基于IR2136的無刷直流電機(jī)驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)
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摘要:實(shí)現(xiàn)了一個(gè)基于IR2136的適用于無刷直流電機(jī)的三相全橋驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)。詳細(xì)介紹了電路的信號隔離模塊、邏輯綜合電路、三相逆變驅(qū)動電路和過流保護(hù)電路,并對電路中的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行了計(jì)算分析和選擇,最后通過Saber仿真分析軟件對設(shè)計(jì)完成的電路進(jìn)行了仿真。仿真分析結(jié)果證明,電路的設(shè)計(jì)性能完全滿足使用要求。
關(guān)鍵詞:三相全橋驅(qū)動;信號隔離模塊;三相逆變驅(qū)動;Saber
隨著電力電子技術(shù)和高性能永磁材料的發(fā)展,無刷直流電機(jī)的應(yīng)用在航空航天、醫(yī)療、家電及自動化領(lǐng)域獲得了迅猛的發(fā)展。無刷電機(jī)驅(qū)動電路是數(shù)字控制電路和無刷直流電機(jī)聯(lián)系的紐帶,它采用功率電子開關(guān)和霍爾位置傳感器代替有刷電機(jī)中的電刷和換相器,接收來自數(shù)字電路的控制信號,將電流分配給無刷電機(jī)定子上的U、V、W三相繞組。相對于數(shù)字控制部分,驅(qū)動電路是電機(jī)控制系統(tǒng)中的薄弱環(huán)節(jié)。因此,電機(jī)功率驅(qū)動模塊電路性能的好壞將直接關(guān)系到系統(tǒng)的整體性能和可靠性。
以IR公司的專用驅(qū)動功率芯片IR2136為中心,采用MOSFET作為功率開關(guān)器件,完成了三相全橋逆變電路的設(shè)計(jì),選用的MOSFET管為RFP2 60N。驅(qū)動電路接收電機(jī)輸出的代表轉(zhuǎn)子位置的3個(gè)霍爾信號HA、HB、HC,并接收經(jīng)過隔離處理過的PWM波和控制電機(jī)轉(zhuǎn)向的方向信號DIR,經(jīng)過組合邏輯運(yùn)算,輸出按一定次序控制6個(gè)功率MOSFET導(dǎo)通與關(guān)斷的信號。在MOSFET的應(yīng)用中,驅(qū)動、保護(hù)這兩個(gè)問題必須全面考慮。文中詳細(xì)介紹了功率驅(qū)動電路中驅(qū)動部分和保護(hù)部分的設(shè)計(jì),并在分析計(jì)算的基礎(chǔ)上對電路的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行了選擇。
1 功率驅(qū)動電路
采用的驅(qū)動電路原理框圖如圖1所示,共包括4個(gè)部分:信號隔離部分、驅(qū)動部分、三相逆變橋部分及過流保護(hù)部分。
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1.1 信號隔離部分
電機(jī)控制信號PWM和DIR產(chǎn)生電路為數(shù)字電路,工作頻率比較高,工作電壓及電流都比較低。而功率驅(qū)動模塊的電壓和電流比較大,如果驅(qū)動模塊的高壓大電流串入前端控制數(shù)字電路,將會對數(shù)字控制電路造成干擾。為了保證DSP可靠工作,必須實(shí)現(xiàn)弱信號的DSP硬件系統(tǒng)與大電流的功率放大電路之間進(jìn)行隔離與匹配。本設(shè)計(jì)中采用集成光耦HCPL2231模塊,外圍電路如圖2所示,該模塊由兩通道獨(dú)立光耦組成。光耦隔離實(shí)現(xiàn)了單方向傳遞信號,寄生反饋極小,傳輸信號帶寬為6 MHz,完全可以滿足需要傳輸?shù)腜WM和DIR信號帶寬要求。通過信號隔離,避免DSP的運(yùn)行受到功率放大電路的干擾,提高了整個(gè)控制系統(tǒng)的可靠性。另外,通過光耦將隔離后的PWM和DIR信號提高至15 V,從而提高了控制信號抗干擾毛刺的能力。
