英特爾10nm今年或?qū)⒘慨a(chǎn)

本周對于Intel的10nm先進(jìn)工藝來說，可謂坐過山車般。周二的精尖制造日活動，Intel大談特談?chuàng)碛谐⒖sFinFET的10nm是如何先進(jìn)，領(lǐng)先友商3年，然而周三，Digitimes從筆記本OEM廠商那里獲悉， Intel突然將Cannon Lake處理器延期到2018年末 。

對此，報道稱，Intel中國區(qū)總裁楊旭接受采訪時強調(diào)，“ Intel 10nm在今年第四季度就可以實現(xiàn)投產(chǎn) 。”

他同時指出，“我們現(xiàn)在已經(jīng)有技術(shù)驗證7nm到5nm都沒有問題。 而且我們在通過前瞻研究推進(jìn)5nm以后的，比如3nm、1nm ，這些當(dāng)然就需要很多別的新的技術(shù)，英特爾一直在探索。”

不過，資料顯示，從物理學(xué)的角度，5nm以及之后需要解決絕緣體的問題，目前的14nm/10nm使用的是氮碳化硅硼(SiBCN)，7nm使用的是氮碳氧化硅(SiOCN)， 但用于5nm的終極絕緣體氣隙(air gap)連IBM也沒搞定。

當(dāng)然，這只是一方面，EUV的光源功率、III-V材料等也都個個棘手。

1nm都來了，看來pm(皮米)、fm(飛米)也快了。