μPSD中存儲(chǔ)器系統(tǒng)的配置
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背景
如果對(duì)ST公司的μPSD器件有一定了解,熟悉MCS-51系列單片機(jī)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理,使用過PSDSOFT EXPRESS和KEIL開發(fā)設(shè)計(jì),將對(duì)理解本文有很大的幫助。
MCS-51單片機(jī)采用哈佛結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu),即數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間與程序存儲(chǔ)器空間互相獨(dú)立。它有16根地址總線,最大尋址能力為64K,這決定程序或數(shù)據(jù)空間不能超過64K。以上兩點(diǎn)是本文所有討論的前提基礎(chǔ)。
μPSD的存儲(chǔ)器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
μPSD由標(biāo)準(zhǔn)8032核和ST公司的PSD(可編程系統(tǒng)器件)構(gòu)成,存儲(chǔ)器系統(tǒng)包含兩個(gè)主要部分,一是8032的內(nèi)部存儲(chǔ)器資源:256B內(nèi)部RAM和 128B內(nèi)部特殊功能寄存器SFR;二是PSD中的存儲(chǔ)器模塊:主/次FLASH存儲(chǔ)器,擴(kuò)展的SRAM及控制PSD的CSIOP(Chip- Select I/O Port,類似于8051的SFR)。μPSD的主/次FLASH是完全相同的存儲(chǔ)介質(zhì)(早期的PSD813F1中的次存儲(chǔ)器是EEPROM結(jié)構(gòu)的),是兩個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器。主FLASH通常分4~8塊,每塊16~32kb;次FLASH通常分2~4塊,一般每塊為8kb。μPSD中使用譯碼可編程譯碼邏輯陣列(DPLD),頁(yè)寄存器PAGE,存儲(chǔ)器控制寄存器VM,聯(lián)合實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器系統(tǒng)的配置。
關(guān)于IAP和分頁(yè)技術(shù)
為什么μPSD中要有兩個(gè)FLASH?簡(jiǎn)單地說,這是為了實(shí)現(xiàn)IAP而設(shè)計(jì)的。IAP就是 “在應(yīng)用中編程或升級(jí)代碼”,其原理是:?jiǎn)纹瑱C(jī)中裝有一套用戶程序和一套代碼更新程序。正常情況下,單片機(jī)運(yùn)行的是用戶程序;在需要程序升級(jí)時(shí),系統(tǒng)會(huì)切換到代碼更新程序,通過串口或其他通信口下載新的用戶程序代碼,并寫入到原來的用戶程序存儲(chǔ)器中,更新完成后,再切換回至用戶程序?;贛CS-51系統(tǒng)結(jié)構(gòu)特點(diǎn),在同一個(gè)存儲(chǔ)器中運(yùn)行主程序和改寫程序是不可能實(shí)現(xiàn)的。所有用MCS-51來實(shí)現(xiàn)IAP功能的系統(tǒng)都必須有兩個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器。實(shí)現(xiàn)IAP的難點(diǎn)在于存儲(chǔ)器的切換控制,體現(xiàn)在μPSD中主要就是如何使用VM寄存器以及如何對(duì)存儲(chǔ)器的片選控制。
此外,隨著應(yīng)用要求越來越高,代碼長(zhǎng)度不斷增加,64K的限制已經(jīng)成為設(shè)計(jì)中的瓶頸。許多軟/硬件供應(yīng)商都竭力推出自己的方案以實(shí)現(xiàn)MCS-51對(duì)大于64K的支持,分頁(yè)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。
