三星采用30納米工藝研制出64G NAND閃存芯片

    從國(guó)外媒體處獲悉：全球閃存巨頭韓國(guó)三星電子公司周二宣布，已經(jīng)利用三十納米半導(dǎo)體工藝制造出了64GB閃存芯片。這是全球第一塊64GB的NAND閃存芯片。 

　　三星電子公司表示，他們利用三十納米的最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝研制了這種高容量的閃存芯片。目前，該公司在普通閃存芯片的制造中一般采用五十納米工藝。 

　　三星電子公司在一份聲明中說(shuō)，64GB產(chǎn)品意味著閃存行業(yè)在容量方面又跨越了一步。高容量閃存將滿足日益膨脹的消費(fèi)電子產(chǎn)品對(duì)于存儲(chǔ)介質(zhì)的需求。 

　　三星電子公司表示，64GB的閃存芯片屬于全世界首創(chuàng)。它的問(wèn)世，也是閃存行業(yè)連續(xù)八年讓容量翻倍，也是連續(xù)七年在芯片制造工藝上獲得提升。 

　　三星電子說(shuō)，他們將在2009年開(kāi)始量產(chǎn)這種高容量閃存芯片。 

　　眾所周知的是，閃存在供電取消之后仍然可以保存數(shù)據(jù)，和硬盤相比穩(wěn)定性更高，功耗也越少，目前被廣泛用于包括音樂(lè)播放器、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)在內(nèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品。多家公司甚至已經(jīng)生產(chǎn)出可以用于電腦的閃存混合硬盤。業(yè)界普遍認(rèn)為，隨著閃存價(jià)格不斷下降，未來(lái)硬盤將逐漸被閃存所取代。 

　　需要指出的是，去年，三星電子宣布生產(chǎn)出了32GB容量的閃存芯片，當(dāng)時(shí)采用的是四十納米的半導(dǎo)體制造工藝。三星電子公司發(fā)言人說(shuō)，他們將在明年量產(chǎn)32GB的閃存芯片。（令狐達(dá)）