惠普海力士合作開(kāi)發(fā)憶阻器存儲(chǔ)

惠普公司今天宣布，已經(jīng)和韓國(guó)海力士半導(dǎo)體達(dá)成合作研發(fā)協(xié)議，雙方將共同致力于在未來(lái)的產(chǎn)品中使用Memristor憶阻器技術(shù)，即使用電阻實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)的ReRAM(Resistive Random Access Memory電阻式存儲(chǔ)器)。

憶阻器技術(shù)的研究實(shí)際上已有數(shù)十年的歷史。1971年，加州大學(xué)伯克利分校Leon Chua教授預(yù)測(cè)，在電容、電阻和電感之外，還存在第四種基本元件：記憶電阻(Memristor)。這種電阻能夠通過(guò)施加不同方向、大小電壓，改變其阻值。由于可以使用不同阻值代表數(shù)字信號(hào)，憶阻器在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)領(lǐng)域應(yīng)用前景廣泛。它使用單個(gè)元件就可以實(shí)現(xiàn)一組閃存電路的功能，并且耗能更少，速度更快。當(dāng)把憶阻器與半導(dǎo)體電路混合時(shí)，可以大幅降低處理器芯片中用于存儲(chǔ)的晶體管數(shù)量，明顯降低成本。

發(fā)展歷程

2006年，惠普終于通過(guò)實(shí)驗(yàn)證實(shí)了憶阻器的存在，并在2008年于自然雜志發(fā)表論文得到世界認(rèn)可。在證明憶阻器存在后，惠普還在不斷推動(dòng)這項(xiàng)技術(shù)的進(jìn)步，包括2009年實(shí)現(xiàn)憶阻器電路堆疊，今年上半年又證實(shí)憶阻器可實(shí)現(xiàn)邏輯電路，即可以在存儲(chǔ)芯片中直接實(shí)施運(yùn)算功能。根據(jù)今天簽訂的協(xié)議，雙方將共同研發(fā)憶阻器技術(shù)，爭(zhēng)取盡快讓使用該技術(shù)的ReRAM商品化。海力士將在自己的研發(fā)和生產(chǎn)制造中逐步應(yīng)用憶阻器技術(shù)。

由于ReRAM屬于非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其最直接的應(yīng)用就是替代閃存，擔(dān)當(dāng)計(jì)算機(jī)以及各種消費(fèi)電子設(shè)備中的長(zhǎng)期存儲(chǔ)任務(wù)。甚至還可能成為通用性存儲(chǔ)介質(zhì)，取代DRAM甚至硬盤(pán)的位置。

憶阻器存儲(chǔ)