1.2 驅(qū)動部分
驅(qū)動部分由組合邏輯電路和功率驅(qū)動電路組成。
1.2.1 組合邏輯電路
根據(jù)控制信號PWM和DIR方向信號,結(jié)合電機(jī)霍爾位置信號HA、HB、HC,以及過流信號OC,輸出控制6個(gè)功率管開通與關(guān)斷的控制信號。由于IR2136的高端橋臂和低端橋臂的控制信號為低電平有效,根據(jù)無刷電機(jī)換相邏輯真值表,生成逆變橋的6個(gè)功率管控制信號的邏輯關(guān)系如下:
根據(jù)上述邏輯關(guān)系,邏輯綜合電路采用選用集成門電路實(shí)現(xiàn),電路如圖3所示。
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1.2.2 功率驅(qū)動電路
在電機(jī)功率驅(qū)動電路中,三相逆變橋電路有6個(gè)功率開關(guān)器件,若每個(gè)功率開關(guān)器件都采用獨(dú)立的驅(qū)動電路驅(qū)動,則需要6個(gè)驅(qū)動電路,增加了電路的復(fù)雜性,可靠性下降。
IR2136是功率MOSFET和IGBT專用柵極集成驅(qū)動電路,它可以驅(qū)動工作在母線電壓高達(dá)600 V的功率開關(guān)器件。它帶有3個(gè)獨(dú)立的高壓側(cè)和低壓側(cè)輸出通道,其內(nèi)部采用自舉技術(shù),僅需要一個(gè)直流電源,就可輸出6路功率開關(guān)器件的驅(qū)動脈沖,僅需要一個(gè)直流電源,使其實(shí)現(xiàn)了對功率MOSFET和IGBT的最優(yōu)驅(qū)動,簡化了整個(gè)驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)。而且IR2136驅(qū)動芯片內(nèi)置死區(qū)電路,以及過流保護(hù)和欠壓保護(hù)等功能。IR2136的控制邏輯輸入和CMOS、LSTTL電平兼容,同時(shí)輸入帶有噪聲濾波器,使之有很好的噪聲抑制能力。
IR2136驅(qū)動一個(gè)半橋的電路如圖4所示。其中,C1、VD分別為自舉電容和二極管,Rg為柵極串聯(lián)電阻。自舉電容C1用來給高壓側(cè)的MOSFET提供懸浮電源。一個(gè)半橋的高壓側(cè)管在導(dǎo)通前需要先對自舉電容C1充電,當(dāng)C1兩端電壓超過閾值電壓MOSFET的柵極開啟電壓,高壓側(cè)MOSFET導(dǎo)通。
根據(jù)設(shè)計(jì)要求,自舉電容必須能夠提供功率管導(dǎo)通時(shí)所需要的柵極電荷。自舉電容的最小設(shè)計(jì)要求一最小電荷要求為:
其中Qg為功率管充分導(dǎo)通時(shí)所需要的柵極電荷,Voc為懸浮電源絕對電壓,Vf自舉二極管的正向壓降,Vl為低壓側(cè)功率管的壓降。這里Qg=234 nC,Voc=15 V,Vf=1.3 V,Vl=0.7 V,C=1.08μF。這里選擇C=1μF。
自舉二極管用于開關(guān)二極管的充放電過程。當(dāng)高端IRFP260N管開啟時(shí),自舉二極管必須承受著和IRFP260N漏極相同的電壓,所以二極管的反向承受電壓要大于母線電壓。充放電恢復(fù)時(shí)間極短,應(yīng)選用快恢復(fù)二極管,以減少自舉電容向電源的回饋電荷。這里選用快恢復(fù)二極管FR107作為自舉二極管。FR107的反向恢復(fù)時(shí)間小于500 ns,反向工作峰值電壓1 000 V,正向峰值壓降小于1.3 V,常溫反向電流小于5μA,高溫反向峰值電流小于100μA。
