RAM、RRAM和DRAM三者有什么區(qū)別？

RAM，Random-Access Memory，即隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其實(shí)就是內(nèi)存，斷電會(huì)丟失數(shù)據(jù)。

主要分為SRAM（static）和DRAM（dynamic)。主要的區(qū)別在于存儲(chǔ)單元，DRAM使用電容電荷進(jìn)行存儲(chǔ)。需要一直刷新充電。SRAM是用鎖存器鎖住信息，不需要刷新。但也需要充電保持。
關(guān)于DRAM，其基本的存儲(chǔ)單元如下，利用一個(gè)進(jìn)行控制電容的充放電。

DRAM一般的尋址模式，控制的晶體管集成在單個(gè)存儲(chǔ)單元中。



現(xiàn)在的DRAM一般都是SDRAM，即Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步且能自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。其結(jié)構(gòu)一般由許多個(gè)bank組成并利用以達(dá)到自由尋址。

而RRAM，指的是Resistive Random Access Memory，這是最近才新研究的技術(shù)，并不成熟。利用Memositor（一種記憶電阻，其阻值會(huì)根據(jù)流過的電流而變化）作為存儲(chǔ)單元，優(yōu)點(diǎn)十分明顯，并且和DRAM比起來在array中可以減少控制晶體管的數(shù)量，在CMOS chip上已經(jīng)有所應(yīng)用。
舉crossbar為例，我在一篇文章上看到的芯片

其基本的尋址模式是在crossbar外進(jìn)行控制，DATA A為讀取的數(shù)據(jù)而DATA B是不讀取的數(shù)據(jù)。對(duì)相應(yīng)的地址加以兩種不同的電壓完成存取。

作者：Birkee
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來源：知乎