分頁(yè)設(shè)計(jì)中最重要的就是公共區(qū)和分頁(yè)區(qū)的設(shè)置,所謂公共區(qū)就是在所有的頁(yè)面中均為有效的一塊存儲(chǔ)器區(qū)。在程序空間中,64K范圍(1頁(yè))內(nèi)的程序是連續(xù)的,一旦超過此范圍,只保留低16位,最高位將被丟棄,程序會(huì)跳回開始處運(yùn)行。保證程序在頁(yè)面切換時(shí)不會(huì)“跑飛”就是通過公共區(qū)實(shí)現(xiàn)的。分頁(yè)技術(shù)的實(shí)現(xiàn)方法是:當(dāng)程序在調(diào)用位于分頁(yè)區(qū)的程序時(shí),首先保存返回地址,然后轉(zhuǎn)跳到公共區(qū)執(zhí)行,再修改頁(yè)寄存器到新的頁(yè)號(hào)實(shí)現(xiàn)頁(yè)面的切換,調(diào)用程序,返回到公共區(qū),恢復(fù)原來頁(yè)號(hào),最后從保存的返回地址返回。
公共區(qū)的大小由用戶自行設(shè)定,在μPSD中通常使用主/次FLASH中的一塊或多塊作為公共區(qū),如使用1塊次FLASH即8KB,2塊次FLSAH即 16KB,1塊主FLASH則是32KB,若只想使用主FLASH中的20KB作公共區(qū)也是可行的,只要將主FLASH的地址范圍只定義為20K的范圍就可以了。當(dāng)然,公共區(qū)的大小不能超過64K。公共區(qū)必須設(shè)在64K范圍的低端,這是因?yàn)镸CS-51中斷入口地址的原因。公共區(qū)中保存所有的公用子程序,中斷服務(wù)程序,全局常數(shù)表以及系統(tǒng)的初始化部分及頁(yè)面切換程序。
μPSD存儲(chǔ)器的空間配置
μPSD中存儲(chǔ)器系統(tǒng)配置主要是對(duì)程序空間的設(shè)置,相對(duì)而言數(shù)據(jù)空間的配置稍微簡(jiǎn)單一點(diǎn)。μPSD中主/次FLASH可設(shè)置為程序或數(shù)據(jù)空間,這是由VM 寄存器決定的,VM寄存器的作用如表1所示。VM的內(nèi)容可在運(yùn)行時(shí)由MCU進(jìn)行修改,這是實(shí)現(xiàn)IAP的關(guān)鍵。在PSDSOFT軟件流程中可設(shè)置主/次 FLASH為程序、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序/數(shù)據(jù)混合存儲(chǔ)器,實(shí)際上就是對(duì)VM寄存器上電時(shí)的默認(rèn)值進(jìn)行設(shè)置,換句話說,就是確定上電時(shí)主/次FLASH分別位于什么空間。
表1 VM寄存器各位作用
表中,“#RD可以/不能訪問”是指此存儲(chǔ)器是否位于數(shù)據(jù)空間,“#PSEN可以/不能訪問”是指此存儲(chǔ)器是否位于數(shù)據(jù)空間,因?yàn)樵贛CS-51系統(tǒng)中對(duì)外部數(shù)據(jù)/程序空間的訪問就是通過#RD和#PSEN進(jìn)行區(qū)分的。舉例說明:
VM=0CH,表示主FLASH位于程序空間,次FLASH位于數(shù)據(jù)空間;
VM=16H,表示主FLASH位于數(shù)據(jù)和程序空間,次FLASH位于程序間。
位0用來指定SRAM是否位于程序空間,因?yàn)镾RAM只在數(shù)據(jù)空間有效。位7用來指示外設(shè)IO模式的允許與禁止,具體將在后面介紹。圖1可幫助對(duì)VM寄存器作用的理解。
圖1 μPSD中存儲(chǔ)器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
