英飛凌推出專為工業(yè)應(yīng)用而優(yōu)化的功率模塊

在紐倫堡舉行的2006年電子功率器件、智能傳送、電源質(zhì)量博覽會(huì)（pcim2006）上，英飛凌科技公司(fse/nyse: ifx)推出了全新緊湊型igbt（絕緣柵雙極晶體管）模塊家族，為各種工業(yè)傳動(dòng)裝置以及風(fēng)車、電梯或輔助傳動(dòng)設(shè)備、機(jī)車與列車用電源及供暖系統(tǒng)傳動(dòng)裝置，提供優(yōu)化型功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)解決方案?；趧?chuàng)新型封裝概念的全新primepack?模塊，充分發(fā)揮了英飛凌新一代igbt4芯片的優(yōu)勢(shì)。

　　在這種創(chuàng)新模塊設(shè)計(jì)中，igbt芯片距基板緊固點(diǎn)更近，降低了基板與散熱器之間的熱阻?；谶@些特點(diǎn)，與傳統(tǒng)模塊相比，能夠使內(nèi)部雜散電感降低60%左右。減少雜散電感對(duì)于消除尖峰過(guò)電壓是非常重要的。獨(dú)特的布局大大改善了熱分布，實(shí)現(xiàn)了整個(gè)模塊系統(tǒng)的低熱阻性能。最高運(yùn)行溫度從+125°c提高到 +150°c，大大超出了先前模塊的。英飛凌還將這種模塊的最小貯存溫度從先前-40°c降低至-55°c。面向功率變換器應(yīng)用的全新igbt模塊，還能在相同阻斷電壓或模塊尺寸的條件下，使額定電流上升20%左右，或者在以相對(duì)較小的體積實(shí)現(xiàn)相同的功率損耗。

　　目前，英飛凌已經(jīng)推出了1,200v和1,700v兩個(gè)電壓級(jí)別的primepack模塊，每個(gè)模塊都有兩種尺寸規(guī)格：89 mm x 172 mm和89 mm x250 mm。primepack模塊的半橋配置和模塊化設(shè)計(jì)，使得用戶可以很容易就成比例的改變轉(zhuǎn)換器的功率，如選用不同的模塊尺寸，或?qū)⑻囟ㄐ吞?hào)的模塊并連在一起。兩款模塊的重量比同等功率的傳統(tǒng)模塊要輕45%，這使得設(shè)計(jì)和安裝功率變換器更為簡(jiǎn)單。

　　“通過(guò)推出primepack模塊，英飛凌再次改寫(xiě)了功率模塊的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，因此能夠更好地滿足客戶的需求，”英飛凌科技工業(yè)功率電子產(chǎn)品部主管martin hierholzer說(shuō)，“面向系統(tǒng)集成全面優(yōu)化的創(chuàng)新模塊設(shè)計(jì)，與采用trenchstop?/電場(chǎng)截止工藝制造的新一代高性能igbt4芯片的結(jié)合，可優(yōu)化我們最新推出的系列模塊，從而大大提高各類工業(yè)傳動(dòng)系統(tǒng)的效率和耐用性?！?br>
　　工業(yè)傳動(dòng)市場(chǎng)具備很大的增長(zhǎng)潛力。據(jù)ims research的一項(xiàng)研究報(bào)告，全球工業(yè)傳動(dòng)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)期將從2005年的85億美元增長(zhǎng)到2008年的94億美元，年均增長(zhǎng)6%。在傳動(dòng)系統(tǒng)中運(yùn)用現(xiàn)代化的功率半導(dǎo)體，能夠大幅度降低電能消耗。例如，應(yīng)用電子驅(qū)動(dòng)控制，可以使每臺(tái)電機(jī)平均節(jié)省40%的電能。

　　primepack的推出，進(jìn)一步壯大了英飛凌功率模塊產(chǎn)品家族的陣容，如今，該產(chǎn)品家族包括緊湊型1,200v和1,700v產(chǎn)品，其功率范圍介于200kw的62mm產(chǎn)品家族和300kw以上的成熟ihma模塊之間。-55°c的額定貯存溫度和+150°c的最大運(yùn)行溫度，使得primepack模塊能夠在異常嚴(yán)酷的環(huán)境下保持正常工作。這些模塊在德國(guó)warstein生產(chǎn)，igbt二極管和igbt芯片在奧地利菲拉赫制造。

供貨情況

　　1,200v和1,700v primepack模塊樣品現(xiàn)已開(kāi)始供貨，預(yù)計(jì)2007年第一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這些模塊符合rohs要求，并滿足nff16-101和16-102的防火要求。

igbt4簡(jiǎn)介

　　英飛凌首次推出最大運(yùn)行溫度為150°c、結(jié)溫為175°c、電壓級(jí)別為1,200v的新一代igbt4芯片組件。新模塊除改進(jìn)芯片的散熱性能外，還降低了芯片的正向功率損耗，提高了其電氣強(qiáng)度。