采用IR2136驅(qū)動三相逆變橋的六個(gè)功率MOSFET的電路原理圖如圖5所示。IR2136內(nèi)置了400 ns的死區(qū)時(shí)間,防止同一橋臂的上下2個(gè)MOSF ET管同時(shí)導(dǎo)通。[!--empirenews.page--]
1.3 三相逆變橋部分
逆變電路的作用是將動力直流電源轉(zhuǎn)換為可以驅(qū)動無刷電機(jī)運(yùn)行的三相交流電U、V和W。
通過在IRFP260的柵極串聯(lián)一定電阻,改變MOSFET的開關(guān)速度。這里選擇柵極串聯(lián)一適當(dāng)大小的電阻。另外,由于柵源之間的阻抗很高,因此漏源間電壓的突變會通過極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生過高的電壓過沖。對于正方向的過沖電壓,會引起MOSFET誤導(dǎo)通,導(dǎo)致橋臂直通。因此,為了適當(dāng)降低柵極驅(qū)動電路的阻抗,可以在柵源間并聯(lián)一大電阻。如圖6所示。
1.4 過流保護(hù)部分
過流保護(hù)電路的作用是避免工作過程中電機(jī)出現(xiàn)過電流時(shí)采取的安全措施,當(dāng)驅(qū)動電路控制系統(tǒng)出現(xiàn)過電流時(shí),關(guān)閉三相逆變橋中的功率管。
先對母線電流進(jìn)行采樣檢測,經(jīng)過精密采樣電阻將母線電流信號轉(zhuǎn)換為電壓信號SAM,然后進(jìn)行簡單的濾波處理后輸入到比較器中,與設(shè)定的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較,產(chǎn)生過流信號OC,OC信號輸出到組合邏輯電路中參與運(yùn)算。當(dāng)電流過大時(shí)時(shí),OC信號為低電平,三相逆變橋的高壓端MOSFET關(guān)閉,電機(jī)停止工作。本設(shè)計(jì)中采用LM339芯片實(shí)現(xiàn)電路過流保護(hù)功能,過流保護(hù)電路如圖7所示。
2 仿真結(jié)果分析
直接調(diào)用驅(qū)動芯片IR2136、IRFP260的PSPSICE仿真模型,利用Synopsys公司的仿真分析軟件Saber對功率驅(qū)動電路建立仿真分析模型進(jìn)行分析。在仿真模型中,選擇柵極串聯(lián)電阻RG=200 Ω,柵源極并聯(lián)電阻RGS=20 kΩ,直流母線電流精密采樣電阻RSAM=0.05Ω。
其中S1F和S4F為IR2136一個(gè)橋臂的輸入控制信號,G1_G,G4_G分別為半橋高壓側(cè)MOSFET、低壓側(cè)MOSFET的柵極電壓,UA為電機(jī)的三相繞組輸入電壓。分析得出IR2136輸入控制信號有效時(shí),MOSFET可靠導(dǎo)通;同時(shí)高端MOSFET導(dǎo)通時(shí),低端MOSFET關(guān)閉。
3 結(jié)論
文中設(shè)計(jì)完成了一個(gè)基于IR2136的無刷直流電機(jī)的功率驅(qū)動電路。該電路集成了輸入欠壓、防直通、過流等保護(hù)功能。另外,利用IR21 36片內(nèi)自舉功能,實(shí)現(xiàn)了全橋驅(qū)動電路的單一電源供電,并根據(jù)計(jì)算分析對電路的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行選擇。同時(shí)利用仿真分析軟件Saber對設(shè)計(jì)電路進(jìn)行了仿真,其仿真結(jié)果與理論分析相吻合。