無(wú)線(xiàn)通信IC制程技術(shù)發(fā)展探微
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前言
半導(dǎo)體的應(yīng)用可分為計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)類(lèi)電子、工業(yè)、汽車(chē)、以及軍事等市場(chǎng),根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)與研究機(jī)構(gòu)IC Insight等單位的統(tǒng)計(jì),自2001年以后,計(jì)算機(jī)在半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)品市場(chǎng)的占有率開(kāi)始滑落至50%以下,反觀通信與消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的占有率則逐年上升,成為帶動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長(zhǎng)的重要產(chǎn)品(見(jiàn)圖1)。其中,在通信市場(chǎng)中,年產(chǎn)量高達(dá)四億部左右的手機(jī)市場(chǎng)更是目前各大半導(dǎo)體廠商關(guān)注的重點(diǎn),例如:全球兩大晶圓代工廠臺(tái)積電與聯(lián)電在2002年的技術(shù)論壇中,競(jìng)相宣布適用于無(wú)線(xiàn)通信IC的新制程技術(shù)藍(lán)圖更可看出,無(wú)線(xiàn)通信IC已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展的重要支柱。
一般來(lái)說(shuō),整個(gè)無(wú)線(xiàn)通信IC依功能可以分成三部分:首先為負(fù)責(zé)接收/發(fā)送射頻信號(hào)的射頻IC(Radio Frequency IC),此部分屬于射頻前端,為純粹的設(shè)計(jì);其次為負(fù)責(zé)二次升/降頻與調(diào)制/解調(diào)功能的中頻電路(IF IC),以及與鎖相回路(PLL)、(Synthesizer)等組件,目前此段多屬于模擬/數(shù)字的混和模式( mode)的電路;最后則是負(fù)責(zé)A/D、D/A、信號(hào)處理器及CPU等純數(shù)字部分的基頻IC(Baseband IC)。
由于基頻部分以處理數(shù)字信號(hào)為主,且其內(nèi)部組件多為主動(dòng)組件、線(xiàn)路分布極為密集,故向來(lái)以微細(xì)化與高集成度的純硅制程為主。而在射/中頻部分,由于無(wú)線(xiàn)通信對(duì)于射頻IC的規(guī)格要求相當(dāng)嚴(yán)格,且高頻晶體管的功能不同,其線(xiàn)路設(shè)計(jì)理念也不盡相同,因此,如何選擇不同的材料與制程,以使無(wú)線(xiàn)通信用集成電路的線(xiàn)路功能與價(jià)格達(dá)到平衡或是最佳化,往往是無(wú)線(xiàn)通信用集成電路制造最重要的課題。故本文將以無(wú)線(xiàn)通信射頻IC的制程技術(shù)為探討重點(diǎn),藉以說(shuō)明半導(dǎo)體制程技術(shù)在無(wú)線(xiàn)通信射頻IC領(lǐng)域的發(fā)展重點(diǎn)與趨勢(shì)。
無(wú)線(xiàn)通信與制程概述
可分為由單一元素構(gòu)成的元素半導(dǎo)體與兩種以上元素化合物所構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體兩類(lèi)。前者如硅()、鍺(Germanium)等所形成的半導(dǎo)體,后者如砷化鎵(Gallium Arsenide,)、磷化銦(Indium Phospide,InP)等化合物形成的半導(dǎo)體。在過(guò)去以個(gè)人計(jì)算機(jī)為應(yīng)用主軸的時(shí)期,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)皆以硅材料為發(fā)展重心。由于硅元素先天上的物理限制,傳統(tǒng)的互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(Complementary Oxide ,)制程無(wú)法勝任處理1GHz以上的高頻信號(hào),使得近兩三年在通訊應(yīng)用半導(dǎo)體的需求急增后,特別是對(duì)于高工作頻率、高放大率與低噪聲等條件要求極為嚴(yán)格的無(wú)線(xiàn)通信IC而言,特殊與制程的需求便格外受到重視(見(jiàn)圖2)。在業(yè)界不斷努力研發(fā)之下,目前已開(kāi)發(fā)出可應(yīng)用在無(wú)線(xiàn)通信IC的制程有:硅雙極互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(Si Bipolar )、硅鍺(SiGe)、砷化鎵()、以及其它仍在積極開(kāi)發(fā)磷化銦或E-mode 等不同的制程。以下便再針對(duì)這幾種半導(dǎo)體材料與制程提出進(jìn)一步的說(shuō)明.
