英特爾采用3D晶體管技術(shù)開發(fā)全新凌動芯片架構(gòu)

英特爾正在開發(fā)一款采用3D晶體管技術(shù)的凌動芯片架構(gòu)。英特爾在加速節(jié)能芯片的開發(fā)進程，以進入智能手機和平板電腦芯片市場。

　　消息人士透露，代號為Silvermont的新款凌動芯片將于2013年發(fā)售。采用3D晶體管技術(shù)的Silvermont在整合度、性能和效能比方面將達到一個全新的水平。

　　與未來所有的凌動芯片一樣，Silvermont也采用片上系統(tǒng)設計。凌動芯片的發(fā)展速度快于摩爾定律。目前的凌動芯片采用45納米工藝，今年晚些時候?qū)⑸壍?2納米。

　　上述消息人士稱，盡管細節(jié)還不清楚，Silvermont旨在利用22納米工藝和3D晶體管技術(shù)。預計英特爾將在本周的分析師會議上披露更多的凌動片上系統(tǒng)開發(fā)計劃。