TMS320C672x系列浮點(diǎn)DSP的EMIF研究與應(yīng)用

目前，DSP技術(shù)已廣泛用于信號(hào)處理、通信和雷達(dá)等領(lǐng)域。TI公司的帶EMIF擴(kuò)展存儲(chǔ)器接口的浮點(diǎn)DSPTMS320C672x系列是專(zhuān)為高速、高性能應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的，主要應(yīng)用于高速寬帶、圖像處理和高速鐵路軌道信號(hào)處理等領(lǐng)域。DSP應(yīng)用平臺(tái)設(shè)計(jì)中，外部存儲(chǔ)器接口(EMIF)是為DSP與外部設(shè)備之間提供連接。EMIF和外部器件SDRAM以及Flash的合理設(shè)計(jì)關(guān)系到系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和程序加載。
    TMS320C672x系列浮點(diǎn)DSP的EMIF性能優(yōu)良，增強(qiáng)了與外部1、2或4區(qū)的16位或32位SDRAM和異步器件連接的方便性和靈活性。TMS320C6722和TMS320C6726 EMIF寬度為16位，支持的SDRAM可達(dá)128 Mb；TMS320C6727EMIF寬度為32位，支持高達(dá)256Mb和512Mb的SDRAM。
    異步存儲(chǔ)器接口是從并行的8位、16位或32位NOR Flash實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)自啟動(dòng)。若使用大容量的Flash，EMIF連接Flash的高位地址線(xiàn)可通過(guò)外部器件CPLD或自身GPIO口擴(kuò)展。

1 EMIF接口
    EMIF接口具有很強(qiáng)的外設(shè)連接能力，可尋址空間一般比較大，數(shù)據(jù)吞吐較快。EMW接口支持的器件包括同步突發(fā)靜態(tài)RAM(SBSRAM)、同步動(dòng)態(tài)RAM(SDRAM)、各種異步設(shè)備(SRAM、ROM和FIFO)以及同步FIFO。TMS320C672x的EMIF引腳結(jié)構(gòu)如圖1所示。

    其主要引腳功能如下：
    EM_A[x：0]：EMIF地址總線(xiàn)。當(dāng)與SDRAM器件連接時(shí)，地址總線(xiàn)主要為SDRAM提供行地址和列地址。當(dāng)與異步器件連接時(shí)，這些引腳與EM_BA引腳提供器件地址。
    EM_BA[1：0]：EMIF存儲(chǔ)區(qū)地址線(xiàn)。與SDRAM連接時(shí)，為SDRAM提供存儲(chǔ)區(qū)地址。與異步器件連接時(shí)，這些引腳與EM_A引腳共同提供器件地址。
    EM_WE_DQM[x：0]：低電平有效寫(xiě)觸發(fā)或字節(jié)使能引腳。與SDRAM連接時(shí)，這些引腳與SDRAM的DQM引腳連接。在數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)中分別使能／禁止每一字節(jié)。與異步器件連接時(shí)，這些引腳可作為字節(jié)使能(DQM)或字節(jié)寫(xiě)觸發(fā)(WE)。
    EM_CS[0]和[2]：CS[0]為SDRAM器件低電平有效芯片使能引腳，當(dāng)訪(fǎng)問(wèn)異步器件時(shí)此引腳失效，在完成異步存取后自動(dòng)恢復(fù)其功能；CS[2]為低電平有效異步器件使能引腳，僅在訪(fǎng)問(wèn)異步存儲(chǔ)器時(shí)有效。
    EM_RAS：低電平有效行地址選通引腳，與SDRAM的RAS引腳連接，用于向此器件發(fā)送命令。
    EM_CAS：低電平有效列地址選通引腳，與SDRAM的CAS引腳連接，用于向此器件發(fā)送命令。
    EM_CKE：時(shí)鐘使能引腳，與SDRAM的CKE連接，發(fā)出自刷新命令，使器件進(jìn)入自刷新模式。
    EM_CLK：SDRAM時(shí)鐘引腳，EMIF時(shí)鐘來(lái)自DSP的PLL控制器的SYSCLK3時(shí)鐘模塊。