如圖1所示,VM位0~4與#RD、#PSEN聯(lián)合實(shí)現(xiàn)對(duì)主/次FLASH及SRAM的選擇。這里是通過輸出允許#OE信號(hào)進(jìn)行控制的,也就是說即使存儲(chǔ)器的地址有效(CS有效),如果#OE無效,也不能訪問到此存儲(chǔ)器的內(nèi)容。主/次FLASH的#OE有兩個(gè)有效輸入項(xiàng),由VM位3/4控制#RD是否起作用,VM的1/2位來控制#PSEN是否起作用。在VM的各位確定后,可依圖1畫出簡(jiǎn)化的配置結(jié)構(gòu)。這里的#OE信號(hào)是對(duì)主/次FLASH的每一塊同時(shí)有效的。
在實(shí)現(xiàn)IAP時(shí),通過VM來實(shí)現(xiàn)對(duì)主/次FLASH的空間進(jìn)行換,例如,主FLASH作用戶程序,次FLASH用作升級(jí)程序;正常工作時(shí),主FLASH作程序空間,運(yùn)行用戶代碼,在進(jìn)行程序升級(jí)時(shí),將次FLASH切換作程序空間,并運(yùn)行次FLASH中的升級(jí)程序,再把主FLASH換到數(shù)據(jù)空間,對(duì)主 FLASH中的用戶代碼進(jìn)行更新。
μPSD存儲(chǔ)器的地址配置
μPSD中對(duì)存儲(chǔ)器地址分配需遵守以下規(guī)則:
規(guī)則1.主/次FLASH塊FS0~FS7,CSBOOT0~CSBOOT3的地址范圍不能大于其物理尺寸;
規(guī)則2.主FLASH塊FS0~FS7之間地址不能重疊;
規(guī)則3.次FLASH塊CSBOOT0~CSBOOT3之間地址不能重疊;
規(guī)則4.SRAM、I/O、外設(shè)I/O地址不能重疊;
規(guī)則5.主FLASH,次FLASH和SRAM,I/O,外設(shè)I/O,若地址重疊,存儲(chǔ)器有效優(yōu)先級(jí)為SRAM、I/O、外設(shè)I/O最高,次FLASH次之,主FLASH最低。[!--empirenews.page--]
在PSDSOFT設(shè)計(jì)中,若違反規(guī)則2、3、4會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤,必須修改才能進(jìn)行下一步;而違反規(guī)則1只會(huì)發(fā)出警告,如果忽略一定要小心。規(guī)則5屬于解釋型規(guī)則,不會(huì)提出任何提示,注意地址重疊情況下優(yōu)先級(jí)低的存儲(chǔ)器不能被訪問。
μPSD中通過DPLD對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)器的地址進(jìn)行分配,DPLD的結(jié)構(gòu)如圖2所示。
圖2 DPLD的結(jié)構(gòu)
DPLD包括“與”陣列和“或”陣列,“與”陣中有輸入項(xiàng)共57項(xiàng),“或”陣中有輸出項(xiàng)共16項(xiàng)。輸入項(xiàng)表示可參于地址譯碼的信號(hào),輸出項(xiàng)即每個(gè)存儲(chǔ)器的CS信號(hào)。
DPLD的輸入項(xiàng)中最常用的是A0~A15,頁(yè)寄存器PGR0~PGR7,#RD、#PSEN、#WR、ALE。PDN是在功率管理時(shí)使用,如果在地址中加入PDN,表示只有在電源有效時(shí)地址譯碼才有效,通常這項(xiàng)是自動(dòng)加入的,使用者可不用管。
DPLD的輸入項(xiàng)和輸出項(xiàng)不是必須全部配置的。在對(duì)μPSD的存儲(chǔ)器進(jìn)行地址配置時(shí),一個(gè)最重要的原則是“不超過64KB就不要分頁(yè),沒有使用到的塊就不必配置”。對(duì)于小的項(xiàng)目中沒有使用到所有存儲(chǔ)器,不用去配置,這樣既簡(jiǎn)單,減少出錯(cuò),又方便調(diào)試和檢查。除CSIOP是必須配置的外,其他項(xiàng)均可根據(jù)需要進(jìn)行配置。