硅組件
● Si 為主流
以硅為基材的集成電路共有Si BJT(Si-Bipolar Junction )、Si CMOS、與結(jié)合Bipolar與CMOS特性的Si (Si Bipolar Complementary Oxide )等類(lèi)。由于硅是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最為成熟的材料,因此,不論在產(chǎn)量或價(jià)格方面都極具優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng)上以硅來(lái)制作的晶體管多采用BJT或CMOS,不過(guò),由于硅材料沒(méi)有半絕緣基板,再加上組件本身的增益較低,若要應(yīng)用在高頻段操作的無(wú)線(xiàn)通信IC制造,則需進(jìn)一步提升其高頻電性,除了要改善材料結(jié)構(gòu)來(lái)提高組件的fT,還必須藉助溝槽隔離等制程以提高電路間的隔離度與Q值,如此一來(lái),其制程將會(huì)更為復(fù)雜,且不良率與成本也將大幅提高。因此,目前多以具有低噪聲、電子移動(dòng)速度快、且集成度高的Si 制程為主。而主要的應(yīng)用則以中頻模塊或低層的射頻模塊為主,至于對(duì)于低噪聲、功率與器等射頻前端組件的制造仍力有未逮。
● SiGe制程嶄露頭角
1980年代IBM為改進(jìn)Si材料而加入Ge,以便增加電子流的速度,減少耗能及改進(jìn)功能,卻意外成功的結(jié)合了Si與Ge。而自98年IBM宣布SiGe邁入量產(chǎn)化階段后,近兩、三年來(lái),SiGe已成了最被重視的無(wú)線(xiàn)通信IC制程技術(shù)之一。
依材料特性來(lái)看,SiGe高頻特性良好,材料安全性佳,導(dǎo)熱性好,而且制程成熟、整合度高,具成本較低之優(yōu)勢(shì),換言之,SiGe不但可以直接利用半導(dǎo)體現(xiàn)有晶圓制程,達(dá)到高集成度,據(jù)以創(chuàng)造經(jīng)濟(jì)規(guī)模,還有媲美的高速特性。隨著近來(lái)IDM大廠的投入,SiGe 技術(shù)已逐步在截止頻率(fT)與擊穿電壓(Breakdown )過(guò)低等問(wèn)題獲得改善而日趨實(shí)用。目前,這項(xiàng)由IBM所開(kāi)發(fā)出來(lái)的制程技術(shù)已整合了高效能的SiGe HBT(Heterojunction Bipolar )3.3V及0.5μm的CMOS技術(shù),可以利用主動(dòng)或被動(dòng)組件,從事模擬、RF及混合信號(hào)方面的配置應(yīng)用。
對(duì)于無(wú)線(xiàn)通信射頻IC應(yīng)用而言,SiGe技術(shù)具有良好的線(xiàn)性度、低噪聲、快速等特性,可適用于手機(jī)射頻前端如LNA、等。因此,隨著SiGe制程技術(shù)的性能日趨完善,再加上集成度高,使得全球射頻芯片大廠與晶圓代工廠商皆已陸續(xù)投入此一技術(shù)的發(fā)展。
● RF CMOS蓄勢(shì)待發(fā)
盡管純硅的CMOS制程被認(rèn)為僅適用于數(shù)字功能需求較多的設(shè)計(jì),而不適用于以為主的射頻IC設(shè)計(jì),不過(guò)歷經(jīng)十幾年的努力后,隨著CMOS性能的提升、晶圓代工廠在0.以下制程技術(shù)的配合、以及無(wú)線(xiàn)通信芯片整合趨勢(shì)的引領(lǐng)下,RF CMOS制程不僅是學(xué)界研究的熱門(mén)課題,也引起了業(yè)界的關(guān)注。采用RF CMOS制程最大的好處,當(dāng)然是可以將射頻、基頻與存儲(chǔ)器等組件合而為一的高整合度,并同時(shí)降低組件成本。但是癥結(jié)點(diǎn)仍在于RF CMOS是否能解決高噪聲、低絕緣度與Q值、與降低改善性能所增加制程成本等問(wèn)題,才能滿(mǎn)足無(wú)線(xiàn)通信射頻電路嚴(yán)格的要求。
