IBM獲英飛凌130納米嵌入式閃存工藝使用許可

英飛凌科技股份公司近日宣布與IBM簽訂協(xié)議，拓寬公司成熟的大容量嵌入式閃存制造工藝的應用范圍 。IBM將獲得英飛凌130納米嵌入式閃存工藝的使用許可，用于在北美地區(qū)制造全新的芯片。此外，英飛凌將利用IBM的晶圓代工服務生產基于該工藝的產品。

在2006年初，英飛凌的130納米嵌入式閃存工藝就已在英飛凌工廠中得到廣泛應用，用于生產從汽車系統(tǒng)到低功率芯片卡設備等應用所需的高級微控制器芯片。通過本協(xié)議，IBM還獲得了相關非易失性存儲器（NVM）知識產權的使用許可。130納米嵌入式閃存工藝的采用將提高IBM的晶圓代工能力，使其滿足在單芯片上集成定制邏輯和高密度閃存的應用需求。

該工藝的整合與驗證工作已開始在IBM位于佛蒙特州Burlington的200毫米晶圓廠進行，計劃在2008年下半年推出初步設計套件。