2 EMIF與SDRAM的設(shè)計(jì)
    這里以SDRAM(HY57V281620A)為例，說(shuō)明EMIF和SDRAM的接口與配置，HY57V281620A是4 Bankx2MBx16 bit的SDRAM器件，可與TMS320C67 22 DSP無(wú)縫連接。圖2是TMS320C6722型DSP與HY57V281620A型SDRAM的電路連接。

2．1 SDRAM的軟件配置
    在TMS320C6722的EMIF中有一組存儲(chǔ)器映射寄存器，通過(guò)設(shè)置這些寄存器便可完成對(duì)SDRAM的配置，包括配置寄存器SDCR、刷新控制寄存器SDRCR、時(shí)序寄存器SDTIMR和自刷新退出時(shí)序寄存器SDSRETR。具體的配置代碼如下：


2．2 SDRAM的軟件操作
    根據(jù)上面軟件配置中IBANK和PAGESIZE字段的設(shè)置，圖3列出了C6722 EMIF連接16位4區(qū)256字頁(yè)面的SDRAM地址映射關(guān)系，其他系列地址映射關(guān)系參考TI資料。SDRAM讀／寫(xiě)程序流程如圖4所示。[!--empirenews.page--]

    EMIF控制SDRAM工作時(shí)，當(dāng)行地址選通引腳EM_RAS有效時(shí)，SDRAM通過(guò)A0～A11獲取行地址；當(dāng)列選通引腳EM_CAS有效時(shí)，SDRAM通過(guò)A0～A11獲取列地址。EMIF訪(fǎng)問(wèn)的外部SDRAM空間地址映射為0x80000000-0x8FFFFFFF，由表1的地址映射知，如果要存儲(chǔ)16位的short int型數(shù)據(jù)到SDRAM，每次邏輯地址需要加2，如：*(short int*)(0x80000000+i*2)=short int i；存儲(chǔ)32位的int型數(shù)據(jù)每次地址需要加4，如：*(int*)(0x80000000+i*4)=int i。

3 EMIF與Flash的設(shè)計(jì)
    當(dāng)DSP脫機(jī)運(yùn)行時(shí)，系統(tǒng)上電或復(fù)位后，DSP系統(tǒng)自帶的Bootloader將一段存儲(chǔ)在外部的非易失性存儲(chǔ)器中的代碼搬移到內(nèi)部高速存儲(chǔ)單元中執(zhí)行。這樣既利用了外部存儲(chǔ)單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源，又充分發(fā)揮了DSP內(nèi)部資源的效能。TMS320C672x系列DSP只支持一種硬啟動(dòng)選項(xiàng)，即從內(nèi)部ROM地址0x00000000啟動(dòng)，其他啟動(dòng)選項(xiàng)由存儲(chǔ)于ROM的軟啟動(dòng)器實(shí)現(xiàn)。軟啟動(dòng)器使用CFGPIN0和CFGPIN1寄存器，這2個(gè)寄存器在復(fù)位時(shí)捕捉相關(guān)器件引腳的狀態(tài)，以決定進(jìn)入那種啟動(dòng)模式。ROM主要有4種自啟動(dòng)模式：從EM_CS2空間的并行Flash啟動(dòng)、利用SPI0或I2C1主模式從EEPROM啟動(dòng)、利用SPI0或I2C1從模式從外部MCU啟動(dòng)以及利用UHPI口從外部MCU啟動(dòng)。這里分析了從EM_CS2空間的并行Flash啟動(dòng)模式，給出了高密度、非易失性的電可擦除存儲(chǔ)器AM29LV800BB-90EC(512 Kx16 Bit)與EMIF的接口設(shè)計(jì)方案。
3．1 Flash的硬件連接
    AM29LV800BB～90EC型Flash具有19根地址線(xiàn)，而TMS320C6722 EMIF只有14根地址線(xiàn)(EBA0～EBA1、EA0～EA11)。因此，EMIF與Flash連接時(shí)地址線(xiàn)不夠用，需要擴(kuò)展高位地址線(xiàn)，這里提出兩種擴(kuò)展方法：GPIO擴(kuò)展和CPLD地址鎖存器擴(kuò)展。
3．1．1 GPIO擴(kuò)展
    TMS320C672X MCASP通道的各功能引腳都可以作為通用的I／O接口，直接與Flash存儲(chǔ)器的高位地址線(xiàn)連接。硬件原理圖如圖5所示研。圖5中，任何在復(fù)位時(shí)可下拉的GPIO引腳都可用于控制Flash啟動(dòng)器的地址線(xiàn)A[18：13]。