目前已采用RF CMOS制作射頻IC的產(chǎn)品多以對(duì)射頻規(guī)格要求較為寬松的與射頻IC,例如CSR、Oki、等芯片廠商皆已推出使用CMOS制造的傳送器;而Atheros、Envara等芯片廠商也在最近推出全CMOS制程的多模(.11b/g/a)射頻芯片組。不過(guò),由于手機(jī)用射頻IC規(guī)格非常嚴(yán)格,到目前為止,除了 以數(shù)字技術(shù)來(lái)強(qiáng)化低中頻至基頻及數(shù)字頻道選擇功能,以降低CMOS噪聲過(guò)高的問(wèn)題所生產(chǎn)的 低中頻 GSM/芯片組外,很少?gòu)S商以此技術(shù)制造手機(jī)射頻IC。再者,由于手機(jī)制造商對(duì)其可靠度的疑慮仍深,故除了韓國(guó)三星電子采用 的射頻芯片組外,幾乎未曾聽(tīng)聞手機(jī)制造廠采用CMOS生產(chǎn)的RF芯片。由此觀之,RF CMOS欲在手機(jī)射頻IC制程中搶占一席之地仍有許多亟待克服的障礙。
化合物半導(dǎo)體:GaAs
除了硅制程的芯片之外,以砷化鎵制程所生產(chǎn)的芯片亦早就被大量運(yùn)用在衛(wèi)星通信、軍事武器等國(guó)防工業(yè)上,只是其應(yīng)用范圍狹隘,且產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)較為封閉,以致于市場(chǎng)開(kāi)拓不易。不過(guò),隨著近年來(lái)無(wú)線(xiàn)通信的發(fā)展,砷化鎵制造的IC逐漸廣為應(yīng)用在無(wú)線(xiàn)通信功率放大組件的制造。
依材料特性來(lái)看,砷化鎵為化合物半導(dǎo)體,由于電子移動(dòng)率約為硅的5.7倍,且高頻使用消耗功率低,故多用于制作功率組件。一般來(lái)說(shuō),砷化鎵在無(wú)線(xiàn)通信射頻前端的應(yīng)用具有高工作頻率、低噪聲、工作溫度適用范圍高、以及能源利用率佳等幾種優(yōu)點(diǎn)。
在組件種類(lèi)方面,依晶體管制程結(jié)構(gòu)可分為:金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管( Field Effect ,)、假晶高電子遷移率晶體管(Pseudomorphic Electron Transistor,)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(Heterostructure Bipolar Transistor,HBT)等三類(lèi)。其中HBT雖然是三者中最新開(kāi)發(fā)的技術(shù),但其結(jié)構(gòu)上的優(yōu)勢(shì),使信道上的電子流呈垂直方向,可以產(chǎn)生較高的功率密度,且僅需單一電壓,在同樣的輸出功率下,HBT的線(xiàn)性效果優(yōu)于其它晶體管結(jié)構(gòu),正適合目前講求輕薄短小、待機(jī)時(shí)間長(zhǎng)的移動(dòng)電話(huà)。
上述各種應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)通信IC制造的半導(dǎo)體材料與制程技術(shù),由于GaAs等制程擁有高工作頻率、低噪聲等優(yōu)點(diǎn),因此在未來(lái)兩三年內(nèi)仍是高速,特別是功率放大器的主流制程技術(shù)。不過(guò)GaAs也存在著成本昂貴,且無(wú)法和硅芯片集成的缺點(diǎn)。
