擁有快速寫入和超高集成性能的下一代數(shù)據(jù)存儲解決方案

全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion日前宣布計劃開發(fā)下一代數(shù)據(jù)存儲產品系列，MirrorBit® ORNAND™架構?；赟paNSiON專有電荷捕獲技術的新型MirrorBit ORNAND2™架構將在連接于NAND存儲器陣列中采用類似SONOS的45nm存儲單元，具有快速寫入和高封裝密度的特點－－將NAND技術的性能和成本優(yōu)勢與300mm晶圓的成本結構優(yōu)勢發(fā)揮到最佳。

基于新型架構的產品將主要面向集成閃存市場中的數(shù)據(jù)存儲應用領域；在這種市場中，客戶注重的是差異化、高價值的解決方案。新的架構將通過45nm系列解決方案擴大現(xiàn)有MirrorBit ORNAND產品系列；與Spansion 65nm的MirrorBit ORNAND產品相比，不但能將掩膜(mask layer)層的大小減少25%，其品質也遠勝于浮動門NAND解決方案。MirrorBit ORNAND2產品預計將于2009年初投放市場。 　　新的架構基于Spansion專有MirrorBit技術――目前，采用MirrorBit技術的解決方案總銷售額達20億美元，占整個NOR閃存市場的22%。通過采用通用的技術平臺和利用40nm以下的MirrorBit技術具有的可擴展性優(yōu)勢，在同一晶圓廠中可以實現(xiàn)MirrorBit NOR、ORNAND和ORNAND2產品的高效生產。 

Spansion研發(fā)事業(yè)部執(zhí)行副總裁Lou Parrillo博士表示：“Spansion是唯一一家成功實現(xiàn)電荷捕獲存儲技術大量應用的公司。憑借我們專有的先進的MirrorBit技術、300mm晶圓生產能力以及預計與NAND相當?shù)男阅?，我們能夠進一步擴大已有產品組合，并加快MirrorBit技術的發(fā)展步伐。”

Spansion正利用在其專有MirrorBit技術應用的過程中所積累的經驗來為MirrorBit ORNAND2技術開發(fā)一種專有的類似SONOS的存儲單元。不同于此前業(yè)界生產商試圖開發(fā)商用化SONOS存儲單元而未獲成功的情況，Spansion相信，通過架構性的革新和已獲證明的生產技術相結合的獨特方法，一定能實現(xiàn)最佳性能并加快投產的速度。

目標分析（Objective Analysis）總監(jiān)Jim Handy表示：“隨著技術在伸縮曲線上的日漸走低，傳統(tǒng)的浮動門閃存在45nm及以下工藝中正逐漸失去競爭力。許多公司都提出將電荷捕獲技術作為一種解決辦法。Spansion的電荷捕獲技術投產已達四年之久，使公司相較競爭對手而言占據(jù)先機。而Spansion基于類似于SONOS的存儲單元結構的下一代MirrorBit ORNAND2架構必將進一步發(fā)揮這種領先優(yōu)勢，擴大公司在目前由NAND獨霸天下的各個領域中的市場機會。”