3．1．2 CPLD地址鎖存器擴(kuò)展
    在CPID中設(shè)計(jì)一個(gè)地址鎖存器74L273，通過(guò)74L273的輸出口擴(kuò)展7根高位地址線(xiàn)A11～A17，分別與Flash的A12～A18連接。EMW的EM_A[11]作為CPLD鎖存器的輸入選通端選，EMIT數(shù)據(jù)線(xiàn)作為鎖存器的輸入，如圖6所示。

3．2 FLash的軟件配置
    在EMIF異步接口中，AICR是唯一需要編程的寄存器。根據(jù)Flash器件的特性，配置如下：

   
3．3 Flash的軟件操作
    TMS320C672x DSP的存儲(chǔ)器中EMIF訪(fǎng)問(wèn)的外部異步器件Flash空間地址映射為0x90000000～0x9FFFFFFF之間。由于Flash數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度為16位，因此在硬件設(shè)計(jì)時(shí)選用半字尋址，即EMIF的BA[1]連接Flash的A[0]。根據(jù)配置寄存器A1CR中數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度的配置，訪(fǎng)問(wèn)異步器件時(shí)TMS320C6722中內(nèi)部地址和EMIF地址引腳對(duì)應(yīng)如表1所示。[!--empirenews.page--]

    Flash在讀操作中類(lèi)似于普通的ROM，在寫(xiě)操作中需要使用一些特殊命令字，按一定的順序編程，且可隨時(shí)編程，編程命令根據(jù)器件參考資料。對(duì)Flash的讀／寫(xiě)流程如圖7所示。

    由表1知，對(duì)Flash進(jìn)行16位數(shù)據(jù)寫(xiě)操作時(shí)每次偏移地址需要左移1位，即：*(short int*)(0x90000000+i*2)=shortint i：／／對(duì)Flash的i地址寫(xiě)入16位數(shù)據(jù)i由于此Flash高位地址線(xiàn)為擴(kuò)展的地址線(xiàn)，必然導(dǎo)致訪(fǎng)問(wèn)Flash時(shí)地址不連續(xù)。每次只能連續(xù)訪(fǎng)問(wèn)Flash內(nèi)部4 Kx16 Bit空間，即0x9000_0000～0x9000_1FFE。需要訪(fǎng)問(wèn)高地址空間時(shí)，首先通過(guò)設(shè)置相應(yīng)的GPIO引腳或者通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)利用CPLD設(shè)置Flash的相應(yīng)高地址線(xiàn)；然后再分別操作低位地址線(xiàn)進(jìn)行讀寫(xiě)，便可完成對(duì)高地址空間的讀寫(xiě)。