PSEL由外設(shè)I/O模式控制,在PIO模式下,PA口的所有I/O被設(shè)置為三態(tài)、雙向MCU數(shù)據(jù)緩沖器方式,與MCU的P0口有些類似。DPLD中必須聲明PSEL0和/或PSEL1的有效地址范圍,在訪問此地址時(shí),PA口進(jìn)入PIO方式。前面所述的VM寄存器中第7位是PIO模式允許/禁止控制,PIO模式的內(nèi)部控制結(jié)構(gòu)如圖3所示。為避免PSEL0和PSEL1所指定的范圍在程序/數(shù)據(jù)空間都有效,應(yīng)在PSEL0和PSEL1中加入 “!#PSEN”信號(hào),以保證PIO模式僅在訪問數(shù)據(jù)空間時(shí)有效。
使用PSDSOFT對(duì)μPSD進(jìn)行配置和編程
μPSD中PAGE是一個(gè)8位寄存器,最多可實(shí)現(xiàn)256個(gè)頁(yè)面,PAGE寄存器與地址范圍的配置是同時(shí)起作用的。如果你的系統(tǒng)中不論是程序還是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)超出了64k,必須要分頁(yè)。 μPSD的PAGE寄存器的8位可以獨(dú)立使用,在PSDSOFT中可定義為兩種方式,即PAGING和LOGIC。PAGING就是作為分頁(yè)使用,LOGIC是作為一般邏輯輸入功能,類似于PLD中的節(jié)點(diǎn)NODE,或者CPLD中的宏MACRO。作為PAGING時(shí),必須從最低位開始,使用N位作為PAGING,可實(shí)現(xiàn)2N個(gè)頁(yè)面的分配,即存儲(chǔ)器的地址配置中有2N個(gè)頁(yè)面可選擇。使用作為L(zhǎng)OGIG時(shí)必須從高位開始使用,可以為之定義一個(gè)名字,可用作DPLD的輸入項(xiàng)。MCU在運(yùn)行時(shí)可以對(duì)PAGE的進(jìn)行讀/寫操作,但是不能按位操作,也就是說必須先屏蔽再修改。
在程序和數(shù)據(jù)均不超過64K時(shí),不必分頁(yè),PGR0~PGR7不參加譯碼。現(xiàn)在的PSDSOFT軟件中不要求用戶再寫地址方程式,只需要填寫地址范圍可以了。不使用分頁(yè)時(shí),片選的PGAE NUMBER就不能填任何值,如果填“0”則表示位于頁(yè)0。在PSDSOFT中對(duì)公共區(qū)的設(shè)置方法很簡(jiǎn)單,只要不填作為公共區(qū)的存儲(chǔ)器的片選中的 “PAGE NUMBE”就可以了。
μPSD存儲(chǔ)器配置實(shí)例
作為本文的結(jié)束,舉一個(gè)典型的 μPSD應(yīng)用實(shí)例,讀者可參考其存儲(chǔ)器的配置方案。
使用μPSD3234A-40U6器件,將FS0~FS7用作程序/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,地址在8000H~0FFFFH,分別位于頁(yè)0至頁(yè) 7;CSBOOT0~CSBOOT3作為程序存儲(chǔ)器,作為公共區(qū),地址是0000H~7FFFFH。擴(kuò)展SRAM位于0000H~1FFFH,CSIOP 位于7F00H~7FFFH,用戶I/O空間定義為7E00H~7EFFH。
這樣的存儲(chǔ)器配置能夠滿足大多數(shù)分頁(yè)項(xiàng)目的設(shè)計(jì)要求,使用了μPSD的所有存儲(chǔ)器,不僅最大化了程序空間和數(shù)據(jù)空間,也能實(shí)現(xiàn)IAP功能。此方案中程序空間可達(dá)256K+32K,數(shù)據(jù)空間是256K(FLASH)+8K(SRAM)。用戶可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用項(xiàng)目對(duì)配置進(jìn)行簡(jiǎn)單修改,去掉沒有使用的存儲(chǔ)器配置。
如果用戶項(xiàng)目中要求實(shí)現(xiàn)IAP或者對(duì)主FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除/修改,請(qǐng)一定要注意,升級(jí)代碼或?qū)LASH進(jìn)行擦除/修改操作的程序必須放于公共區(qū),即次FLASH中。