至于在硅制程方面,隨著SiGe制程的崛起,與RF CMOS逐步朝向?qū)嵱没A段邁進(jìn),將影響Si BiCMOS制程目前在射頻IC的主流地位,尤其是SiGe制程技術(shù)將會(huì)日益受到重視。過(guò)去在發(fā)展初期,SiGe由于截止頻率(Cutoff frequency:fT),及其相對(duì)的崩潰電壓過(guò)低,使得SiGe難以應(yīng)用在射頻功率放大器上,相較之下GaAs不但具有高fT,而且其崩潰電壓也遠(yuǎn)高于SiGe或Si制程,因此在功率放大器(PA)的應(yīng)用上有極大的優(yōu)勢(shì)。但經(jīng)過(guò)短短幾年的改進(jìn),目前的SiGe HBT技術(shù)不僅已被、RF MD、等無(wú)線(xiàn)通信IC大廠廣為應(yīng)用在手機(jī)射頻前端如LNA、等組件,也已發(fā)揮其制程集成能力完成集成RF/IF功能的Transceiver產(chǎn)品,更進(jìn)一步挑戰(zhàn)GaAs在PA產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)。
除了上述的制程外,其它逐步應(yīng)用在無(wú)線(xiàn)通信高頻組件的基材還有磷化銦(InP)或GaAs on Si等制程。前者較砷化鎵更適于高頻應(yīng)用,效率更高,組件更小,被認(rèn)為未來(lái)有可能會(huì)取代砷化鎵,只是目前價(jià)格昂貴;后者主要由發(fā)展,于2001年9月宣布成功用于商業(yè)用途,可將GaAs的功率放大器(PA)與Si為主的基頻模塊結(jié)合在一起以降低成本,依據(jù)的構(gòu)想,砷化鎵與硅結(jié)合實(shí)用化后,最初將先運(yùn)用在輸出功率小于10W的WLAN和手機(jī)等消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品上。不過(guò)砷化鎵與硅結(jié)合,需要額外的加工工程,制程程序增加,良率會(huì)降低,因此其成本與商業(yè)化進(jìn)程等問(wèn)題仍有待考驗(yàn)。
無(wú)線(xiàn)通信IC整合趨勢(shì)
個(gè)別組件的制程技術(shù)發(fā)展
以手機(jī)射頻IC中最主要的兩大組件收發(fā)器與PA制程為例:在收發(fā)器的制程部分,雖然目前BiCMOS制程仍為市場(chǎng)主力,但近來(lái)廠商也積極發(fā)展RF CMOS與SiGe BiCMOS等制程技術(shù)。根據(jù)Strategy Unlimited的估計(jì),到2004年BiCMOS制程的收發(fā)器芯片的市場(chǎng)占有率將逐步下滑到僅占全球66%,而SiGe制程的收發(fā)器芯片則可成長(zhǎng)至21%的市場(chǎng)占有率,RF CMOS制程的收發(fā)器亦可望占有13%的市場(chǎng)。隨著越來(lái)越多廠商推出SiGe制程的收發(fā)器,再加上代工廠也陸續(xù)切入SiGe制程的代工,未來(lái)兩、三年內(nèi)手機(jī)收發(fā)器的制程將以Si BiCMOS 與SiGe BiCMOS制程為主流。
