美光追趕三星,擴(kuò)大在臺(tái)投資加快先進(jìn)制程布局
美國內(nèi)存大廠美光(Micron)合并華亞科技后,中國臺(tái)灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產(chǎn)基地,內(nèi)部設(shè)定以超越三星為目標(biāo),并全力沖刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先進(jìn)制程腳步,去年及今年總計(jì)投資 20 億美元,將臺(tái)中廠(原瑞晶)的制程提升至 1x 納米,另外,集團(tuán)今年也將在中國臺(tái)灣地區(qū)擴(kuò)大招募 1,000 名員工,要在先進(jìn)制程技術(shù)上加快布局進(jìn)度以趕上三星。
美光桃園廠營運(yùn)長葉仁杰在農(nóng)歷春節(jié)后接任,他指出,美光整并前華亞科后,軟件、后臺(tái)、采購平臺(tái)的整合,人員融合等進(jìn)度均順利,目前該廠 12 萬片的月產(chǎn)能已經(jīng)全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn) 20 納米制程,今年將以提升生產(chǎn)效率為目標(biāo)。
另外,隨著全球內(nèi)存業(yè)整并潮持續(xù)進(jìn)行,市場也傳出美光將聚焦 DRAM 和 3D NAND Flash,退出編碼型閃存(NOR Flash),擬處分旗下 NOR 芯片事業(yè),并傳出華邦電和中國兆易創(chuàng)新為可能的市場買家。美光內(nèi)部證實(shí)確有此規(guī)劃,但發(fā)言體系并未透露相關(guān)細(xì)節(jié)。華邦電總經(jīng)理詹東義則表示并未聽說,但會(huì)慎重進(jìn)一步研究。