出了典型的二極管的電I-V特性曲線。雖然一個(gè)完整的測(cè)試程序可以包括數(shù)百個(gè)點(diǎn)，但對(duì)一個(gè)有限的樣本的探查一般就足以提供優(yōu)值。許多HBLED測(cè)試需要以一個(gè)已知的電流信號(hào)源驅(qū)動(dòng)器件并相應(yīng)測(cè)量其電壓，或者反過(guò)來(lái)。同時(shí)具備了可同步動(dòng)作的信號(hào)源和測(cè)量功能可以加速系統(tǒng)的設(shè)置并提升吞吐率。測(cè)試可以在管芯層次(圓片和封裝)或者模塊/子組件水平上進(jìn)行。在模塊/子組件水平上，HBLED可以采取串聯(lián)和/或并聯(lián)方式;于是一般需要使用更高的電流，有時(shí)達(dá)50A或者更高，具體則取決于實(shí)際應(yīng)用。有些管芯級(jí)的測(cè)試所用的電流在5～10A的范圍內(nèi)，具體取決于管芯的尺寸。

　　圖1 典型的HBLED DC I-V曲線和測(cè)試點(diǎn)(未按比例繪出)

　　1 正向電壓測(cè)試

　　要理解新的結(jié)構(gòu)單元材料，如石墨烯、碳納米管、硅納米線或者量子點(diǎn)，在未來(lái)的電子器件中是如何發(fā)揮其功效的，就必須采用那些能在很寬范圍上測(cè)量電阻、電阻率、遷移率和電導(dǎo)率的計(jì)測(cè)手段。這常常需要對(duì)極低的電流和電壓進(jìn)行測(cè)量。對(duì)于那些力圖開(kāi)發(fā)這些下一代材料并使之商業(yè)化的工程師而言，在納米尺度上進(jìn)行精確的、可重復(fù)的測(cè)量的能力顯得極為重要。

　　2　漏電流測(cè)試

　　當(dāng)施加一個(gè)低于擊穿電壓的反向電壓時(shí)，對(duì)HBLED兩端的漏電流(IL)的測(cè)量一般使用中等的電壓值。在生產(chǎn)測(cè)試中，常見(jiàn)的做法是僅確保漏電流不不至于超過(guò)一個(gè)特定的閾值。

　　3　提升HBLED的生產(chǎn)測(cè)試的吞吐率

　　過(guò)去，HBLED的生產(chǎn)測(cè)試的所有環(huán)節(jié)都由單臺(tái)PC來(lái)控制。換而言之，在測(cè)試程序的每個(gè)要素中，必須針對(duì)每次測(cè)試配置信號(hào)源和測(cè)量裝置，并在執(zhí)行預(yù)期的行動(dòng)后，將書記返回給PC?？刂芇C根據(jù)通過(guò)/不通過(guò)的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)估，并決定DUT應(yīng)歸入哪一類。PC發(fā)送指令和結(jié)果返回PC的過(guò)程將耗費(fèi)大量的時(shí)間。

　　最新一代的智能儀器，包括吉時(shí)利公司最新的大功率2651A系統(tǒng)信號(hào)源/測(cè)量?jī)x(SourceMeter)，由于可以最大限度減少通信的流量，從而可以大幅度提升測(cè)試吞吐率。測(cè)試程序的主體嵌入到儀器中的一個(gè)Test 處理器(TSP)中，該處理器是一個(gè)用于控制測(cè)試步驟的測(cè)試程序引擎，內(nèi)置通過(guò)/不通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)、計(jì)算和數(shù)字I/O的控制。一個(gè)TSP可以將用戶定義的測(cè)試程序存放到存儲(chǔ)器中，并根據(jù)用戶需要來(lái)執(zhí)行該程序，從而減少了測(cè)試程序中每個(gè)步驟的建立和配置時(shí)間。

　　4　單器件的LED測(cè)試系統(tǒng)