在手機(jī)的PA部分,由于GaAs材料特性的優(yōu)勢(shì),故仍將主導(dǎo)手機(jī)PA制程市場(chǎng),至于SiGe則在不斷改善制程技術(shù)后,將有機(jī)會(huì)侵蝕過(guò)去GaAs獨(dú)占的PA市場(chǎng)。Strategy Unlimited便預(yù)估,到2004年全球GaAs制程的PA芯片市場(chǎng)占有率將下滑到僅占68%,而CMOS與SiGe制程的PA芯片則將分別成長(zhǎng)至13%與18%的市場(chǎng)占有率(見(jiàn)圖4)。不過(guò),若以目前發(fā)展看來(lái),推出SiGe制程PA的廠商仍屬少數(shù),再加上認(rèn)證與設(shè)計(jì)的時(shí)間,到2004年SiGe PA仍不易有高成長(zhǎng),未來(lái)三年手機(jī)PA的制程未來(lái)仍將以GaAs制程為發(fā)展主流。
就未來(lái)發(fā)展高集成度(integration ) RF IC芯片組而言,由于Si-CMOS、SiGe電路的重復(fù)性與一致性較GaAs制程高,且單位面積的電路密度高,就電路的集成度、易產(chǎn)性及成本,目前商用RF IC以CMOS、SiGe制程具備較佳的競(jìng)爭(zhēng)力。若從個(gè)別組件的發(fā)展來(lái)看,SiGe制程將成為PA與等射頻前端組件在GaAs制程外的另一種選擇;而收發(fā)器與LNA等組件則將出現(xiàn)SiGe與CMOS搶占Si BiCMOS制程市場(chǎng)的局面。
逐步邁向SoC
射頻電路組件應(yīng)用在移動(dòng)電話(huà)等各式無(wú)線(xiàn)通信設(shè)備上,除考慮成本與性能外,更需力求其體積的微小化與采用的方便性。因此,為使所研發(fā)的產(chǎn)品更符合與需求,射頻組件制造商紛紛朝向更高整合度與集成度邁進(jìn),藉以提供下游廠商更佳的應(yīng)用便利性。從TI、等國(guó)際芯片大廠所規(guī)劃的技術(shù)藍(lán)圖來(lái)看,2003-2004年將逐步發(fā)展成PA模塊、射頻單芯片、基頻芯片等三顆芯片或芯片模塊,至于集成射頻與基頻的SoC則到2005年以后才有可能實(shí)現(xiàn)。至于臺(tái)灣省廠商方面,自今年起威盛與聯(lián)發(fā)科相繼宣布積極投入后,也已加快國(guó)內(nèi)廠商朝向手機(jī)關(guān)鍵零組件SoC的腳步。
結(jié)語(yǔ)
上述的討論,臺(tái)灣省工研院認(rèn)為,從半導(dǎo)體制程技術(shù)及其應(yīng)用在無(wú)線(xiàn)通信IC的歷程來(lái)看,短期內(nèi)SiGe與BiCMOS將是手機(jī)收發(fā)器的主流制程,其次,即便面臨SiGe或CMOS的挑戰(zhàn),短期內(nèi)GaAs仍將主導(dǎo)手機(jī)的功率放大器市場(chǎng),不過(guò),在WLAN與Bluetooth的功率放大器將以SiGe與CMOS為主。至于CMOS雖然是未來(lái)應(yīng)用在各種系統(tǒng)產(chǎn)品中最經(jīng)濟(jì)的,但是現(xiàn)階段仍?xún)H限于WLAN收發(fā)器與Bluetooth,而在手機(jī)IC的應(yīng)用則仍需進(jìn)一步發(fā)展。
藉由對(duì)半導(dǎo)體制程的討論可以看出,半導(dǎo)體制程的進(jìn)展不僅影響手機(jī)射頻IC的發(fā)展,也影響無(wú)線(xiàn)通信IC產(chǎn)業(yè),甚至是上游的圓片制造產(chǎn)業(yè)。因此,對(duì)于臺(tái)灣省圓片制造廠商而言,在投入GaAs生產(chǎn)制造時(shí),更應(yīng)對(duì)快速發(fā)展且日益增多的SiGe集成產(chǎn)品加以注意,以隨時(shí)做好應(yīng)變的規(guī)劃。至于IC設(shè)計(jì)公司亦應(yīng)密切掌握本地晶圓代工廠的制程技術(shù)動(dòng)向,除了可妥善利用本地的晶圓制造產(chǎn)能,以降低海外投片的成本,更可拉近與國(guó)際無(wú)線(xiàn)通信IC制造技術(shù)的差距。