4 EMIF并行Flash自啟動(dòng)
4．1 Flash自啟動(dòng)過(guò)程
    在實(shí)際應(yīng)用中通常把代碼和數(shù)據(jù)表存放在外部的非易失性存儲(chǔ)器Flash中。TMS320C672X系列DSP片上的Bootloader工具只能將1KB的代碼搬移到內(nèi)部RAM。但是在通常情況下，用戶(hù)應(yīng)用程序的大小都會(huì)超過(guò)1 KB，所以需要在外部Flash的前1 KB范圍內(nèi)預(yù)先存放一小段程序，待片上Bootloader工具把此段代碼搬移入內(nèi)部并開(kāi)始執(zhí)行后，由此段代碼將Flash中剩余的用戶(hù)應(yīng)用程序搬移入內(nèi)部RAM中。Flash中前1 KB代碼為二級(jí)Bootloader。系統(tǒng)上電或復(fù)位時(shí)，DSP內(nèi)部固化的啟動(dòng)代碼會(huì)自動(dòng)將位于Flash地址空間(0x90000000～0x9FFFFFFF)開(kāi)頭的1 KB代碼傳輸?shù)絉AM存儲(chǔ)空間，這就是一次引導(dǎo)。很明顯，一次引導(dǎo)的代碼并不能滿(mǎn)足絕大多數(shù)編程者對(duì)代碼長(zhǎng)度的要求，因此就需要二次引導(dǎo)過(guò)程。二次引導(dǎo)是將DSP一次引導(dǎo)的1 KB代碼編寫(xiě)成一個(gè)搬移程序，搬移程序?qū)⒂脩?hù)的主程序搬移到高速RAM中，并且搬移完成后自動(dòng)跳轉(zhuǎn)至主程序入口處運(yùn)行主程序。由于硬件設(shè)計(jì)中Flash的地址不連續(xù)，因此對(duì)高位地址線(xiàn)的控制需要在搬移程序中實(shí)現(xiàn)。圖8為使用二級(jí)Bootloader的流程圖。

    二級(jí)Bootloader代碼的編寫(xiě)必須使用匯編語(yǔ)言，因?yàn)樵趫?zhí)行二級(jí)Bootloader時(shí)C的運(yùn)行環(huán)境還未建立起來(lái)。
4．2 Flash的燒寫(xiě)方法
    應(yīng)用程序和二次Boot編寫(xiě)和編譯完成之后，便可使用TI公司提供的FlashBurn工具完成Flash燒寫(xiě)，燒寫(xiě)完成后需要重新上電或復(fù)位，便可實(shí)現(xiàn)自啟動(dòng)。此FlashBurn工具雖然燒寫(xiě)方法較為直觀(guān)，但是過(guò)程復(fù)雜，首先需要下載一個(gè)．out文件(FBTC)至DSP系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)對(duì)Flash的操作；其次FlashBurn工具不能識(shí)別．out文件，只能接收．hex的十六進(jìn)制文件，必須將．out文件轉(zhuǎn)換為．hex文件。
    因此，用戶(hù)可以自己根據(jù)Flash器件的操作方法編寫(xiě)燒寫(xiě)程序，避免文件格式轉(zhuǎn)換的繁瑣。首先把用戶(hù)應(yīng)用程序(包括二級(jí)Bootloader)編譯生成的．out文件轉(zhuǎn)載到DSP的RAM中，然后根據(jù)要求編寫(xiě)Flash燒寫(xiě)程序，把燒寫(xiě)程序的．out文件裝載到DSP的另一塊區(qū)域(注意修改cmd文件中地址范圍，避免兩次裝載可能產(chǎn)生的地址覆蓋)，執(zhí)行程序完成Flash的燒寫(xiě)。注意：燒寫(xiě)到Flash中的應(yīng)用程序前面12個(gè)字節(jié)用于存放_(tái)c _int00地址、應(yīng)用程序字節(jié)數(shù)、應(yīng)用程序在RAM中的起始地址，這12個(gè)字節(jié)需要在燒寫(xiě)過(guò)程中添加。

5 結(jié)束語(yǔ)
    本文主要研究了TMS320C672x系列DSP EMIF接口的功能和使用方法，并針對(duì)SDRAM和Flash器件討論了EMIF的具體硬件接口設(shè)計(jì)和軟件配置；同時(shí)分析了TMS320C672x系列的自啟動(dòng)過(guò)程，提出了兩種燒寫(xiě)Flash的方法。該應(yīng)用方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，確實(shí)可行并易于實(shí)現(xiàn)。